Results 11 to 20 of about 79 (51)
Цель. Описать редкие клинико-морфологические формы новообразований правого желудочка (мезенхимальная гамартома, рабдомиома) у младенцев, потребовавших хирургического лечения в грудном возрасте. Методы.
K.N. Kuatbekov +4 more
doaj +1 more source
Цель. Изучить в эксперименте гидродинамические характеристики и долговечность протеза корня аорты с перикардиальными створками и различными вариантами формирования комиссур. Методы. Сформировали 9 кондуитов с перикардиальными створками согласно технике,
В. Базылев +4 more
doaj +1 more source
BERINGOVSKY BASIN COALS METAMORPHISM
Main type of coals metamorphism in Beringovsky basin is stated to be regional. According to the degree of carbonification coals of the basin change from long-flame to fat (the I-III stages of a metamorphism). A degree of a metamorphism of deposited coals
G. A. Fandyushkin
doaj +1 more source
Cтатья посвящена комплексному анализу возможностей повышения экономической и экологической эффективности магистрального транспорта газа за счет внедрения метано-водородных смесей с содержанием H2 до 20% на примере пилотного проекта строительства ...
Головань, С.Е. +4 more
doaj +1 more source
СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ГРАНУЛИРОВАНИЯ ПАСТООБРАЗНЫХ МАТЕРИАЛОВ
.
doaj +1 more source
Infertility With Genital Endometriosis
Primary and secondary infertility rates are identical. Endometriosis cysts in the ovaries and commissural process in the pelvic region are observed frequently during secondary infertility, which is related with a high rate of operablе intrusion in ...
R. S. Skakova
doaj
Требования к метану как к топливу для жидкостных ракетных двигателей
В статье рассмотрены требования к метану как топливу для жидкостных ракетных двигателей, сформированные по результатам анализа нормативной базы, оценки влияния примесей на криогенные и теплофизические характеристики топлива, а также исследования свойств ...
Шаповалова, О.В. +4 more
doaj +1 more source
The device-process simulation of the high-voltage silicon diode was performed at its forming in three types of epitaxial film: 1) 17.0SEPh2.0 (silicon doped phosphor of electron type conductivity with the thickness d = 17 μm and resistivity of pv = 2.0 ...
N. L. Lagunovich +2 more
doaj
Influence of technological inpurities on electrical parameters of MOS transistor
It is shown that the quality of gate dielectric has a determinative impact on electrical physical parameters of MOS transistors. Contamination of material by technological impurities during the manufacturing process is the reason for the deterioration of
V. B. Odzaev +9 more
doaj

