خواص ترابرد اسپینی در نانوساختارهای نامتجانس مولکولی [PDF]
اپتوالکترونیک, 2022 در این تحقیق خواص ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین در نانو ساختار مولکولی از طریق یک پل مولکولی نامتجانس فولرن و مولکول پنتاسن به عنوان پذیرنده و دهندۀ الکترون، جفت شده با دو الکترود نیمه نهایی مس، مورد بررسی قرار گرفته است.
سیدحسین باقری +2 more
doaj +1 more source
گذار فاز عایق شبه‌توپولوژیکی به عایق در ژرمانن دولایه [PDF]
پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای, 2023 نانونوار ژرمانن دولایه به‌دلیل پیوندهای بین دولایه و جفت‌شدگی اسپین – مدار قوی، دارای کاربردهای فراوانی در طراحی نانو دستگاه‌ها و دانش اسپینترونیک دارند.
سعیده محمدی +1 more
doaj +1 more source
مطالعه خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی آلیاژهای هویسلر معکوس Ti2ScX (X=Si,Sn): رهیافت نظریه تابعی چگالی [PDF]
اپتوالکترونیک, 2023 در این تحقیق، خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی آلیاژهای هویسلر معکوس Ti2ScX (X=Si,Sn) با استفاده از بسته نرمافزاری کوانتوم اسپرسو بر پایه نظریه تابعی چگالی مورد مطالعه قرار گرفت.
فاطمه کرمی +1 more
doaj +1 more source
بررسی خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیبات تمام‌هویسلر V2ScX(X = Ga, In) [PDF]
پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای, 2022 با استفاده از نظریه تابعی چگالی، خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیبات تمام‌هویسلر V2ScX (X = Ga, In) مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می‌دهند که V2ScIn دارای گاف نیم‌فلزی به اندازه 45/0 الکترون‌ولت است و یک فرومغناطیس نیم‌فلز می‌باشد که خاصیت ...
قاسم فروزانی +2 more
doaj +1 more source
تولید جریان قطبش اسپینی توسط نور قطبیده در گرافین بدون بایاس [PDF]
اپتوالکترونیک, 2023 در این مقاله، یک سیستم گرافینی متصل به دو کانال نیمه بی‌نهایت را مدل سازی کرده و مورد مطالعه قرار داده‌ایم. نور (با قطبش های خطی و دایروی) بطور عمودی به سیستم می‌تابد.
سیمین مهنیا +1 more
doaj +1 more source
بررسی ساختار الکترونی، خواص مغناطیسی و اپتیکی ترکیب تمام‌هویسلر Cr2ScSb [PDF]
اپتوالکترونیک, 2021 بر پایه نظریه تابعی چگالی، خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیب تمام‌هویسلر Cr2ScSb مورد بررسی قرار گرفته است. این ترکیب در ثابت شبکه تعادلی برای منحنی چگالی حالت‌ها یک گاف نیم‌فلزی به اندازه 07/0 الکترون‌ولت دارد اما در ساختار نواری گاف انرژی مشاهده ...
فاطمه کرمی
doaj +1 more source
بررسی خواص ساختاری، الکترونی و مغناطیسی آلیاژهای هویسلر Ir2VZ (Z=Si, Ge, Sn) در دو ساختار فرضی XA و L21: محاسبات اصول اولیه [PDF]
اپتوالکترونیک, 2022 در این تحقیق، خواص ساختاری، الکترونی و مغناطیسی آلیاژهای تمام هویسلر جدید Ir2VZ (Z=Si,Ge,Sn)، با استفاده از بسته نرمافزاری کوانتوم اسپرسو بر پایه نظریه تابعی چگالی مورد مطالعه قرار گرفت. با تعویض موقعیت مکانی اتمها، محاسبات برای دو ساختار فرضی XA و L21
احمد اسدی محمد آبادی +1 more
doaj +1 more source
بررسی خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیب تمام‌هویسلر Ti2ScGeبا استفاده از نظریه تابعی چگالی [PDF]
اپتوالکترونیک, 2022 خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیب تمام‌هویسلر Ti2ScGe با استفاده از نظریه تابعی چگالی مورد بررسی و مطالعه قرار گرفت. اولین چیزی که باید مورد بررسی قرار بگیرد ساختار پایدار برای ترکیب تمام‌هویسلر است که بعد از بررسی‌های به عمل آمده، ساختاری با عنوان ...
فاطمه کرمی +2 more
doaj +1 more source
بررسی خواص الاستیک، مکانیکی، الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیب نیم هویسلر NbBiCs به روش نظریه تابعی چگالی [PDF]
اپتوالکترونیک, 2022 با استفاده از نظریه تابعی چگالی پیش‌بینی شد که آلیاژ نیم هویسلر NbBiCs می‌تواند کاندیدای بالقوه‌ای برای به کار رفتن وسایل در وسایل اسپینترونیک و اپتوالکترونیک باشد.
حامد رضازاده
doaj +1 more source
خواص مغناطیسی و الکترونی تک لایه ی دی کالکوژنید Pd2S4 تحت دوپینگ اتم های مجاور اتم سولفور [PDF]
اپتوالکترونیک, 2022 خواص مغناطیسی و الکترونی تک لایه ی Pd2S4 از طریق دوپینگ غیرفلزات NM(N,P,As,O,Se,F,Cl,Br) و با بکارگیری محاسبات اساسی اولیه انجام شد.نتایج نشان میدهد که غیرفلزاتی که دارای عدد فرد لایه ظرفیت هستند باعث مغناطیسی شدن ساختار می شود در حالی که غیرفلزات دارای ...
مجتبی غلامی +1 more
doaj +1 more source