تولید جریان قطبش اسپینی توسط نور قطبیده در گرافین بدون بایاس [PDF]
اپتوالکترونیک, 2023 در این مقاله، یک سیستم گرافینی متصل به دو کانال نیمه بینهایت را مدل سازی کرده و مورد مطالعه قرار دادهایم. نور (با قطبش های خطی و دایروی) بطور عمودی به سیستم میتابد.
سیمین مهنیا +1 more
doaj +1 more source
مطالعۀ ساختار الکترونی و ویژگیهای مغناطیسی ترکیب هسلر Co2TaGa [PDF]
اپتوالکترونیک, 2021 در مطالعه حاضر، ویژگیهای ساختاری، الکترونی و مغناطیسی ساختارهای بلوری AlCu2Mn و CuHg2Ti از ترکیب هسلر کامل Co2TaGa، با استفاده از محاسبات اصول اولیه در چارچوب نظریه تابعی چگالی مطالعه شدند. نتایج نشان میدهند که حالت پایة این ترکیب دارای ساختار بلوری از
سیدمجتبی علوی صدر +1 more
doaj +1 more source
خواص ترابرد اسپینی در نانوساختارهای نامتجانس مولکولی [PDF]
اپتوالکترونیک, 2022 در این تحقیق خواص ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین در نانو ساختار مولکولی از طریق یک پل مولکولی نامتجانس فولرن و مولکول پنتاسن به عنوان پذیرنده و دهندۀ الکترون، جفت شده با دو الکترود نیمه نهایی مس، مورد بررسی قرار گرفته است.
سیدحسین باقری +2 more
doaj +1 more source
بررسی خواص ساختاری، الکترونی و مغناطیسی آلیاژهای هویسلر Ir2VZ (Z=Si, Ge, Sn) در دو ساختار فرضی XA و L21: محاسبات اصول اولیه [PDF]
اپتوالکترونیک, 2022 در این تحقیق، خواص ساختاری، الکترونی و مغناطیسی آلیاژهای تمام هویسلر جدید Ir2VZ (Z=Si,Ge,Sn)، با استفاده از بسته نرمافزاری کوانتوم اسپرسو بر پایه نظریه تابعی چگالی مورد مطالعه قرار گرفت. با تعویض موقعیت مکانی اتمها، محاسبات برای دو ساختار فرضی XA و L21
احمد اسدی محمد آبادی +1 more
doaj +1 more source
خواص ترابردی وابسته به اسپین در ابرشبکهی سیلیسینی تحت کرنش [PDF]
پژوهش سیستمهای بسذرهای, 2020 با استفاده از روش ماتریس انتقال بصورت نظری به مطالعهی خواص ترابردی اسپینی در ابرشبکهی سیلیسینی در حضور برهمکنش اسپین-مدار راشبای خارجی و کرنش میپردازیم.
فرهاد ستاری
doaj +1 more source
بررسی خواص الاستیک، مکانیکی، الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیب نیم هویسلر NbBiCs به روش نظریه تابعی چگالی [PDF]
اپتوالکترونیک, 2022 با استفاده از نظریه تابعی چگالی پیشبینی شد که آلیاژ نیم هویسلر NbBiCs میتواند کاندیدای بالقوهای برای به کار رفتن وسایل در وسایل اسپینترونیک و اپتوالکترونیک باشد.
حامد رضازاده
doaj +1 more source
بررسی خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی آلیاژ نیم-هویسلر PtFeBi و سطوح (001) آن به روش نظریه تابعی چگالی [PDF]
اپتوالکترونیک, 2021 با این فرض که آلیاژ نیم هویسلر PtFeBi میتواند در وسایل اسپینترونیک و اپتوالکترونیک به کار رود، با استفاده از محاسبات اصول اولیه بر پایه نظریه تابعی چگالی (DFT) با تقریب گرادیان شبه تعمیم یافته (GGA)، خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی آلیاژ نیم- هویسلر ...
حامد رضازاده +2 more
doaj +1 more source
مطالعه خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی آلیاژهای هویسلر معکوس Ti2ScX (X=Si,Sn): رهیافت نظریه تابعی چگالی [PDF]
اپتوالکترونیک, 2023 در این تحقیق، خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی آلیاژهای هویسلر معکوس Ti2ScX (X=Si,Sn) با استفاده از بسته نرمافزاری کوانتوم اسپرسو بر پایه نظریه تابعی چگالی مورد مطالعه قرار گرفت.
فاطمه کرمی +1 more
doaj +1 more source
رفتار نیمهفلزی، پایداری ترمودینامیکی و عملکرد ترموالکتریکی هویسلرهای چهارتایی جدید CoXMnSi(X=Rh,Tc) [PDF]
پژوهش سیستمهای بسذرهای, 2021 مطالعۀ رفتار نیمهفلزی، ترموالکتریکی و پایداری ترمودینامیکی ترکیبهای جدید هویسلر چهارتایی CoXMnSi(X=Rh, Tc) برمبنای محاسبات نظریۀ تابعی چگالی انجام پذیرفته است.
منصوره ایلخانی
doaj +1 more source
مشخصة غیرخطی جریان-ولتاژ یک دیواره مغناطیسی 2π رادیان در نانوسیمهای نیمرسانای فرومغناطیسی نوع p [PDF]
پژوهش سیستمهای بسذرهای, 2017 در مقالۀ حاضر، مشخصه جریان-ولتاژ یک دیواره مغناطیسی 2π رادیان ایجاد شده در میان دو نانوسیم از جنس نیمرسانای مغناطیسی نوع p با قطبش اسپینی بسیار بالا در دمای معین T مطالعه و بررسی شده است. در این راستا، احتمال عبور و بازتاب حاملها از دیواره 2π رادیان با
وحید فلاحی +2 more
doaj +1 more source