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Monte-Carlo simulation of lifetime distribution on array interconnection of LED module [PDF]

open access: yes, 2011
利用蒙特卡洛方法对阵列化互连lEd模组的可靠寿命进行了模拟,假设分档后的大功率白光lEd的正向电压符合正态分布,额定电流下的寿命符合对数正态分布,且寿命和电流、温度的关系符合EyIng模型,研究了nxn(6≤n≤12)lEd阵列的寿命分布。模拟结果表明,对于nxnlEd阵列,寿命随lEd数目的增加没有下降反而略有增加,表明对多数目lEd模组采用阵列化互连电路较传统串并联电路具有优势,能提高阵列的可靠性;对系统采用电流降额使用,可靠寿命随着电流降额量的增大而增大,电流降额越大,寿命增大越多 ...
夏正浩, 李炳乾, 郑同场
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全绝缘密封式组合电器

open access: yesGaoya dianqi, 1967
介绍一种用SF6绝缘的245仟伏全绝缘密封式组合电器。对组合电器的参数、性能、结构布置、各组件的结构特点、密封结构、保护系统和安装维护等作了比较详细的介绍,还扼要介绍了SF6的理化特性。
doaj  

35kV电容式电压互感器高压熔断器熔断的原因分析

open access: yesGaoya dianqi, 2009
针对一起35 kV电容式电压互感器高压熔断器频繁熔断现象,笔者详细分析了电容式电压互感器(CVT)的工作原理及等值电路。通过CVT中压互感器的伏安特性试验,得出了在系统发生单相接地故障或故障消除的过渡过程中CVT中压互感器铁芯深度饱和激发铁磁谐振,从而导致高压熔断器熔断的结论。笔者还提出在CVT中压互感器二次剩余绕组并联阻尼器是抑制铁磁谐振行之有效的措施。同时,在产品设计制造时应着力改善中压互感器的空载励磁特性,选择伏安特性优越的中压互感器。分析结果为改进产品设计 ...
罗军川
doaj  

L-B技术在电化学研究中的应用 [PDF]

open access: yes, 1996
l-b技术可在分子水平上按人们的预想控制分子的排列和取向,是实现分子工程的重要手段。国内外l-b技术的研究主要集中于仿生膜、特殊材料和信息器件,新开拓的电化学应用有导电材料、光电材料、电催化作用、传感器 ...
华炳增, 张韫宏, 陈衍珍
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Study of adsorbed Ru(bpy)(2+)(3) on glassy carbon electrode and its electrochemiluminescence [PDF]

open access: yes, 2006
The adsorption of Ru(bpy)(3)(2+) on a glass carbon electrode has been investigated by cyclic voltammetry (CV) and electrochemiluminescence (ECL). Experimental results show that the adsorption of Ru(bpy)(3)(2+) on the surface of glass carbon electrode was
Chen, Xi   +5 more
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利用陡波冲击电流发生器研究避雷器阀片的残压及过冲

open access: yesDianci bileiqi, 1996
论述了在陡波冲击电流(最短波前近180ns)作用下避雷器阀片的残压及其过冲的特点和成因;比较了不同波形电流作用下ZnO及SiC阀片的伏安特性。所得结论对避雷器的设计及生产具有一定的参考价值。
曹红岩, 樊力
doaj  

Structural design and characterization for light extraction in GaN-based LED electrodes [PDF]

open access: yes, 2014
本文首先对Ⅲ-Ⅴ族材料性质和发光二极管(LED)存在的问题进行了概述,在诸多影响因素中着重对光提取效率进行介绍,详述了当前提高效率的常用方法,然后引出当今电极制作方面存在的问题(特别是对于大功率LED器件),并对其加以分析。 本文通过使用金属有机物气相外延(MOPVE)方法生长制备了深紫外LED外延片和蓝光LED外延片,然后对外延片进行金相显微镜、EL、PL、AFM等的测试和表征。表征结果表明所制备的外延片的生长质量和发光效果均比较理想,为后续的电极的制作提供了一个良好的基础 ...
卓晓龙
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氧化锌非线性陶瓷的老化机理

open access: yesDianci bileiqi, 1986
通过观察氧化锌非线性陶瓷的伏安特性、介电特性及热激电流,研究交直流偏置而引起的老化现象。由结果可以断定:直流偏置引起的现象是由于富氧化铋晶界层和肖特基势垒过渡层的离子迁移,非对称的肖特基势垒畸变所致;而交流偏置所引起的现象是因为肖特基势垒过渡层的离子迁移,对称的肖特基势垒畸变所致。还叙述了氧化锌非线性陶瓷的热击穿寿命与偏置条件,如偏置温度及偏置电压的关系。
Kazuo Eda, 苟雅江
doaj  

Studies of Adsorption of Citrate、CTAB and PVP on Pt Single Crystal Surface by CV and in situ FTIRS [PDF]

open access: yes, 2013
本论文运用电化学循环伏安、原位红外反射光谱等方法研究了酸性介质中结构调控功能分子(Citrate、CTAB、PVP)在Pt单晶电极表面的吸附特性,着重探讨其在贵金属纳米催化剂合成中具体作用的机理。取得的主要结果如下: 1、柠檬酸根吸附特性的研究:在Pt(100)电极上,循环伏安测试表明,柠檬酸根的吸附使氢在Pt(100)长程有序结构的峰电流增大且峰电位负移,同时柠檬酸根的吸附可以稳定Pt(100)长程有序结构,使其在更高的电位(正移200mV)才被扰乱 ...
陈德皓
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基于EMTP模拟雷电流入侵低压配电线路仿真与防护研究

open access: yesDianci bileiqi, 2016
架空线路未设置线路及绝缘子闪络防护、变压器二次侧未设置合理电涌防护等措施易导致线路及绝缘子闪络导致线路跳闸、雷电电磁脉冲造成二次侧设备损坏等故障频繁发生。基于EMTP搭建典型低压配电入户线路变压器一、二次侧模型,计算不同电涌保护器安装方式下瞬态过电压变化特性及不同节点幅值分布特征,验证了高低压侧及二次侧设置三级SPD的优化防护效果,对负载及接地电阻与各级瞬态过电压分布相关性影响进行横向分析,总结出降低直击线路概率、实现高低压侧间隙性避雷器放电特性与二次侧三级SPD伏安特性合理绝缘配合方案。
朱泽伟, 周歧斌, 陈贻亮, 唐涛
doaj  

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