Results 41 to 41 of about 43 (41)
Dianci bileiqi针对强电磁脉冲产生的瞬态过电压会对二极管半导体造成损伤的问题，基于二极管击穿理论，采用理论与实验相结合的方法，使用纳秒级高压方波脉冲源作为电压脉冲源，选用BZX55C系列不同型号的稳压二极管进行了不同脉宽下的方波脉冲注入实验。实验结果表明：稳压二极管的损伤能量随稳压二极管的稳压值增大而增大，损伤形式表现为稳压值下降，漏电流增大，伏安特性曲线畸变；不同稳压值的二极管对方波脉冲的敏感端不同，当稳压值小于12 V时，负极比较敏感，当稳压值大于12 V时，正极比较敏感；二极管损伤能量并非是一个恒定值 ...
李祥超, 王兵
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