Results 141 to 143 of about 1,061,235 (143)
用于先进 CMOS电路的 150 mm硅外延片外延生长(英文)
, 2000 随着大规模和超大规模集成电路特征尺寸向亚微米、深亚微米发展，下一代集成电路对硅片的表面晶体完整性和电学性能提出了更高的要求。与含有高密度晶体原生缺陷的硅抛光片相比，硅外延片一般能满足这些要求。该文报道了应用于先进集成电路的150mmP/P~+ CMOS硅外延片研究进展。在PE2061硅外延炉上进行了P/P~+硅外延生长。外延片特征参数，如外延层厚度、电阻率均匀性，过渡区宽度及少子产生寿命进行了详细表征。研究表明:150mm P/P ...
王启元 +3 more
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一种深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器,包括：一硅或SOI衬底；一第一掺杂层,制作在硅或SOI衬底上；一第二掺杂层,制作在第一掺杂层上；一迎光面介质钝化层,制作在第二掺杂层上；一第一金属电极,为E字形结构,该第一金属电极制作在第二掺杂层上；一第二金属电极,为E字形结构 ...
毛雪, 韩培德
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本发明公开了一种用于振动检测的外差调制方法,包括：步骤1：入射光束经过分束器被分成两束光,一束为参考光,一束为信号光；步骤2：参考光依次经过电光调制器和准直镜进入分光棱镜；信号光直接透过分光棱镜和光学天线照射到振动物体,经由振动物体反射被光学天线接收,最后进入分光棱镜；步骤3：进入分光棱镜的参考光与被振动物体反射进入分光棱镜的信号光在分光棱镜处发生干涉,然后进入光电探测器；步骤4：光电探测器接收载有物体振动信号的电信号,实现对入射光束的外差调制。利用本发明 ...
孟雪 +4 more
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