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Gaoya dianqi, 2021 采用脉冲电子注入式迁移管,对GIS中常见气体成分在低E/N值下的负离子迁移特性进行了研究,研究对象包括:O2、SO2、SOF2、SO2F2和SF6。在所研究E/N值范围内（0.264～1.168 Td）,结果表明:由于避免了传统离子门迁移管技术的电荷损失问题,离子电流信号强度大为提高;所研究气体对应的负离子迁移时间与迁移场强呈线性关系,迁移距离越长,迁移时间变化率越大。采用迁移距离和迁移时间差值法计算出的离子迁移速度,能有效消除离子起始加速阶段速度不稳定对稳定迁移速度的影响 ...
辛忠良 +4 more
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Gaoya dianqi, 2010 介绍了二极管真空绝缘中真空沿面闪络的理论、绝缘结构设计的要点以及沿面闪络域值的估算方法,提出了二极管结构优化设计的思路和方法,通过数值计算对二极管的径向绝缘结构进行了设计优化,一方面降低了三相点的电场强度和绝缘体沿面电场强度,另一方面提高了绝缘体表面的沿面击穿场强。实验结果表明,优化后的二极管绝缘结构满足设计指标,在正常工作电压下未发生击穿现象,并进一步对天鹅绒阴极二极管发射电流的幅值特性和脉宽特性进行了初步研究。
伍友成 +5 more
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切向电场主导下C4F7N/CO2混合气体中环氧复合材料表面电荷积聚特性及机理研究
Gaoya dianqi, 2023 气固界面的电荷积聚问题是诱发沿面闪络的重要原因，而当前C4F7N/CO2混合气体中电荷积聚特性的相关研究还不够充分。为研究C4F7N/CO2混合气体中表面电荷积聚特性及机理，本文通过指型电极构建极不均匀电场，测量了环氧复合材料在C4F7N/CO2混合气体中的表面电荷分布特性；进一步的，为理清表面电荷来源及迁移特性，测量了冲击电压下C4F7N/CO2混合气体中材料表面电位，比较了附加背板电极前后的表面电荷分布。研究表明，C4F7N/CO2混合气体与SF6中表面电位分布形态相似 ...
李金殊 +5 more
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Gaoya dianqi热态气体的临界击穿场强是评估高压断路器弧后电击穿特性的基础数据，文中研究了C5F10O/CO2混合气体在C5F10O混合比例k=0~10%、压强0.1~2.0 MPa、温度300~4 000 K范围内的临界击穿场强。基于质量作用定律数学模型，得到不同温度下混合气体的平衡组分，采用两项近似方法求解玻尔兹曼方程，分析混合气体的电子能量分布函数、折合电离和吸附系数，获得混合气体的临界折合击穿场强和临界击穿场强。结果表明：0.6 MPa下，温度低于3 000 K时，随着温度降低，k=0~10 ...
崔兆轩, 林莘, 徐建源, 李磊
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Dianci bileiqi, 2016 为确保±800 k V特高压直流输电线路带电作业的安全可靠进行,结合实际作业需要,提出了一种适用于特高压直流输电线路的等电位进出方式,通过建立三维有限元模型,计算典型工作位置的人体体表电场强度,分析作业路径的安全性;并采用电磁分析软件对电位转移电流进行分析。结果表明,作业过程中,作业人员体表最大电场强度为1 706 k V/m,在进入等电位过程中,采用电位转移棒能够有效降低电位转移时加在人体的冲击电流幅值,降幅高达86.7%,保护了人体及屏蔽装置的安全。
石凯 +4 more
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Gaoya dianqi盆式绝缘子作为气体绝缘金属封闭开关设备（GIS）中核心元件，在保证绝缘强度前提下，为了减小设备体积，减少SF6气体使用量，文中以工程实际GIS用盆式绝缘子为研究对象，基于沿面电场优化开展了紧凑型盆式绝缘子方案设计，重点研究了盆子中心导体处倾斜角度、高压屏蔽电极根部到盆子中心导体距离及盆式绝缘子侧壁角度对切向场强的影响。仿真结果表明，紧凑型盆式绝缘子凹、凸侧面切向场强呈现单双峰结构变化，凸侧面最大切向场强大幅上升，整体最大切向场强降低5.5%；中心导体处倾斜角度为6°～8°时，凹面侧最大切向场强取得极小值。
朱传运 +8 more
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Dianci bileiqi介电功能梯度绝缘子可以在不改变几何结构基础上，优化整体电场分布，提高沿面闪络电压。依据经典电磁场理论，得到梯度绝缘子电场分布特性及优化理论。针对盆式绝缘子，以降低沿面最大场强为优化目标，提出一种基于迭代计算的盆式绝缘子电场优化设计方案。结合电场优化理论及迭代算法流程，通过分析叠层数、介电常数上限及表层厚度等影响因素，对设计方案的电场优化效果进行对比研究。计算结果表明，对比匀质盆式绝缘子，体/表层梯度盆式绝缘子沿面最大场强降幅明显，最高可达34.37%、39.08%，优化效果显著，电场分布均匀性大大提升。
何柏娜 +8 more
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Gaoya dianqi, 2019 接地开关的静电场仿真计算可以指导产品的结构优化,从而缩短产品研发周期降低产品研发费用。为了得到接地开关表面电场,以承德特高压串补用串1 100 kV B类接地开关为样本,计算接地开关分闸状态下表面电场分布。首先依据设计尺寸利用SolidWorks软件对接地开关进行实体建模;然后依据三维有限元数值计算法对接地开关典型时刻下的电场电位进行了三维有限元仿真计算,得出其电位及表面电场分布;仿真结果显示高场强出现在辅助回路均压环、静触头均压环及动触头表面;接着对接地开关高场强区域进行了优化设计 ...
张志文 +4 more
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Gaoya dianqi, 2019 起晕场强是阀厅金具电晕控制的重要依据,针对±800 kV特高压换流站阀厅金具防晕设计裕度过大问题,在海拔高度分别为50 m和4300 m的试验室开展了管母线和屏蔽球的起晕电压试验。利用起晕电压试验、Peek公式和Ansys三维电场仿真计算结果,给出了±800 kV阀厅不同类型金具的防晕最小设计尺寸,并在此基础上提出了阀厅金具表面场强控制建议。建议±800 kV阀厅管形金具等效管径不小于150 mm、球形金具等效球径不小于800 mm、边缘倒角曲率半径不小于30 mm。提出±800 ...
毛艳 +4 more
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Gaoya dianqi, 2000 研究了运动水滴在球－球直流电场中的放电现象，对于含有水滴的电场分布进行了计算，水滴的引入使得水滴外表面的场强跃变为无水时场强的３倍左右，从而水滴在电场中会在较低的电压下诱发电晕，比较了正负极性电压下起晕现象。为水处理技术中的混合两相体放电问题提供了依据。
齐军, 叶齐政, 顾温国, 李劲
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