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为了对棒形悬式复合绝缘子断裂事故原因进行分析,借助于有限元软件,建立了220 kV复合绝缘子几何模型,对有内部缺陷存在时电场分布特性进行仿真分析。结果表明,气隙周围局部电场增大,且护套内外表面畸变程度不同,存在一个场强梯度,易引起护套击穿;随着气隙长度的增加,电场畸变程度有减弱趋势;水气渗入气隙后,绝缘子护套内外表面电场均减小,但仍存在较大场强差值。电场畸变严重将引起局部放电,若进一步发展会沿电场方向造成碳化通道,加上腐蚀性气体的影响,绝缘子机械性能会大大降低,易引起断裂。
刘晓伟, 张雪峰, 刘春翔, 龚浩
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LW13-550罐式断路器广泛应用于500 kV电网,运行可靠。但也出现了一些绝缘故障问题,故障情况是断路器在合闸和分闸状态,均可出现触头静侧或动侧屏蔽罩对外壳放电。经解体检查和返厂试验,认定故障原因是屏蔽罩下方的罐体内壁上的金属颗粒导致局部放电甚至绝缘击穿。为了定量分析金属颗粒尺寸与放电故障的关系,需要计算断路器内部的三维电场。笔者建立了断路器内有金属颗粒时的三维电场计算模型,用有限元法求解。三维电场计算结果表明:若罐体内壁直立的金属颗粒为高5 mm、直径1 mm的圆柱(顶部处理为半球形 ...
李世琼 +4 more
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高压绝缘套管是气体绝缘金属封闭开关设备(GIS)高电压与地电位绝缘的重要元件,其均匀的电场分布与合理的结构是GIS安全运行的保证。笔者针对252 k V GIS高压绝缘套管结构设计与电场分布问题,以电磁场理论为基础,通过建立高压绝缘套管电场分布计算的数学模型和基于ANSYS软件的套管电场分布的仿真分析,对套管接地内屏蔽附近电场分布对套管外表面局部区域电场强度的影响进行研究,并据此对套管内屏蔽进行结构设计。套管内屏蔽结构参数的优化结果表明,套管外表面的最大切向场强降低了约29%,使其绝缘性能有了明显的提高。
金立军 +4 more
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采用干燥空气替代SF6作为环网柜的绝缘介质满足了目前开关设备的环保型发展需求,但由于干燥空气绝缘强度远低于SF6,需要对产品的固体—气体复合绝缘的配合进行深入研究,目前这方面的系统性研究较少。文中首先采用不同形式的基础电极,研究了电场均匀度、气压和间隙对干燥空气间隙工频特性的影响,得到了不同均匀度条件下的最大击穿电场强度数据。针对实际产品的套管位置开展了仿真和试验研究,系统性分析了复合绝缘结构对最大电场强度位置和数值的影响。结果表明,间隙下的电场均匀度与最大场强关系可作为复合绝缘耐压特性的判据 ...
徐立新, 周柏杰, 谭东现
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为研究复合绝缘子伞裙破损对电场强度和电位分布的影响,以FXBW4-10/70型绝缘子为研究对象,应用有限元ANSYS软件分别建立了不同破损程度、不同破损位置的三维仿真模型,使用静电场分析法计算了相应沿面和干弧路径上的电位和电场强度。结果表明:低压型绝缘子电位分布相对均衡,且受长短伞裙影响呈阶梯状下降趋势;沿面路径上的最大场强出现在导线端伞裙尖端处;在伞裙与柱体的交界处,会发生场强的局部增加,靠近高压端的伞裙下表面的场强畸变最大;在分析不同破损程度时,沿面最大场强并不随着破损程度增加而增加 ...
祝贺, 赵浩然
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目前,大气压非平衡等离子体及其源的研究局限于弱(电场)电离放电范畴,存在等离子体浓度低、能耗高和体积庞大等问题。为此,研究非均匀强电场下电晕放电特性及其离子运动规律,以便解决上述问题,成为当务之急。该实验以自制的线点式等离子体发生器为例,研究其在非均匀强电场下的电晕放电特性及离子运动规律,结果表明:使用细电晕极,更易使空气电离产生负离子;通过数据模拟,得出此线点式电晕放电空间,负离子浓度可达到1014~1015个/m3,且电压越高,越靠近电晕区,场强越大,离子输运率越高,负离子浓度越大 ...
刘志强, 李鹏, 张文月, 李庆
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由于换流站阀厅在直流输电系统中的重要地位,其安全运行至关重要。因此其内部金具场强必须控制在一定范围内,防止电晕对设备运行的干扰。阀厅内部金具的表面电场计算对于阀厅金具的设计有着重要的指导意义。针对阀厅内部结构复杂造成的剖分困难,笔者结合某±800 kV换流站阀厅整体模型的表面电场计算,提出了区域化的剖分方法。该方法基于模块化与独立化的思想,便于分工操作,可操作性强,效率高。该方法下整体模型与子模型计算结果的对比表明,基于区域化剖分技术的整体模型计算结果具有较高的精度 ...
丁永福 +6 more
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在气体间隙引入固体绝缘介质的组合绝缘结构中,电极-气体-固体介质"三结合点"周边发生的电场畸变,在较低电压下就会发生电极边缘气隙中的局部气体电离,引起沿固体介质表面的沿面闪络,降低气隙放电电压。采用外屏蔽槽结构的电极,能够降低"三结合点"电场强度,减少沿面闪络发生概率,有效提升间隙放电电压。
陈仓 +5 more
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[Progress in electric field assisted molecular imprinting technology]. [PDF]
Wu JY, Huang XJ.
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[Progresses on temporal interference electromagnetic stimulation for non-invasive deep brain function modulation]. [PDF]
Zhou T, Yu P, Xu Y.
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