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本发明公开了一种宽谱光伏效应的双结太阳电池及其制备方法，该电池是在第一导电类型衬底的迎光面上依序具有一迎光面第二导电类型层和一介质钝化层，所述介质钝化层表面为广谱减反结构；在所述第一导电类型衬底背光面上依序具有一背光面第一导电类型层及一背光面第二导电类型层；在所述迎光面第二导电类型层上形成第一电极、在所述背光面第二导电类型层上形成第二电极、在所述背光面第一导电类型层上形成第三电极，构成所述双结太阳电池；相邻电池的同种电极相互连接，调整电压及并联，形成电池板组件的两端输出。利用本发明 ...
韩培德
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, 2011 当前聚光光伏系统存在很多问题,比如跟踪器的跟踪精度偏低、聚焦光斑强度分布不均匀、聚焦光斑的形状跟太阳电池不匹配等,二次聚光器可以解决这些问题,从而提高高倍聚光光伏系统的光电转换效率。对高倍聚光光伏系统中的菲涅耳透镜和二次聚光器的聚光原理进行了简要分析,重点对全反射式二次聚光器进行了二维聚光的理论分析,并配合非成像光学的光线追迹方法,设计并加工了应用于某高倍聚光光伏系统的全反射式二次聚光器。对该二次聚光器的主要性能进行了仿真分析及评价,结果表明:该聚光器能提高高倍聚光光伏系统的整体性能。
李望 +6 more
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Gaoya dianqi本研究将大语言模型技术应用于光伏故障诊断，搭建了一套支持自然语言交互的智能故障诊断系统。系统采用数据、逻辑、响应3层协同架构，通过定时任务持续同步实时运行数据，运用统计方法完成分析，并结合负载率指标实现设备与拓扑层面的异常监测。本研究的核心创新在于引入大模型的自然语言理解能力，运维人员可直接用日常语言查询和分析故障，系统能准确识别用户需求并给出专业诊断结果。系统还采用实时数据库缓存、预计算策略与多级容错机制，在保障诊断精度的前提下，将平均响应时间控制在800 ms以内。实际应用结果表明 ...
李红军 +4 more
doaj
, 2013 一种高灵敏度锑碱光电阴极和光电倍增管，该光电阴极灵敏度相对传统光电阴极有显著提升。该高灵敏度锑碱光电阴极包括光电阴极衬底，光电阴极衬底上设置有阴极增透层，阴极增透层上设置有锑碱光电阴极发射层。其中阴极增透层的折射率在2.3-2.6之间，可以大幅降低入射光损失，并可在一定程度将行进方向与入射光方向相反的电子反向 ...
孙巧霞 +7 more
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In_(0.4)Ga_(0.6)As/GaAs自组织量子点的光伏谱温度特性
, 2000 采用无需在样品上制备电极的电容耦合的光伏谱方法,实验测量了In_(0.4)Ga_(0.6)As/GaAs自组织量子点在不同的温度下的光伏谱,对测量谱峰进行了指认,研究了量子点谱峰能量位置随温度的依赖关系。实验结果表明,量子点具有与体材料及二维体系不同的温度特性,对实验所测样品,其激子峰能量随温度增加而红移的速率约为GaAs体材料带隙变化的1 ...
王占国 +5 more
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Gaoya dianqi, 2011 近日,在温州医学院茶山校区的学生会发现,教学楼顶上铺上了一排排蓝色的电池板,与周围的建筑相比,一副环保装扮。据了解,该校区有三栋教学楼的屋顶铺满电池板,由浙江正泰太阳能科技有限公司 ...
doaj
, 2003 本研究针对多晶硅p-n结光伏器件开展工作。基于倾斜光电转换器件的思想，倾斜本研究采用的光电转换器件使入射光线与器件表面法线成75度的夹角，从而使红外光在器件内形成多次全反射。这种内部全反射增加了光在器件内的光程，使得光在器件内的吸收得以增加。从采光的角度上发现，倾斜多晶硅光电转换器件可使器件的光电转换效率提高15%。此外 ...
徐嘉东, 衡扬, 李建明, 种明
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[Recognition of high-frequency steady-state visual evoked potential for brain-computer interface]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za Zhi, 2023 Luo R +5 more
europepmc +1 more source
[<i>Wuyou</i> Decoction alleviates hippocampal neuronal injury and improves synaptic plasticity in rats with chronic sleep deprivation by inhibiting ferroptosis <i>via</i> activating the Nrf2/HO-1 pathway]. [PDF]
Nan Fang Yi Ke Da Xue Xue BaoHe L +7 more
europepmc +1 more source
本发明公开了一种具备杂质深能级的晶体硅光伏电池的制备方法，包括：步骤1：在弱n型Si衬底表面制绒，形成绒面；步骤2：在该绒面上制备具有杂质深能级的n型Si层；步骤3：在具有杂质深能级的n型Si层上覆盖p型半导体薄膜，与n型Si层形成pn结；步骤4：对形成pn结的掺杂Si片进行高温退火处理，以激活杂质；步骤5：在p型半导体薄膜上制备p电极，在n型Si层上制备第一n电极，在弱n型Si衬底下表面制备第二n电极。利用本发明，以实现Si对红外光的更多吸收；以实现对电池内建电场的调节 ...
韩培德
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