Results 81 to 90 of about 302,862 (167)
, 2007 稀土掺杂二氧化硅（SiO2）胶体微球在光学、材料科学、生物学等领域具有广阔的应用前景。因此，制备和研究稀土掺杂SiO2胶体微球具有非常重要的科学和应用价值。利用单分散性SiO2胶体微球的自组装特性制备胶体光子晶体是制备三维光子晶体一种重要方法。本论文就SiO2胶体微球的制备、稀土掺杂和自组装等三个方面开展了研究工作。首先，采用两种制备方法（碱催化法和酸催化法）利用正硅酸乙酯的水解和缩聚反应研制了SiO2胶体微球，研究了焙烧过程中SiO2胶体微球微观结构的演化规律。详细给出了SiO2胶体微球的成核长大机制，
黄昌清
core
Dianci bileiqi对ZnO基压敏电阻进行了Y、Ce两种元素的共掺杂，通过改变Y和Ce之间的比例，寻找最优的Y、Ce共掺杂比例。通过X射线衍射仪、扫描电镜对样品的微观结构进行表征，利用对数正态分布概率密度函数对晶粒粒径分布进行了拟合。利用金属氧化物直流参数测试仪对样品的压敏电压、漏电流和非线性系数进行测量，利用脉冲电流测试设备测试样品的8/20μs雷电波残压比与2ms方波电流通流能力。采用精密阻抗分析仪测试样品的C-V特性曲线。研究发现当Y、Ce两种元素协同作用时，能使ZnO晶粒尺寸分布最优化。当两种稀土离子的比例合适时 ...
董建洪
doaj
, 2017 本申请公开了一种磷掺杂硅‑石墨复合材料，所述磷掺杂硅‑石墨复合材料中含有磷掺杂的N型硅和石墨。所述磷掺杂硅‑石墨复合材料为负极活性材料用于锂离子电池，能够抑制硅巨大的体积膨胀，具有高容量及良好的循环稳定性的优点。本申请还公开了上述磷掺杂硅‑石墨复合材料的制备方法包括步骤：第一步球磨：将硅与磷在球磨罐中球磨；第二步球磨：将第一步球磨产物与石墨粉末在球磨罐中进一步球磨。本申请还公开了含有上述磷掺杂硅‑石墨复合材料和 ...
黄世强, 沈彩
core
, 2011 利用固态反应法制备了具有铁磁性的Co掺杂CaO纳米粉末材料，并对材料的结构和磁学性质进行了研究.X射线衍射和高分辨率透射电镜测试结果表明，材料为单相的CaO立方结构，Co掺杂导致了晶格常数的减小，表明Co离子通过替位Ca离子融入了CaO晶格.磁性分析表明，该Co掺杂CaO纳米粉末表现出了明显的铁磁特性，临界温度高于70K.通过分析认为 ...
李晋闽, 赵婧, 夏庆林
core
本发明提供一种Cu掺杂p型ZnO薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：采用射频磁控溅射方法，将纯度为4N以上的ZnO和高纯Cu粉末混合压制成所需靶材；步骤2：在氩气和氧气混合气体环境中将靶材溅射沉积在衬底之上形成薄膜；步骤3：将形成薄膜的衬底进行退火处理，得到Cu掺杂的p型ZnO薄膜材料 ...
杨晓丽, 陈诺夫, 尹志岗
core
NiF2掺杂LiBH4-LiNH2-CaH2复合储氢材料及其制备方法
, 2014 本发明涉及一种NiF2掺杂LiBH4-LiNH2-CaH2复合储氢材料的制备方法，特别是利用NiF2掺杂改善LiBH4-LiNH2-CaH2体系放氢性能的储氢材料及其制备方法，属于改性技术领域。该复合材料通过机械球磨法制备而得，当NiF2掺杂量为5wt％时，体系在47°C开始大量放氢，主放氢峰温度为234℃，175℃时5000s内放氢量达到了3.75wt％，5h内放氢5.03wt％，200℃时5000s内放氢量达到了6wt％，270℃时1000s内放氢量达到了6.55wt ...
刘慧 +5 more
core
Gongye shui chuli双酚A（BPA）作为典型的内分泌干扰物，其高效降解一直是环境修复领域的研究热点。石墨相氮化碳（g-C3N4）因其独特的电子结构和光催化性能受到广泛关注，但其光生载流子复合率高、过一硫酸盐（PMS）活化能力有限等问题制约了实际应用。本研究通过钌（Ru）掺杂策略调控g-C3N4的电子结构，构建了高效的光催化-PMS协同降解体系。表征结果表明，Ru掺杂显著优化了g-C₃N₄的能带结构，增强了光生电子-空穴对的分离效率，并在材料表面形成了丰富的活性位点。Ru掺杂显著改善了g-C3N4的光电性能：可见光吸收边红移，
彭喜, 李向辉, 肖雅丹, 秦青
doaj
, 2002 用真空蒸发法在玻璃和单晶硅片上制备纯Zn和掺杂Zn薄膜，然后在高于450 ℃条件下进行氧化、热处理（玻璃衬底）获得良好的纳米ZnO薄膜和掺杂ZnO薄膜。对单晶硅衬底上制备的纯Zn薄膜在高于800 ℃温度条件下进行液态源掺杂，获得掺B和P纳米ZnO薄膜。实验表明，掺杂和热处理使纳米ZnO薄膜的结构、导电性能得到改善，有效地降低了纳米ZnO薄膜的电阻 ...
田野, 李海兰, 宋淑芳, 李健
core
Gongye shui chuli通过水热法成功制备了Cu/Bi2O2S（Cu/BOS）光催化剂，采用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射光谱（XRD）、紫外-可见漫反射光谱（UV-vis DRS）、光致发光光谱（PL）、电化学阻抗谱（EIS）及光电流响应等手段对催化剂进行了全面分析，考察了不同Cu掺杂量、催化剂投加量及H2O2浓度等对Cu/BOS+H2O2体系光催化降解结晶紫（CV）性能的影响，并探讨了该体系降解CV的作用机理。结果表明，Cu掺杂显著提升了BOS的光吸收能力并有效促进了光生载流子的分离。当Cu以1 ...
吴昊 +5 more
doaj
MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器
, 2000 利用低压金属有机金属化合物汽相淀积方法,以液态CCl_4为掺杂源生长了高质量C掺杂GaAs/AlGaAs材料,并对生长机理、材料特性以及C掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析。在材料研究的基础上生长了以C为P型掺杂剂的GaAs/AlGaAs/InGaAs应变量子阱半导体激光器结构,置备了高性能980 ...
马晓宇 +8 more
core