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Gaoya dianqi, 2018 为了研究SF6在不同类型负极性直流局部放电（partial discharge,PD）下的分解特性,进而建立SF6分解特性与缺陷类型之间的关联特性。在自建的SF6负极性直流PD分解实验平台上,通过系列实验研究得到了SF6在4种不同典型绝缘缺陷引起的负极性直流PD下的分解数据。研究表明:4种典型绝缘缺陷PD下SF6均会发生分解,生成CF4、CO2、SO2F2、SOF2和SO2这5种稳定组分,且4种缺陷下组分体积分数以及由分解组分构造而成的特征比值（简称特征组分比值）随放电时间均具有各自不同的变化规律 ...
唐炬 +6 more
doaj
Gaoya dianqi, 2019 局部放电是表征电力设备绝缘状态的最有效的手段之一,然而关于直流电压下XLPE电缆典型绝缘缺陷局部放电特征的研究较少。文中首先深入分析了直流下复合绝缘材料局部放电机理,总结了XLPE电缆常见缺陷类型及其原因。使用单芯XLPE电缆及其预制式接头制作了金属毛刺电晕缺陷、应力锥处半导电层沿面放电缺陷以及绝缘交界面气隙放电缺陷,在直流电压下进行阶梯式加压试验。基于高频电流法采集局部放电数据,获得了各缺陷不同放电严重阶段的多种典型特征,包括放电量-时间间隔-放电重复率三维图谱,前序放电量 ...
宣耀伟 +5 more
doaj
, 1999 本文采用集团模型和推广的Hucket分子轨道理论(EHMO)计算c-Si中Er点缺陷及Er-O复合缺陷的原子构型及电子结构。计算结果符合实验及一些文献的第一性原理计算结果,解释了Er有c ...
薛俊明 +6 more
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, 1990 草鱼卵巢细胞GCG经乙基甲磺酸(EMS)诱变，稳定表达3代以后，采取逐步提高培养基中6－巯基嘌呤（6－MP）的方法，获得对6－MP稳定抗性的细胞，暂定名FMR-1。本文比较了GCG细胞及FMR-1细胞在含6－MP(20μg/ml)和不含6－MP的培养基中生长曲线的特点，并对上述两种细胞的染色体数目、乳酸脱氢酶及葡萄糖－6－磷酸脱氢酶图谱进行了比较分析，最后对两种细胞在HAT培养基中的生长特点进行了平行对照实验，根据实验结果，可以初步判定FMR-1为草鱼HGPRT缺陷型细胞 ...
甘新生
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Gaoya dianqi, 2018 对GIS开展局部放电检测与分析,能为其绝缘状态的评估提供依据,另外根据放电谱图的特征还可对缺陷类型进行识别。绝缘件缺陷是导致GIS产生局部放电的典型缺陷之一,文中介绍了利用局部放电检测发现的几起GIS绝缘件内部缺陷,基于特高频检测技术准确判断了缺陷类型并对缺陷位置进行了定位,分析发现固体绝缘与金属件接触面上的气隙是产生局部放电根本原因,为该类缺陷的检测分析提供借鉴。
宋东波 +6 more
doaj
, 1998 回顾了缺陷识别反问题的发展状况，评述了几类典型识别方法：基于势函理论的电学法，静态BEM优化迭代法，射线法，T矩阵法，Born近似法，边界积分方程及边界元法。介绍了作者建立的裂纹及夹杂识别的迭代优化法 ...
陈卫江, 柳春图
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雷电及操作冲击电压下几种典型油纸绝缘缺陷模型局部放电特征图谱的分析与比较
Gaoya dianqi, 2017 在冲击电压试验同时进行局部放电测量,通过分析局部放电量大小,并结合分析放电特征,则可更灵敏地反映被试设备的绝缘故障类型和严重程度,有利于更加准确客观地反映被试品绝缘性能是否满足运行需要。文中首先对冲击电压下典型油纸绝缘电场分布开展了仿真研究,制作了4种典型油纸绝缘缺陷模型。其次采用自积分型罗可夫斯基（Rogowski）线圈型电流传感器测量局部放电高频电流。在雷电及操作冲击电压下对4种典型油纸绝缘缺陷开展了局部放电特征试验研究。试验结果表明:相同绝缘缺陷模型在不同电压波形作用下局部放电波形时域特性明显不同;
邱进, 陈江波, 吴士普
doaj
, 2007 研究了原生和高温退火处理后非掺n型和半绝缘InP单晶材料中产生的缺陷.在磷气氛下退火后，n型和半绝缘InP单晶中均明显产生相当数量的深能级缺陷，而在磷化铁气氛下退火后，InP的缺陷数量明显减少.在退火过程中缺陷的产生与磷和铁的内扩散有直接关系.向内扩散的磷原子和铁原子占据晶格中铟位后，分别产生反位缺陷和铁深受主.实验结果表明，铁通过扩散充分占据了铟位，抑制了铟空位、磷反位等缺陷的形成，而磷气氛下退火后产生的缺陷有铟空位、磷反位等 ...
董志远, 赵有文
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, 2013 本发明提供半导体材料表面缺陷测量装置及表面缺陷测量方法，属于半导体测试领域。装置包括样品台、原子力显微镜导电探针、电压源、压电激振陶瓷、光学显微镜系统、单色仪、光电探测器和锁相放大器，电压源、压电激振陶瓷均与原子力显微镜导电探针相连，单色仪相连、光电探测器、锁相放大器顺次相连；其方法步骤为：将待测样品放置样品台上；针尖产生一周期性的机械振动；待测样品的裸露表面产生一周期性的光；将待测样品所发出的光聚集至单色仪处进行分光；测量发光信号。本发明解决了现有技术中对测量半导体表面缺陷中电致发光光谱测量存在的问题，
钟海舰 +8 more
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Gaoya dianqi, 2014 SF6气体绝缘变电站（GIS）的状态监测技术在电力系统中得到越来越广泛的应用,并取得了显著成效。笔者研制了内置式UHF局放传感器及宽带信号放大器,利用退出运行的126 k V GIS设备,设计和建立了GIS状态监测实验平台,设置了内置传感器和典型绝缘缺陷;研究了尖端和悬浮间隙两种典型缺陷局部放电信号的时域、频域及PRPS谱图的典型特征。应用该平台能够完成GIS设备状态监测技术的研究开发、技能培训、仪器校验与比对等工作,能够真实模拟变电站运行工况、复杂电磁环境下各种设备典型缺陷 ...
段大鹏 +4 more
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