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, 2014 一种加速器电阻接电容的装置，该装置由加速电极片、电阻和电容组成。该结构电路设计简单，稳定性好，对光电子成像和质谱分析中的加速场均分电压具有重要的作用 ...
秦正波 +4 more
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Gaoya dianqi, 2010 避雷器并联均压电容可以降低其电压分布不均匀系数,但同时也会带来外套管径变大、电场分布变为非轴对称、性能难以检验及运行可靠性下降等诸多不安全因素,因此使用均压电容往往得不偿失。随着金属氧化物电阻片性能的提高,500 kV避雷器去掉均压电容已成为一种趋势。笔者研究了一种新型500 kV金属氧化物避雷器,通过合理设计均压环完全可以解决避雷器电压分布不均匀的问题。
晋文杰 +4 more
doaj
, 2000 反应气分配对车用质子交换膜燃料电池(PEMFC)性能的影响至关重要，不均匀的反应气分配将引起电池整体性能的降低及不均一的衰减。研究车用质子交换膜燃料电池不同操作条件下的分布特性，对提高其性能及寿命具有重要意义。 本文设计制备了PEMFC分式结构单池，发展了局部交流阻抗、电流分布、温度分布以及局部界面电势等局部定位测试手段，实现了对电池多个参数分布特性的在线同步测量。 在测试装置建立的基础上，本文首先研究了稳态条件下电池的分布特性，探明了电池电流分布规律。然后研究了动态加载过程中电池电压 ...
梁栋
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基于不同心体设计方法的±800 kV对接式直流穿墙套管电场分布规律研究
Gaoya dianqi, 2018 环氧树脂浸渍干式对接结构穿墙套管内绝缘由两个换流变干式套管电容芯体尾部对接而成,复合绝缘外套与电容芯体之间充SF6气体。电容套管的内绝缘即电容芯子为电气设计计算的关键部件,目前对电容式套管的主绝缘设计大多采用等电容和等裕度设计方法,两种芯子设计方法下对对接式直流穿墙套管的电场分布有不同的影响,因此讨论基于解析式的电容式套管内绝缘等电容和等裕度设计方法,仿真计算对接式直流穿墙套管不同芯子设计方法下的电场分布,得出对接式直流穿墙套管在不同芯子设计方法下的电场分布规律 ...
邓军 +5 more
doaj
, 2003 分别使用准Fermi能级和pn结模型决定VCSEL的有源层压降，建立了两种自洽确定VCSEL中电势及载流子分布的方法，针对电极电压变化笔氧化层限制孔径变化的两种情况，在阈值附近对器件中的结电压分布、载流子浓度分布和注入有源层电流密度分布进行了计算；针对两者所得结果的差异进行了简要的分析 ...
赵鼎, 林世鸣
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Gaoya dianqi高频变压器的分布参数会影响其输出参数及性能，推导高频变压器副边分布电容以及漏感的解析表达式，发现绕组的绕制方式、分段分层结构、绝缘层厚度、绕组高度、绝缘介质等是影响其分布参数的主要因素。针对40 kV、20 kHz的高频变压器建立了电磁场有限元仿真模型，分别计算和分析了各因素对分布电容及漏感的影响规律。优化副边绕组分段分层结构，综合考虑漏感、分布电容及绕组损耗确定变压器绕组的绝缘厚度及高度，并据此设计加工了实验样机。测试结果表明分布电容和漏感的仿真计算结果与实测值的误差分别为9.5%和11.3 ...
江进波 +5 more
doaj
Gaoya dianqi, 2003 利用ANSYS软件的电磁分析功能对252kVGIS电容式电压互感器（CVT）电场分布情况进行了分析和研究。通过分析法兰和金属导杆的形状和位置对电场分布的影响,对CVT的绝缘结构进行了优化。
曹庆文 +3 more
doaj
, 1997 提出了一种严格校准调制光电流相移的方法,在此基础上,采用调制光电流相移分析技术研究了不掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜费米能级以上隙态密度及其分布的光致变化效应。实验发现，光电流相移的校准对确定隙态密度及其分布是至关重要的。除了校准测试系统的相移频率特性外，还需考虑样品本射电阻、电容等参数的影响，否则会使隙态密度偏低1-2个数量级，经严格校准的光电流相移测试，a-Si:H的隙态分布在导带边以下约0.43eV处观察到一个峰，可能是双占据悬挂键D~-中心引起的。光照引起浅态减小，深态增加 ...
夏传钺 +4 more
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Gaoya dianqi, 2018 为查明某换流站交流滤波器断路器均压电容器径向击穿的故障原因,利用ATP/EMTP对换流站第四大组交流滤波器进行建模,同时考虑均压电容器电容分布及外部污秽的影响,计算故障均压电容器绝缘筒内外壁电位差、故障点与断路器静触头电位差。仿真结果表明:均压电容器壁厚不足和外部污秽是导致径向击穿的根本原因。最后,采用三维有限元法仿真计算均压电容器内外电场分布,提出增加均压电容器壁厚或改用瓷外套均压电容器的整改方案。
黄和燕 +5 more
doaj
, 2010 用Silvaco的ATLAS软件模拟了栅场板参数对AlGaN/GaN HEMT中电场分布的影响. 模拟结果表明,场板的加入改变了器件中电势的分布情况,降低了栅边缘处的电场峰值,改善了器件的击穿特性;场板长度(L_(FP), length of field plate)、场板与势垒层间的介质层厚度t等对电场的分布影响很大. 随着L_(FP)的增大、t的减小,栅边缘处的电场峰值E_(peak1)明显下降,对提高器件的耐压非常有利.
张明兰 +3 more
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