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Gaoya dianqi, 2014 将区域分解技术与有限元数值求解方法相结合,对于含有多重介质、薄均压屏蔽结构、非对称并联电容器组的252 kV SF6断路器灭弧室内部全场域进行三维电场数值计算。对比分析了区域分解技术对场域数值求解的影响,解决了大场域电场求解精度与求解效率的矛盾。给出了3种不同并联电容器组灭弧室绝缘配置方案,并对有无并联电容器组作用下的灭弧室内部电场进行对比分析,得到了灭弧室内部电场分布、触头沿面电场分布以及场均匀度的定量描述,找到了全场域绝缘薄弱点。
刘晓明 +3 more
doaj
Gaoya dianqi, 2010 基于后退欧拉法和变分原理推导了非线性的时域有限元电场计算方程。利用时域有限元方法分析了含不同应力控制管时的电缆终端电场分布。分析结果表明,采用由电容性和非线性电阻性材料复合绝缘结构的应力控制管时,电缆终端的电场分布最为均匀。
宫瑞磊 +4 more
doaj
, 2011 本发明涉及一种质子交换膜燃料电池分式端板结构，包括绝缘母板和n个子集流块，n≥2的正整数，所述绝缘母板上设置有凹槽，子集流块镶嵌于绝缘母板的凹槽内，镶嵌了子集流块的绝缘母板的一侧表面整体铣平后，雕刻有正常的反应气流场；所述子集流块上设置有垂直穿过绝缘母板的导电金属集流棒；穿过绝缘母板的集流棒的一端与质子交换膜燃料电池的电流输出导线相连，导线上设置有电流互感元件。与现有技术相比，本发明最大的优点就是可通过循环水灵活控制电池温度，同时拉紧铣平后雕刻流场也保证了与正常流场板的相似度。总之，本端板设计在集流场板、
洪有陆 +5 more
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本发明公开了一种电容装置，包括：一个由多晶硅栅、栅氧及连接到一起的源、漏和N阱构成的PMOS电容，其中源、漏和N阱连接到电容装置的A端口，多晶硅栅连接到电容装置的B端口；同一层金属之间的第一电容，该同一层金属由两个连接到电容装置A端口和B端口的金属叉指构成；相邻层金属之间的第二电容，其中上层金属叉指与其投影下方的金属叉指分别连接到电容装置的A端口和B端口；MIM电容，具有上极板和下极板，上极板和下极板分别连接到电容装置的A端口和B端口。本发明通过在MOS电容上实现同层金属之间的电容、相邻金属层之间的电容、
吴南健, 冯鹏
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特高压换流变压器阀侧套管缩比模型典型缺陷下电场分布特性仿真研究
Gaoya dianqi换流变压器阀侧套管内部混入金属颗粒、电容芯体产生裂纹是目前常见的故障，研究套管在不同电压下的电场分布规律以及缺陷对电场分布的影响对于套管的优化设计及故障分析具有重要意义。文中以±800 kV特高压换流变压器套管为原型，建立了±72.5 kV环氧浸纸电容式套管仿真模型，计算套管在交直流电压下的电位分布和电场分布，并研究了两种缺陷对于套管电场的影响。结果表明套管含金属颗粒或裂纹缺陷时，对于电场的畸变影响较大。研究结果为后续缩比套管模型不同缺陷局部放电试验的分析提供了基础 ...
司文荣 +7 more
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, 2015 本发明涉及一种用于超级电容器的分级多孔碳电极材料及制备方法。该孔径分级分布的多孔碳制备方法的特征为：介孔分子筛SBA-15做模板，N,N-二甲基甲酰胺做溶剂，沸石咪唑化合物ZIF-8做碳源，在高温下进行炭化得到孔径分级分布的多孔碳。以该碳材料做电极的超级电容器表现出优异的倍率性能。800℃炭化得到的孔径分级分布的多孔碳材料在100mV/s的扫速下比电容达到200F ...
薛荣, 阎景旺, 姜靓
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污秽潮湿条件下ACF瓷柱式断路器直流泄漏电流和直流电压分布规律研究
Gaoya dianqi, 2018 为了模拟交流滤波器瓷柱式断路器开断容性负载后直流电压分布,在人工气候室开展污秽潮湿环境下断路器双断口直流电压分布规律及电压—电流特性研究,在不同断口污秽比值与环境湿度条件下,通过直流高压发生器使断路器双断口同时承受直流高压,测量断口泄漏电流及断口间直流电压。试验结果表明:环境相对湿度达到90%及以上时,断路器2个断口由于污秽分布不均引起瓷套表面电导率不一致,导致开断容性负载后负载侧的直流电压大部分集中在同一个断口上,且随着相对湿度提高,断口泄漏电流会出现急剧增加的拐点。此外 ...
张长虹 +5 more
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Dianci bileiqi, 2019 提出在110 kV线路杆塔横担与避雷线之间加装限流线圈,以提升线路耐雷水平的防雷方法。为验证其防雷效果,建立了限流线圈有限元模型,精确计算了线圈的分布参数,搭建了考虑线圈分布参数模型的110 kV线路落雷模型,研究了线圈电感、对地电容及匝间电容对计算结果的影响,结果表明:合适的限流线圈电感为0. 1 m H,无需人为补偿对地电容及匝间电容,加装电感为L0的限流线圈后,入地雷电流陡度下降了28. 8%,线路耐雷水平提升了12.
李志忠 +6 more
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Dianci bileiqi, 2017 信号电涌保护器（surge protective device,SPD）对信号传输的影响,主要表现在暂态抑制二极管（transient voltage suppressor,TVS）的分布电容上,通过对平衡信号SPD和非平衡信号SPD电路的原理分析,将信号SPD等效为两端口网络,利用两端口网络的T参数模型,采用理论与试验相结合的方法,试验结果得出:当TVS的分布电容值一定时,退耦电阻的阻值对幅频特性曲线-3 d B和-6 d B处的频率影响较小;退耦电阻的阻值一定时,随TVS分布电容值的增加,-3 d ...
李祥超, 陈良英, 张静, 薛奇
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