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空心球形类石墨相C3<-sub>N4<-sub>和单质硫复合材料及其制法和应用

open access: yes, 2017
本发明提供了一种空心球形类石墨相C3N4和单质硫的复合材料及其制备方法和应用。具体的,本发明提供的复合材料,包括空心球形类石墨相C3N4和单质硫,其中,所述单质硫以颗粒形式分布于所述空心球形类石墨相C3N4的内部和-或表面。所述复合材料作为锂硫电池的正极材料,能够有效克服碳材料表面疏水到导致的难以吸附多硫化合物的问题 ...
韩伟强, 孟阵
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无单放货法律责任的例外情形 [PDF]

open access: yes, 2005
传统的海商法理论和实践认为,无单放货是伤害托运人利益的行为,需要承担严格的无单放货责任。但随着航运业的发展,仍然按照传统的做法,不考虑具体情形,将任何形势下的无单放货责任全部归结为承运人,无论从理论还是从实践上看都存在不合理之处。根据无单放货的具体情况来分析 ...
王小晖
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同步辐射单色器晶体面形控制技术研究

open access: yes, 2008
由于波荡器的引入,电子能量的提高和电子束团发散度的极度减小,第三代同步辐射光源所产生的辐射功率和功率密度比第二代光源提高两个数量级,高热负载将导致光束线各挡光元件性能降低甚至失效。单色器作为同步辐射装置最主要器件,对X射线起单色化的作用,它的分光元件的分光结果决定着实验站的最终成败。而分光元件对高热负载极其敏感,较低的功率密度都将引起非常大的分光元件形变。本论文以单色器的分光元件—衍射晶体面形变为主轴,着重做了以下几方面的工作: 1.
屈卫德
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单模量子级联激光器线阵列结构

open access: yes, 2010
一种单模量子级联激光器线阵列结构,其特征在于,该结构包括:一衬底;多个脊形单元,该多个脊形单元依序纵向制作在衬底上,形成脊形结构列;一隔离层,该隔离层制作在多个脊形单元和衬底的表面,该隔离层在该多个脊形单元的上表面为断开,形成电注入窗口;一上欧姆接触层,该上欧姆接触层制作在隔离层以及电注入窗口上;一下欧姆接触层 ...
刘峰奇, 刘俊岐, 高 瑜, 王占国
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稳定可调谐的单纵模多环形腔掺铒光纤激光器

open access: yes, 2008
提出了一种多环形腔(MRC)结构的稳定可调的单纵模(SLM)掺铒光纤激光器,多环形腔结构由双环形有源腔和两个次级无源腔组成。这种激光器是利用光纤法布里-珀罗可调滤波器(FFP-TF)以及光学光栅滤波器(OGF)两种滤波器和多环形腔结构相结合来共同选模。可实现波长调节范围为1528~1565 nm,在整个波长调节范围内边模抑制比大于44.53 dB,在1554 nm附近边模抑制比可以达到最大值51.18 dB, 输出功率为-8.84 dBm,通过应用多环型腔结构,激光器的输出很稳定,在18 ...
鞠昱   +8 more
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选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器

open access: yes, 2001
报道了采用选区外延生长技术制作的可实用的单脊条形电吸收调制DFB激光器。激光器的阈值为26mA,最大光功率可达9mW,消光比可达16dB。减小端面的光反馈后,从自发发射谱上观察不到波长随调制电压的变化,调制器部分的电容为1.5pF,初步筛选结果显示阈值、隔离电阻、消光比基本没有变化,可应用在2.5Gb ...
王圩   +8 more
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环境因素对植物单宁形成的影响      

open access: yes, 2009
植物单宁在维管束植物中的含量仅次于纤维素、半纤维素和木质素居第四位,是陆地生物量碳的重要组成部分,其形成受多种生物和非生物因素,如养分、水分、CO2、光照、温度以及环境污染的影响.本文就其影响因素进行了综述,并对其未来的研究方向进行了展望.
邵宏波   +3 more
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低阈值级联双区脊形波导单量子阱激光器

open access: yes, 1996
报道了低阈值联双区脊形波导单量子阱激光器的制备,介绍了它的直流输出特性、光双稳特性、光谱波长调谐和高频调制PS特性。该激光器激射波长约为850nm ...
徐遵图   +8 more
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InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析

open access: yes, 2010
利用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)分别研究了InAs单晶抛光片的表面形貌和化学构成. 结果表明:机械化学抛光工艺条件和清洗腐蚀过程对InAs单晶抛光片表面的化学组分构成和表面粗糙度有很大的影响. 通常情况下, InAs单晶抛光片的表面氧化层中含有In_2O_3、As_2 O_5、As_2 O_3及元素As, 而随着As的挥发, 使抛光片表面化学计量比明显富铟.
王俊   +4 more
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室温单电子晶体管的制备方法

open access: yes, 2013
本发明涉及一种室温单电子晶体管的制备方法。该方法为:在衬底表面上加工形成单电子晶体管的源极、漏极和栅极,并通过不同试剂的修饰处理令该衬底表面上的电极区域和非电极区域分别负载异种电荷,从而在衬底上形成静电漏斗结构;至少将该衬底表面置于纳米粒子的分散液中,令纳米粒子在静电漏斗的引导下排布在单电子晶体管的源极与漏极之间;对衬底进行干燥处理,并在该衬底表面上覆设绝缘层。本发明的优点至少在于:克服了当前单电子晶体管量子点尺寸过大、量子点排列无序及不具备大规模制备单电子晶体管的能力等方面的问题 ...
李加东, 吴东岷, 谢杰
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