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局部放电严重程度评估是一个多目标决策问题,考虑不同特征参数之间非线性关系,提取局放特征参数并进行严重程度评估是文中核心。通过搭建实验模型,对固体绝缘开关柜典型气隙缺陷下产生的局放发展过程进行了试验研究,构造出不同局放发展阶段的φ-u散点图和φ-n谱图,提取表征局放严重程度的9个特征参数,并对各特征参量与局放发展阶段的物理含义进行分析,得出不同程度局放下各个特征参数值区间,应用神经网络算法,构建固体绝缘开关柜局部放电严重程度评判系统,避免了仅考虑单一因素导致评判结果的不合理性问题 ...
徐卫东 +3 more
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半导体光导开关(PCSS)是集成了光电导体和超快脉冲激光的一类新型光电复合器件。从1975年问世以来随着半导体材料和工艺水平的进步以及fs激光选通技术,光导开关超快响应(ps量级的半峰宽)、超高能量(MW)、微小抖动、GHz重频等优点逐步被人们发现并在超宽带雷达、THz发生器、大功率电磁脉冲等领域展现了广泛的应用前景。本文首先简单介绍了光导开关的基本理论和工作原理,描述了其工作过程中不同的物理状态和相关参数,并提出了划分光导开关类别的不同标准。详细记述了光导开关制备的工艺流程 ...
景争
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开关柜内接触发热是造成柜内导体过热及绝缘损坏的主要原因。以典型箱式固定式开关柜XGN2-12/3150为研究对象,利用三维建模软件Solidworks及有限元分析软件ANSYS中进行开关柜接触发热温度场数值仿真。对额定电流运行时不同接触电阻造成局部过热状态下的高压开关柜温度场分布进行了数值计算和比较,计算分析认为隔离开关旋转触头、断路器触头、母排压接接头处的局部发热最高温度随接触电阻的增加呈线性增大趋势。在接头附近设置的温度监控点的温度与实际最高温度间的温差随接触电阻的增大而增大 ...
王秉政 +5 more
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本发明提供了一种具有金属绝缘体转变功能的器件的制备方法,该方法采用由底电极-高价金属氧化物-顶电极构成的三明治结构器件,该高价金属氧化物中的金属元素是具有多价态的元素,且其低价氧化物具有金属绝缘体转变特性;通过在电场作用下驱动该高价稳定金属氧化物中的氧离子迁移以及微区电退火的方法,在高价金属氧化物体相中形成具有金属绝缘体转变功能的低价金属氧化物,从而制得具有金属绝缘体转变功能的器件。与现有技术相比,该方法简单有效,制得器件的金属绝缘体转变均一、迅速 ...
刘钢, 薛武红, 李润伟
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本实用新型涉及移动机器人技术领域,特别涉及一种应用于多工况绝缘子串检测任务的爬行机构。包括本体框架及设置于本体框架上的上下串开合机构、柔顺机构及移动机构;其中上下串开合机构用于抱紧绝缘子串,实现爬行机构上串与下串;柔顺机构位于上下串开合机构的内侧,用于与绝缘子伞裙边缘处柔性接触;移动机构通过夹紧绝缘子铁帽以及抵住绝缘子伞裙截面,实现爬行机构的移动。本实用新型爬行平稳,可靠性强,可沿着悬垂、水平以及具备较大倾斜角度绝缘子串运动 ...
王洪光, 张天宇, 潘新安
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为了实现气体绝缘开关柜的绝缘介质由SF6向干燥空气等环保型气体转变,开发一种结构小型化、绝缘水平满足要求的干燥空气绝缘开关柜中使用的固封极柱是亟需解决的问题。文中分析了40.5 kV SF6固封极柱置于干燥空气绝缘开关柜中的相间及对地电场分布,结果显示灭弧室动、静端盖板以及绝缘拉杆附近的气—固沿面电场严重超标,易造成沿面闪络。依据气—固复合绝缘理论,采取增加均压屏蔽网、改进绝缘壳体外观结构、重新设计绝缘拉杆等措施进行电场优化。通过仿真分析,优化设计后的固封极柱灭弧室端盖附近沿面最大场强由3.4 kV ...
李龙江, 吴小钊, 李俊豪
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本文提出了一种简便可行的全内反射交叉型半导体光波导开关模型分析方法。该方法采用波动光学的原理,分析了全内反射型(TIR)开关中导波模式的传输和反射特性,采用反射率和透射率计算了开关的消光比、串话、损耗等性能与波导结构参数之间的关系,并考虑了波导吸收系数对开关性能的影响。对全内反射条件下Coos-Haenchen位移也做了讨论。中文核心期刊要目总览(PKU)中国科学引文数据库(CSCD)004233 ...
林雯华, 庄婉如, 王德煌
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本实用新型涉及绝缘子检测机器人技术领域,特别涉及一种绝缘子检测变胞机器人机构。包括蠕动式移动机构、变胞夹持机构Ⅰ及变胞夹持机构Ⅱ,其中变胞夹持机构Ⅰ和变胞夹持机构Ⅱ对称设置于蠕动式移动机构两侧,变胞夹持机构Ⅰ和变胞夹持机构Ⅱ通过交替夹持绝缘子串钢帽,固定检测变胞机器人本体,从而实现蠕动式移动机构的爬行动作。本实用新型能够有效地实现对绝缘子串的夹持和在绝缘子串上移动的任务,并且很好的适应不同绝缘子串钢帽位置变化,提高作业效率,保证整体检测机器人结构轻便紧凑,减轻作业人员劳动强度 ...
王洪光 +4 more
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在返回式卫星上搭载生长砷化镓单晶,Hall分析表明空间生长的砷化镓单晶呈半绝缘特性。空间生长的半绝缘砷化镓单晶的结构特性得到了明显改善,均匀性提高。与地面生长的半绝缘砷化镓单晶相比,空间生长的半绝缘砷化镓单晶的化学配比及其均匀性得到了显著改善。以空间生长半绝缘砷化镓单晶为基底,采用直接离子注入工艺制造的模拟开关集成电路的特性好于地面材料 ...
山田正良 +4 more
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GIS技术与高压开关柜技术相结合诞生了以较低压力SF6气体作为绝缘的充气柜(C—GIS),因而就涉及了非○形圈气体密封问题,这种密封一般也是气体静密封,压力在0.2MPa(表压)以下。密封结构示意见图1,机理是在壳体上加工一个凹台,盖板上加工一个形状与之相配的凸台,凹台和凸台的平,面为密封面,在该两密封面之间放入密封条,当盖板紧固螺钉拧紧时,密封条受到压缩,分别压紧凹台和凸台的密封平面,达到密封气体目的。盖板结构示意见图2。
王平
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