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本发明涉及移动机器人技术领域,特别涉及一种应用于多工况绝缘子串检测任务的爬行机构。包括本体框架及设置于本体框架上的上下串开合机构、柔顺机构及移动机构;其中上下串开合机构用于抱紧绝缘子串,实现爬行机构上串与下串;柔顺机构位于上下串开合机构的内侧,用于与绝缘子伞裙边缘处柔性接触;移动机构通过夹紧绝缘子铁帽以及抵住绝缘子伞裙截面,实现爬行机构的移动。本发明爬行平稳,可靠性强,可沿着悬垂、水平以及具备较大倾斜角度绝缘子串运动 ...
王洪光, 张天宇, 潘新安
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一种使用生长半绝缘砷化镓的石英管在砷化镓中掺碳的方法,包括如下步骤:步骤1:将7N Ga和7N As进行多晶合成,形成GaAs多晶;步骤2:将合成好的GaAs多晶、籽晶和B2O3放入PBN坩埚;步骤3:将PBN坩埚放入石英管的石英体中;步骤4:将纯石墨固定在石英管的石英帽上的石英槽内;步骤5:将石英体和石英帽盖合,抽真空,用氢氧焰焊接石英管的石英体和石英帽;步骤6:将焊接后的石英管放入VGF单晶炉,进行气氛掺杂,单晶生长;步骤7:将晶体生长后的PBN坩埚放入甲醇内浸泡,得到GaAs单晶 ...
占 荣, 惠 峰, 赵有文
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环氧树脂作为空气绝缘开关柜主要的绝缘材料,在高温、高湿地区运行时容易受到昼夜温差的影响,环氧树脂表面易出现严重的凝露现象,可能会引起表面闪络影响到开关柜的正常运行。本研究以E-51型环氧树脂作为基体,MTHPA为固化剂,制备酸酐类交联体系环氧树脂样品。通过建立凝露放电平台模拟开关柜运行过程中环氧树脂表面凝露放电现象,并采用静态接触角、扫描电镜(SEM)、红外光谱(FTIR)等方式对样品进行分析。结果表明:随着温差、湿度、污秽度的增加,环氧树脂表面凝露质量也随着增加,且温差对凝露质量的影响最大 ...
彭豪 +4 more
doaj
采用JF5440-1G高机械强度多胶粉云母带制备了高压电机模拟线棒,研究了线棒主绝缘的介质损耗、介质损耗增量、电气强度、电寿命、导热系数、力学性能和耐冷热循环等性能,并与桐马主绝缘进行了比较。结果表明:高机械强度多胶粉云母带模拟线棒主绝缘的介电性能与桐马绝缘相当,导热系数 ...
夏宇 +5 more
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一种固体激光器用YAG棒的固定方法,包括如下步骤:在一矩形的YAG棒热沉的一表面纵向开有一上圆弧凹槽;在矩形的YAG棒热沉的上圆弧凹槽的两边错开纵向开有多个细孔;将YAG棒居中放在YAG棒热沉的上圆弧凹槽里;用不锈钢丝依次穿过YAG棒无氧铜热沉上圆弧凹槽两边的细孔,将YAG棒固定在YAG棒无氧铜热沉上;在半导体激光二极管热沉的一表面纵向开有一与YAG棒热沉的上圆弧凹槽对应的下圆弧凹槽;将半导体激光二极管阵列封装在半导体激光二极管热沉上的下圆弧凹槽内 ...
冯小明 +4 more
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对比了硅酸钙绝热材料的两种制备方法,即一次静态水热合成法和动态水热合成法;综述了利用固体废物制备硅酸钙绝热材料的现状;分析了反应前固体废弃物的处理方法、水固比、外加剂类型、反应温度和时间、纤维掺入量、粗细和长短、成型和干燥工艺、体积密度等对硅酸钙绝热材料性能的影响。由此提出一个新的研究领域,即以电石泥渣为钙质原料,采用一次静态水热合成法 ...
郭武明, 崔崇, 苗福生, 马海龙
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随着经济社会发展与用电需求的剧增,大电流固体开关柜的研制成了当下热点。文中以某型大电流固体开关柜为对象,通过有限元仿真软件对其三维模型进行温度—流体场仿真研究。模拟分析采用不同导热率环氧树脂、优化散热风道前后的固体柜温升分布,并通过型式试验对比验证仿真方法的有效性。研究结果表明:固体柜发热部位集中在上转接头、动触头、T型导体、软连接及真空泡动静端,其中以真空泡动端温度最高。优化后的固体柜,柜内气流流速增强,发热点温升大幅降低。研究结果为大电流固体开关柜的研制提供新的方法和思路。
黄泽平 +6 more
doaj
本发明提供一种输电线路悬垂绝缘子串更换装置,包括固定安装支架、爬行驱动机构、前作业手臂以及后作业手臂,其中固定安装支架一侧的安装座连接在输电线路塔材上,另一侧通过两根绝缘杆连接在输电线路上;爬行驱动机构通过爬行驱动轮及辅助支撑轮安装在绝缘杆上;前作业手臂具有两个自由度,安装在爬行驱动机构的电气箱体上;后作业手臂具有三个自度,安装在爬行驱动机构的电气箱体上;在对输电线路悬垂绝缘子串进行辅助更换作业时,爬行驱动机构通过驱动行走轮在绝缘杆上移动,前后作业手臂到达预定位置后 ...
王岩 +9 more
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对高温退火非掺磷化铟(InP)制备的半绝缘晶片的电学性质和均匀性进行了研究,非掺低阻N型磷化铟晶片分别在纯磷气氛和磷化铁气氛下进行930 ℃、80h退火均可获得半绝缘材料。但在这两种条件下制备的两种50mm半绝缘晶片却呈现出不同的电学性质和均匀性。纯磷气氛下制备的磷化铟片的电阻率和迁移率分别达到10~6Ω·cm和1800cm~2/(V·s);而在磷化铁气氛下退火获得的半绝缘片的电阻率和迁移率分别高达10~7Ω·cm和3000cm~2/(V·s)以上。对这两种半绝缘片和原生掺铁磷化铟半绝缘片的PL ...
焦景华 +4 more
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一种纳流体晶体管的制备方法,包括:在衬底上生长一层电热绝缘材料层和基底材料层;用光刻和干法刻蚀的方法去除基底材料层的四边,形成制备侧墙的基底;在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层;去除基底材料层上表面的和电热绝缘材料层表面的侧墙材料层,形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙;去除基底材料层;在该侧墙材料层的一条边上搭上一条制作纳流管道的抗腐蚀绝缘材料层;再在抗腐蚀绝缘材料层上搭上一条制作栅电极的抗腐蚀的金属层;去除侧墙材料层,保留抗腐蚀绝缘材料层和抗腐蚀的金属层,形成一纳流管道 ...
杨富华 +3 more
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