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Gaoya dianqi, 2019 接地开关的静电场仿真计算可以指导产品的结构优化,从而缩短产品研发周期降低产品研发费用。为了得到接地开关表面电场,以承德特高压串补用串1 100 kV B类接地开关为样本,计算接地开关分闸状态下表面电场分布。首先依据设计尺寸利用SolidWorks软件对接地开关进行实体建模;然后依据三维有限元数值计算法对接地开关典型时刻下的电场电位进行了三维有限元仿真计算,得出其电位及表面电场分布;仿真结果显示高场强出现在辅助回路均压环、静触头均压环及动触头表面;接着对接地开关高场强区域进行了优化设计 ...
张志文 +4 more
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Gaoya dianqi, 2019 深井接地极因占地面积小,选址容易的优点,具有很高的工程实用价值。由于单根深井接地极最大对角线距离不到1 m,明显不宜直接采用规程推荐的5倍对角线距离人工布线测量接地电阻。为此,文中建立了直流深井接地极模型,仿真计算了其接地电阻和地表电位分布,基于之提出了电流极距离要求;建立了深井接地极注流、电流极回流的模型,研究了接地电阻测量过程中深井接地极和电流极共同作用下的地表电位分布规律;结合深井接地极接地电阻的仿真计算值,分析获得了电压极的布置要求。改变电流极和电压极的位置,研究了测量误差与布线距离之间的关系 ...
陈家峰 +6 more
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Dianci bileiqi, 2013 为确保风电场电气设备和工作人员人身安全,接地设计需要有合格的接地电阻值、接触电压和跨步电压值。在接地电阻满足安全值的情况下,如果接地设计不合理,地面上还是可能产生超过允许值的接触电压和跨步电压。降低接触和跨步电压的一般方法是增设水平接地网和在地表铺设高阻率土壤层,但风电机组所处自然环境特殊,受地形限制,不易过多扩大接地网面积。在不增加接地网总长度的情况下采用不等间距法布置地网导体,或者改变地基与接地网的相对位置可显著降低地表最大接触电压,提高地网安全水平 ...
宋景博 +4 more
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Gaoya dianqi, 2016 气体绝缘金属封闭输电线路（GIL）凭借着自身优势,在近年来得到很大发展。为了保证GIL使用安全,需要对其外壳接地进行合理的设计和布置。笔者介绍了GIL两种接地方式及各自特点,利用MATLAB Simulink建立三相分体式GIL等值计算模型,结合某800 kV/4 000 A GIL产品参数进行仿真计算,研究了GIL外壳电位分布特征,探究了导流排布置数量、接地点间距对外壳电位及接地点入地电流的影响。计算结果表明,GIL外壳电位呈现出端部高中间低的"V"字形分布;在GIL端部设置导流排对降低外壳电位 ...
王亚楠 +6 more
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Dianci bileiqi, 2018 雷电对风电场的正常运行构成了严重威胁,需要详细研究雷电浪涌对其危害。利用PSCAD软件搭建简单风电场模型,分析风机塔筒高度对塔底雷击暂态电位的影响,讨论接地系统互连情况下连接电缆敷设方式、雷击点位置、土壤电阻率对浪涌传播的影响。仿真结果表明:风机塔筒越高,塔底雷击暂态电位越大,波形振荡越明显;接地系统互连能够降低塔底暂态电位,但效果并不显著,连接电缆敷设方式对于降低暂态电位幅值几乎没有效果;采用互连接地系统时,浪涌会传播至其他相连风机,距离雷击点越远的风机,塔底入地电流和暂态电位幅值越低;土壤电阻率增大,
张琳波, 赵明
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Dianci bileiqi, 2008 变电站遭受雷击后,易导致电力系统的微机保护和综合自动化设备损坏,严重影响了电力系统的正常运行。分析了雷击地网干扰侵入自动化系统的途径,利用EMTP软件仿真模型,分析了雷击变电站时地网电位的分布情况以及二次电缆不同接地方式的屏蔽效果。结果表明:采用方孔地网,增加垂直接地极,采用二次电缆屏蔽层两端接地的方式,可以有效地屏蔽雷击引起的地电位干扰,提高变电站运行的安全性和可靠性。
陶蓉 +4 more
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Gaoya dianqi暂态地电压（TEV）检测是测量开关柜局部放电的常用方法之一，然而由于现场接地系统布置等原因，其信号时常在设备间出现串扰，从而给放电源的定位带来困难。针对该问题，分别构建了单体开关柜与变电站开关室并排开关柜的电磁仿真模型，探究了在放电源未知的条件下单体开关柜暂态地电压信号的最佳测量点，以及多台开关柜共用接地体时的放电源定位方法。仿真结果表明，在放电源位置未知的条件下，柜体正面中下方的测量点位具有最佳的测量效果；对于共用接地体的并排开关柜，各柜对于同一放电脉冲的响应幅值随其与放电源的距离增加而显著衰减 ...
谢荣斌 +4 more
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Dianci bileiqi, 2019 为获得特高压直流电场作用下的盘型悬式绝缘子带电积污特性及其污秽离子成分特征,在±800 kV宾金线浙江段选取3基典型环境杆塔,同塔设置高电位污秽测试串、地电位污秽测试串,积污1年、2年后开展等值盐密、等值灰密测试,对绝缘子积污带电系数、电场对污秽增长的影响进行了分析,并对积污2年时绝缘子上、下表面的离子成分进行了研究。结果显示,绝缘子积污2年时等值盐密、等值灰密带电系数分别为1. 54、1.
李特 +5 more
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[Progress in electric field assisted molecular imprinting technology]. [PDF]
Se PuWu JY, Huang XJ.
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[Localizing target for transcranial electrical stimulation in epilepsy patients combining scalp electroencephalogram and neural computational model]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za ZhiLiu Y, Li C, Han Y.
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