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, 2006 设计了一种新型的与MS/RF CMOS工艺全兼容、带深n阱(DNW)、浅沟槽隔离(STI)的双光电探测器,分析了其工作机理,用器件模拟软件ATLAS对其暗电流、响应电流、光调制频率响应和波长响应进行了模拟.采用TSMC 0.18 μm MS/RF CMOS工艺进行了流片,对芯片进行了暗电流和响应度的测试.模拟和测试结果均表明,该探测器与常规双光电探测器相比 ...
黄家乐 +3 more
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[Determination of 40 carbonyl compounds in ambient air by high performance liquid chromatography-triple quadrupole mass spectrometry]. [PDF]
Se PuLi GH +8 more
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, 2017 石墨烯因其高的比表面积、优异的导电性、高的电子迁移率和特殊的二维柔性结构,过去十余年在能源领域引发了极大的关注,电化学储能领域被认为是最有可能在短期内实现石墨烯规模应用的产业领域,特别是在超级电容器和电池领域。本文回顾了近年来石墨烯在超级电容器和电池中的应用,介绍了石墨烯导电剂和储能材料在超级电容器中的应用,以及石墨烯在锂电池电极材料和涂层铝箔中的应用。指出了目前石墨烯材料的品质和成本问题仍是严重制约它在储能领域规模化应用的核心要素。未来,迫切需要石墨烯全产业链的协调合作,推进石墨烯储能材料的研发 ...
阮殿波 +5 more
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[Research progress of electroactivity graphene-based materials in bone repair]. [PDF]
Zhongguo Xiu Fu Chong Jian Wai Ke Za ZhiKang R, Yuan W, Zhu Y.
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, 2012 本发明公开了一种可作为电极材料的复合材料,该复合材料具有由多个单层石墨烯片层与多个单片层的金属氢氧化物和/或金属氧化物相面对面交叠而成的层状结构,各单层石墨烯片层与单片层的金属氢氧化物和/或金属氧化物之间通过静电相互作用结合。将本发明复合材料用作超级电容器、固体平板电容器、锂电池等储能器件中的电极材料时,能有效提高储能器件储能密度,并且本发明复合材料不含有毒的过渡金属氧化物,安全性好,制备方法简便,适于大批量制备,成本低 ...
靳健, 王磊, 陈新江
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, 2007 一种燃料电池适配器，其结构为：DC/DC模块的输入端与燃料电池的输出端连接，该模块的输出端分为三路：其中一路通过一可控开关及传感器与负载连接，另一路通过一可控开关和虚拟负载相连接，还有一路和二级稳压变压电路的输入端连接；二级稳压变压电路的输出端和控制器及充电电路的输入端连接；充电电路的输出端和蓄电池连接；蓄电池通过一可控开关及传感器和负载连接；传感器的输出端和控制器的输入端连接；控制器的输出端分别连接三个可控开关及充电电路的控制端。本发明结构简单，体积小，性能可靠，特别适用于质子交换膜燃料电池 ...
孙公权 +5 more
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, 2005 研究了脉冲电源以脉冲电晕放电方式向反应器注入能量时的时间不均匀特性，阐述有效时间、有效平均功率等概念后分析了单针型针板式反应器中脉冲电晕放电功率与电流保持一致的时间特性。实验测得脉冲电源的单次脉冲时间为0．01～0．1 s，平均功率为5～30W；有效时间约10μs，有效平均功率为15-60kW，比平均功率大3个数量级。有效时间内脉冲电晕放电过程以较大功率向反应器注入能量，有效平均功率是表征有效时间内脉冲电晕能量有效注入过程的平均量 ...
陈勇
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, 2010 本发明公开了一种用于低电压差分信号接收的接口电路，该电路包括前级差分放大器对(101)、信号选择电路(102)和双端转单端及电平转换电路(103)，其中，前级差分放大器对(101)的两个输入端子VINP、VINN接收输入整个电路的低电压差分信号LVDS;前级差分放大器对(101)的输出信号VN1、VN2、VP1、VP2进入信号选择电路(102);信号选择电路(102)的输出(CMP、CMN)进入双端转单端及电平转换电路(103);双端转单端及电平转换电路(103)输出VOUT信号。利用本发明 ...
陈陵都, 丁光新
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, 2000 一种燃料电池组输出电压调整方法，其特征在于：在整个电池组中加装１～６个单元的备用电池，每单元备用电池包括１～５个单电池；当总电压低于额定值的下限时，部分或全部备用电池接入电路工作；当电池组输出电压高于额定值上限时，再切除这些备用电池。本发明易于实现，可靠性高 ...
袁权, 毕可万, 衣宝廉, 孙德尧
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本发明公开了一种低偏置电压下具有增益的硅光电探测器,包括：Si衬底；在该Si衬底第一表面依序形成的硫系元素过饱和替位掺杂的n+型Si层和第一电极,该硫系元素过饱和替位掺杂的n+型Si层与Si衬底构成第一半导体结；以及在该Si衬底第二表面依序形成的第二半导体结和第二电极。本发明同时公开了一种制备低偏置电压下具有增益的硅光电探测器的方法。利用本发明,由于将激光掺杂改变为离子注入加激光辐照,在重掺杂区域内使杂质尽可能多地形成了过饱和替位掺杂,进而可以保持Si表面整洁,适合器件芯片的微电子工艺加工 ...
韩培德
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