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Dianci bileiqi, 1976 半导体釉棒型绝缘子试制成功后,其机电性能经过鉴定,完全满足原试制协议指标的要求。实际工频干闪电压达到171.5千伏,工频湿闪电压达到129.5千伏,工频雾闪电压>100千伏,工频污闪电压>75千伏,抗拉破坏负荷达5.9吨。鉴定结果表明该产品有明显的耐污性能:电场分布均匀、无局部放电现象,烘干作用显著,与普通釉棒型绝缘子相比,污闪电压提高2.5倍,认为该产品可投入线路上试运行。
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基于PSCAD的500kV武—察同塔双回输变电工程内过电压仿真分析
Gaoya dianqi, 2015 为满足500 k V武—察输变电工程系统调试需要,文中利用PSCAD电磁暂态仿真软件,在系统调试方式、正常运行方式及检修方式下对500 k V武—察输变电工程系统启动过程中工频过电压、控制电压、潜供电流与恢复电压进行计算分析,以便为工程实施提供理论依据,为运行提供参考。
栗向鑫, 曹斌, 张鹏, 吴志敏
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Dianci bileiqi, 1997 以一个110kV系统为例，应用EMTP对变压器中性点的工频过电压和雷电过电压进行了计算和分析。结果表明，采用MOA完全能满足变压器中性点保护的要求。
王晓彤, 刘文泉, 施围
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FS4—10千伏避雷器采用非均匀放电间隙提高湿工放电压的理论分析
Dianci bileiqi, 1978 为使FS4—10千伏避雷器的干湿工频放电电压符合标准规定,本文通过理论分析提出采用非均匀放电问隙来提高湿工放电压。
张雨时
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Dianci bileiqi电容式电压互感器（CVT）作为重要的一次在线监测设备，在超特高压电力系统中得到了广泛的应用。通过CVT的监测过电压波形，可为系统的故障定位和排查提供重要依据。然而，由于CVT的设计原则主要面向工频电压测量，在测量宽频带的雷电过电压时，内部动态元件及非线性元件导致测量波形的畸变，给故障分析带来了巨大的挑战。本文以某500 kV交流线路发生的非常规过电压录波为典型案例，根据实际参数开展了雷击形式推断分析，研究了在雷电过电压下CVT本身录波产生的畸变以及其自身产生的铁磁谐振过程 ...
郭桐玮 +7 more
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Dianci bileiqi, 2006 通过试验,分析了8/20脉冲次数及电流峰值对ZnO压敏电阻工频耐受性能的影响。在脉冲次数及电流峰值不同的情况下,电阻体内部发生结构性变化,导致其工频耐受性能发生变化。当脉冲电流峰值未超过某一临界值时,工频耐受时间随着冲击次数的增加而延长,超过此临界值时,工频耐受时间随着冲击次数的增加而缩短;在8/20脉冲次数一定的条件下,工频耐受时间也随电流峰值的递增呈现先延长后缩短的趋势。
韩伟, 王建文, 孟梅, 何欣
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Dianci bileiqi, 2015 在高（中）压系统的故障引起的暂时过电压和频繁的操作过电压作用下,低压电涌保护器（SPD）在供电线路中会出现工频短路电流,严重时出现燃烧损坏,利用实验方法研究SPD与不同类型脱离装置的匹配方式。依据IEC 61643-11:2011、IEC 61643-1:2005和GB18802.1—2011标准中给出的供电电源的预期工频短路电流幅值与企业标称的预期工频短路电流幅值,模拟实际应用环境中SPD的使用状态,研究SPD在3种常用的匹配方式下的损坏现象。在实验结果的基础上,分析3种匹配方式的损坏机理 ...
张利华 +4 more
doaj
[Development and electrophysiological validation of a temporal interference transcranial magnetic stimulation system for mice]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za ZhiCui C, Wang T, Zhang Y, Zheng W, Xu G.
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[Construction and practice of the "Construction Supports Competitions-Competitions Nurture Teaching-Teaching Promotes Learning" closed-loop innovative teaching mode： a case study of micro-plasma emission spectrometer setup and trace element analysis experiment]. [PDF]
Se PuXue WY +8 more
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[Study on the electric field transmission characteristics of conducted-electrode tumor treating fields]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za ZhiLiu K, Zhang J, Shi J, Fang H, Li X.
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