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利用深能级瞬态谱(DLTS)研究分子束外延n-Ge_0.2)Si_(0.8)/Si应变超晶格,观察到两个与位错有关的深中心,其中一个能级位置在E_C=0.42eV,另一个随着偏压变化而发生明显 的移动,深能级位置从E_C=0.21eV变化到E_C=0.276eV,我们认为是内应力引起的。取该深能级的流体静压力系数γ=6.59meV/Kba,求出超晶格中的应力分布与计算值符合较好 ...
彭长四, 封松林, 肖剑飞
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结合某航空工程结构试验背景,利用有限元法对塑性变形下的配合螺纹进行仿真及应力特性研究,指出了在塑性变形下配合螺纹的应力分布特点,并对比区别未发生塑性变形下配合螺纹的应力分布特性;以前面3螺纹齿高为优化变量,采用Workbench软件,以齿根最大应力相等为优化目标,对配合螺纹齿高参数进行优化设计。优化结果表明,连接螺纹在塑性变形不一致的情况下,要使应力与齿高对载荷分配之间达到等强度匹配,则需保证前端3螺纹齿高基本一致,且齿高约为原齿高的2/3;随着齿高的增加,齿根最大应力以及相互牙根应力差也随之增大 ...
崔继强 +4 more
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在人体新鲜椎骨(8个脊柱样本,160个椎体骨试样),整体静力学实验的基础上,通过有限元分析,确定了人体椎体松质骨的力学性质:E=188±30N/mm~2,v=0.20,校核实验表明,此结果是可靠的。进而分析了在弹性极限条件下椎体的应力分布,得出相应极限压力应为σzm=5.53±0.15N/mm ...
杨企文 +3 more
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对一艘138 000m3薄膜式LNG运输船的液货舱热维护系统进行了稳态传热分析,计算获得了在8种工况下船体各部分的温度分布,在此基础上对船体结构进行了热应力分析。通过分析比较满载航行工况下的结构应力和温度应力 ...
莫鉴辉 +4 more
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高压断路器灭弧室瓷套发生断裂故障将严重影响电力设备及系统的安全稳定运行,为了研究灭弧室瓷套的应力分布情况,基于有限元多场耦合理论建立了灭弧室瓷套的电-热-结构仿真模型,计算了瓷套在重力、内压力、外拉力和热应力等静态载荷作用下的应力分布情况,基于Kaimal谱理论和AR法建立了动态风载荷作用模型,分析了瓷套在风力动态载荷下的应力分布情况及最大拉应力变化规律。根据断裂力学相关理论,推导出了计算瓷套临界裂纹尺寸的数学模型,确定了瓷套在无风力载荷和有风力载荷作用下的临界裂纹尺寸 ...
肖鱼
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目的研究不同组分的双层结构全瓷冠的应力分布,以指导临床方案设计和选材。方法建立下颌第一磨牙双层结构全瓷冠的三维有限元模型,对下颌第一磨牙沿牙体长轴方向垂直和水平施加401.4N的最大咀嚼力,获得不同组合全瓷冠的应力云图,并分析各个组分的应力分布情况,计算不同材料组合的双层全瓷冠的应力值。结果加载应力主要作用在饰瓷层,基底瓷和基牙受材料弹性模量影响较小;饰瓷-基底瓷界面和粘接剂界面应力受不同材料弹性模量影响较大;受颊向侧向力时应力集中区有向颊侧边缘转移的趋势,且基牙及各界面应力较垂直加压时急剧增加 ...
潘颖菁, 陈振宇, 黄达鸿
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利用偏振差分透射谱测量了2英寸圆形GaAs晶片、自支撑GaN衬底和蓝宝石衬底等的双折射分布,通过弹光效应换算得到了晶片内部残余应力分布.测量得到的应力反映的是晶片各个点的[110]和[110]方向的应变差.实验测量得到的GaAs晶片和自支撑GaN 衬底的[110] 和[110]的应变差最大可以达到10~(-5)数量级.蓝宝石衬底的可以达到10~(-6)数量级.因此TDS可以对透明或者半透明晶片的应力分布实现快速、实时、无损 ...
陈涌海, 周振宇
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利用Ansys软件建立了高压开关设备用矩形槽O形密封圈模型,对该O形密封圈的变形和应力分布状况进行了数值模拟分析,研究了其工作时的受力、变形及密封效果。对该O形密封圈在不同压缩率、不同充气压力下的内应力及密封面接触应力分布进行了探讨,确定了仅考虑应力作用下O形密封圈材料容易失效的位置,并得出充气压力在1.6 MPa以下时O形密封圈没有被挤入上、下法兰间隙。
涂德华, 魏雅君, 张鑫
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轴心受拉柱脚节点在实际工程中应用比较普遍,本文对该节点受力性能进行有限元分析,研究锚栓所受拉力、底板位移和应变,得出底板下应力分布与底板抗弯刚度有关,在底板绝对刚性时,底板保持平面,底板下应力均匀分布;在此基础上又提出该节点的有关设计公式,并进一步对该节点受力性能进行参数分析,讨论底板厚度和加劲肋设置对其受力性能影响,为实际工程设计提供参考。
刘沈如, 张其林
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运用有限元法,研究了电缆终端应力锥安装错位时的高压静电场的分布和数值大小,计算了加载110 kV恒定电压于电力电缆上时,其终端的静电场分布与数值。应力锥正确安装时,覆盖电缆半导电层为60 mm,分析了应力锥覆盖电缆半导电层50、46、73 mm的电场分布和半导电层末端周围的电场畸变。最后对不同模型的仿真结果进行了比较,得出,应力锥安装过盈时,即覆盖半导电层超过60 mm,电场畸变严重,在工频下存在剧烈的局部放电现象。通过现场试验,验证了有限元分析结果的正确性。
陈成伟, 刘刚, 陆国俊, 王劲
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