Results 101 to 110 of about 1,282,225 (155)

[Design and implementation of a multi-protocol fusion wireless access point for internet of medical things]. [PDF]

Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za Zhi
Liu B, Sun J, Liang H, Zhao Y, Cao D, He K, Zhang Z.   +6 more
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[Staged comprehensive limb reconstruction strategy and effectiveness analysis for severe open lower leg injury]. [PDF]

Zhongguo Xiu Fu Chong Jian Wai Ke Za Zhi
Yin L, Du Z, Duan W, Liu J, Zhao Z, Zhou M, Li X, Liu X, Zhang J, Fan H, Lin Y, Wen Y.   +11 more
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原子氢辅助分子束外延生长对GaAs材料性能的改善

, 2000
利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了常规分子束外延和原子氢辅助分子生长的掺杂Si和Be的GaAs同质结构样品中缺陷的电学特性。发现原子氢辅助分子束外延生长的样品中缺陷的浓度与常规分子束外延生长的样品相比有明显的降低 ...
宁东, 王海龙, 汪辉, 朱海军, 王晓东, 郭忠圣, 封松林   +6 more
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[<i>Shenqi Xiezhuo</i> Decoction ameliorates renal fibrosis in rats by inhibiting excessive autophagy <i>via</i> modulating the ERK1/2-mTOR signaling pathway]. [PDF]

Nan Fang Yi Ke Da Xue Xue Bao
Lu X, Pang T, Liu Y, He X, Li Z.
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异丙肾上腺素逆转普罗帕酮对室上性心动过速的电生理作用

Zhongshan Daxue xuebao. Yixue kexue ban, 1995
应用心内电生理检查。对９例可诱发持续性室上性心动过速（ＳＶＴ）病人进行电药理学试验，结果发现：静脉注射普罗帕酮延长房室及室房传导间期，延长房室及室房传导系统功能不应期，使８／９病人不能再诱发持续性ＳＶＴ；静脉滴注异丙肾上腺素（ＩＳＯ）能逆转普罗帕酮的电生理作用，并使１／８病人重新诱发持续性ＳＶＴ，５／８病人非持续性ＳＶＴ的持续间期延长，ＩＳＯ逆转普罗帕酮效应能被普萘洛尔阻断。研究提示，在交感神经兴奋状态下，即使口服经临床电药理学试验证实有效的药物，部分病人仍可能复发ＳＶＴ ...
doaj  

[Duchenne muscular dystrophy-associated cardiomyopathy: advances in diagnosis and management]. [PDF]

Zhongguo Dang Dai Er Ke Za Zhi
Gu J, Liu YH, Hong SQ.
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双异质外延SOI材料Si/γ-Al_3O_3/Si的外延生长

, 2003
利用MOCVD（metalorganic chemical vapor deposition）和APCVD（atmosphere chemical vapor deposition）硅外延技术在Si(100)衬底上成功地制备了双异质Si/γ-Al_2O_3/Si SOI材料。利用反射式高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）及俄歇能谱（AES）对材料进行了表征。测试结果表明，外延生长的γ-Al_2O_3和Si薄膜都是单晶薄膜，其结晶取向为（100）方向，外延层中Al与O化学配比为2:3。同时，γ-
王俊, 王建华, 谭利文, 王启元, 林兰英, 郁元桓, 邓惠芳   +6 more
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[Clinical study of Ilizarov technique combined with "joystick technique" in treatment of fourth brachymetatarsia]. [PDF]

Zhongguo Xiu Fu Chong Jian Wai Ke Za Zhi
Liang J, Feng E, Guan H, Chen P, He J, Huang W, Xu Y, Xie J.   +7 more
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低温分子束外延生长GaAs单晶的材料特性

, 1996
对低温分子束外延生长的GaAs单晶进行了理论分析的实验研究,结果表明,低温分子束外延长的GaAs单晶中密度大约为10~(20)cm~(-3)的过量As原子,这些As原子主要以间隙原子对As的形式位于正常的As格点位置,使LTMBEGaAs单晶的晶格常数相对于SI-GaAs单晶衬底增加约为0.1%.高于300℃的退火即可命名使间隙原子对As_(2i)离解,使过量的As原子形成沉淀.随着退火温度的增加,As沉淀向外延层界面处集中.在外延层界面处As沉淀团与GaAs单晶形成的载流子耗尽区相互重叠 ...
王玉田, 林兰英, 何宏家, 陈诺夫   +3 more
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[Prospects and mechanistic insights into the use of recombinant human growth hormone in the treatment of pediatric inflammatory bowel disease]. [PDF]

Zhongguo Dang Dai Er Ke Za Zhi
Zhang LD, Li J, Yu Y, Xiao Y.
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