Results 71 to 80 of about 1,282,225 (155)
四川大学学报. 自然科学版, 2008 容延迟移动传感器网络DT-MSN(Delay Tolerant Mobile Sensor Networks)是一种具有容延迟,非持续连接,数据传输率非对称和出错率高等特点的新型无线传感器网络.本文提出了一种在容延迟移动传感器网络中基于传染病模型的代码分发(Code Dissemination)机制,从而实现了在容延迟性网络环境下节点在线更新,并通过仿真对这种代码分发机制性能进行了分析.
周虹宇, 周激流, 林锋
doaj
, 2019 目的:了解外资企业员工的拖延水平,探讨经验性回避和心理资本与拖延水平的关系。方法:选取两家外企员工共388名(男198名,女190名),采用纯粹拖延问卷(PPS)、接纳与行动问卷第二版(AAQ-Ⅱ)、心理资本问卷(PCQ)分别测量拖延、经验性回避和心理资本水平。结果:外资企业员工的PPS得分为(25.0±8.9)。逐步回归结果表明,经验性回避得分与拖延得分正向关联(β=0.50 ...
宋莉莉 +4 more
core +2 more sources
Zhongshan Daxue xuebao. Yixue kexue ban, 2002 【目的】探讨老年患者麻醉恢复延迟的原因。【方法】选取222 例择期手术老年患者, 术毕收入麻醉后监测治疗 室(PACU), 并分析性别、年龄、手术时间、全身麻醉、收入PACU 状况、患恶性肿瘤等对患者麻醉恢复时间(t r)的影响。【结 果】222 例患者, 平均t r=(76.17±45.95)min , 性别、全身麻醉对t r 无影响(P >0.05);年龄、手术时间与tr 正相关(r = 0.23, 0.33 , P
黄雄庆 +4 more
doaj
, 2016 基于IMC(内模控制)框架,本文研究了具有随机不确定性时延的FOPDT(一阶时延)对象的最优IAE性能问题及其PID优化设计方法。这是传统的确定性优化方法无法解决的问题。首先,在IMC(内模控制)框架下,借用麦克劳林展开式和一阶泰勒近似,获得了内模控制器及其参数与PID控制器参数之间的关系式。从概率角度出发,通过求解实现IAE性能均值最优化的内模控制器及其参数,并利用上述关系,得到了相应的最优PID控制器参数整定规则,减少了传统参数整定方法的保守性。随机时延参数FOPDT对象的仿真 ...
杨晓栋, 章垚, 黄春庆
core
99m Tc-MIBI 与201T1 肺肿瘤阳性显像 在原发性肺癌的比较
Zhongshan Daxue xuebao. Yixue kexue ban, 2000 【目的】评价99mTc-MIBI 与201T1 肺肿瘤显像在原发性肺癌诊断中临床意义。【方法】28 例肺癌患者进行了201T1 早 期( 15 min)与延迟( 3 h)肺肿瘤平面显像,其中 23 例有同期的99mTc-MIBI 显像资料; 勾画各时相前位图像上病变部位( T)及对侧 正常肺组织(N)的感兴趣区, 计算摄取比值( T/N)及滞留指数[ RI=(延迟 T/N-早期 T/N)×100/早期 T/N) ] , 并取病灶部位放 射性较正常肺组织摄取明显增高为阳性指标进行定性分析。【结果】99m
岳殿超, 陈维安, 吴克宁
doaj
, 2001 利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物，Mn_(27)Si_(47)和Mn_(15)Si_(26)。俄歇电子谱谐深度组分测量结果表明，在单晶Si的表面淀积了一薄层厚度约为37.5nm的Mn，另一部分Mn离子成功注入进Si基底里，注入深度为618nm。在840℃条件下在流动N_2气氛中对生长样品进行退火，X射线衍射结果表明退火后Mn_(27)Si_(47)和Mn_(15)Si_(26 ...
刘志凯 +6 more
core
四川大学学报. 自然科学版, 1976 用于脉冲压缩的色散延迟线最重要的性能是其群延迟特性。本文讨论了一种由测量调幅波包迹相移来测量群延迟的方法。初步分析了裂频选取、色散度与量测误差的关系,结出了实验电路及其初步测试结果,在0.1—60兆赫的频段上,测量0.2—100微秒的时延,测量精度大约为0.1微秒。
doaj
Guangtongxin yanjiu, 2007 文章研究了周期线性变化的一维光子晶体的色散补偿特性。根据周期性介质中电磁场在界面处的传递规律,利用传输矩阵方法分析了不同频率的光波在周期线性变化的一维光子晶体中的反射特性,结果表明这种光子晶体对于不同频率的光波成分具有不同的延时,利用这种延时特性,可以制作用于密集波分复用（DWDM）系统的色散补偿器件。
邹建华, 汪静丽, 陈鹤鸣
doaj
, 2002 通过TEM截面像和平面像的观察，对于用低压金属有机化合物气相外延（LP-MOVPE）法在GaAs（001）衬底上制备的立方相GaN外延层中的缺陷结构进行了观察和分析。结果表明，在立方GaN/GaAs（001）外延层中存在很高密度的堆垛层错，层错密度及其宽度在相互垂直的（110）方向上有明显的差异 ...
沈晓明, 冯志宏, 杨辉, 渠波
core
, 2004 使用MBE方法在Si(111)衬底和Si-SiO2-Si柔性衬底上生长了GaN外延层,并对在两种衬底上生长的样品进行了对比分析.在柔性衬底上获得了无裂纹的外延层,其表面粗糙度为0.6nm.研究了GaN外延层中的应力及其光学性质,光致发光测试结果表明柔性衬底上生长的外延层中应力和杂质浓度明显低于直接生长在Si衬底上的样品的值 ...
李晋闽 +6 more
core