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Dianci bileiqi, 2016 高海拔低气压地区的环境受污情况十分严重,而空气间隙电弧和沿面电弧在低气压下的差异报道较少。以玻璃三角板和针板间隙为模型,研究了电弧在两种情况下的直流放电过程,发现染污沿面直流电弧颜色为红黄色,且电弧存在飘弧现象;空气间隙电弧颜色为绿白色,发出很强绿光,且电弧会发生"游走"现象,电弧的颜色将变为红白色,然后变为紫白色,最后回到针板之间,电弧颜色变回绿白色。研究同时发现,随着气压的降低,染污沿面直流电弧与空气间隙直流电弧E-I特性曲线都会向下移动,但两者仍然存在差异:在同等条件下,染污沿面直流电弧的E ...
苏咏梅, 王振宇
doaj
, 2012 研究了采用MOCVD技术分别在100与500Torr反应室压力下生长的非故意掺杂GaN薄膜的光学与电学性能。研究表明,低压100Torr外延生长条件可以有效地降低Ga与NH3气相反应造成GaN薄膜的碳杂质沾污,从而抑制造成光致发光中黄光峰与蓝光峰的深受主的形成,所制备的材料表现出较好的光学性能。同时,不同生长压力下的GaN薄膜表现出相异的电学性能,即在500Torr下生长的样品通常表现出更高的载流子浓度((4.6～6.4)×1016 cm-3)与更高的迁移率(446～561cm2/(V.s))
韩军, 冯雷, 范亚明, 邢艳辉
core
Dianci bileiqi, 1994 配电系统中ＭＯＡ特性对其限压性能和动作负载的影响很大。本文以弧光接地过电压为例，研究ＭＯＡ特性参数与其限压性能、能量吸收和流过电流之间内在的关系和规律，为ＭＯＡ限压性能和动作负载的校核提供一种方法和理论依据，所得结果可供ＭＯＡ的选型和设计制造参考。配电系统，ＭＯＡ，特性，限压性能 ...
李谦, 王晓瑜, 招誉颐
doaj
, 1986 电压--频率变换器,它具有一个由差分放大器构成的积分器,一个电平可控脉冲发生器,一个开关控制器和一个精密电荷分配器.该精密电荷分配器是由三个开关,一个定电荷电容,一个参考稳压管,一个充电电阻及一个负电源组成的.该定电荷电容放完电后,通过上述充电电阻,在上述差分放大器的反相输入端和上述负电源之间积分充电到上述参考稳压管的击穿电平而完成定电荷的.较之已有的积分定电荷反馈复原型电压--频率变换器的定电荷方式优越,提高了变换器的精度,稳定性和高频性能 ...
唐军
core
, 2001 介绍了利用过滤电弧离子镀沉积(TiAl) N 薄膜初步的研究结果。在电弧靶材前沿的磁场作用下, 有效 减小了薄膜的宏观颗粒尺寸, 并极大地降低了颗粒密度。同时, 过滤电弧的作用, 使偏压对膜成分的影响减弱, 薄膜的硬度随膜中铝含量的增加而提高, (TiAl) N ...
薛明伦, 李成明, 张勇, 曹尔妍
core
本发明公开了一种低偏置电压下具有增益的硅光电探测器,包括：Si衬底；在该Si衬底第一表面依序形成的硫系元素过饱和替位掺杂的n+型Si层和第一电极,该硫系元素过饱和替位掺杂的n+型Si层与Si衬底构成第一半导体结；以及在该Si衬底第二表面依序形成的第二半导体结和第二电极。本发明同时公开了一种制备低偏置电压下具有增益的硅光电探测器的方法。利用本发明,由于将激光掺杂改变为离子注入加激光辐照,在重掺杂区域内使杂质尽可能多地形成了过饱和替位掺杂,进而可以保持Si表面整洁,适合器件芯片的微电子工艺加工 ...
韩培德
core
, 1985 本文在给定喷管几何尺寸及储气缸压力后数值计算小电流时超音速喷管中冷气流对电弧的冷却效果,算出温度,速度沿轴向及径向分布,并考虑了层流及湍流两种情况。计算表明,超音速情况的湍流动量和能量交换可有效地灭弧 ...
薛明伦, 顾琅
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, 2003 本研究针对多晶硅p-n结光伏器件开展工作。基于倾斜光电转换器件的思想，倾斜本研究采用的光电转换器件使入射光线与器件表面法线成75度的夹角，从而使红外光在器件内形成多次全反射。这种内部全反射增加了光在器件内的光程，使得光在器件内的吸收得以增加。从采光的角度上发现，倾斜多晶硅光电转换器件可使器件的光电转换效率提高15%。此外 ...
徐嘉东, 衡扬, 李建明, 种明
core
Gaoya dianqi电力系统中大量可再生清洁能源的引入在带来电能高效利用的同时也对系统控制与保护用直流断路器提出了新要求，尤其在光伏发电领域中光伏发电系统电压等级的攀升导致光伏发电用直流断路器需要承受更高的电压（>1 500 V），混合式直流断路器的出现解决了高电压下难分断的问题。在混合式直流断路器中IGBT的快速响应为直流开断快速性提供了基础，而直流微型断路器作为机械开关时能够在分断过程中使得电弧电压较短时间内上升至IGBT导通电压实现换流。通过在DC 1 000 V系统中验证混合式直流断路器的开断迅速的优势后 ...
熊德智 +4 more
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