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改性的薄SOS膜CMOS器件辐射加固特性

, 2005
利用注硅固相外延的方法对0.2μm SOS薄硅膜材料进行改性,并制作了单管pMOSFET,nMOSFET及54HC04电路.测量了单管的迁移率,并对样品进行了瞬态辐射实验和总剂量辐射实验,发现用改性后的SOS薄硅膜材料制作的电路,不仅具有同标准0.5μm SOS材料制作的电路相当的动态特性,而且具有很好的抗瞬态辐射能力 ...
刘忠立, 高见头, 李宁, 于芳
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锑化物高电子迁移率晶体管及其制造方法

本发明公开了一种锑化物高电子迁移率晶体管，包括：一衬底；一复合缓冲层，该复合缓冲层生长在衬底上；一锑化物下势垒层，该锑化物下势垒层生长在复合缓冲层上；一沟道层，该沟道层生长在锑化物下势垒层上；一锑化物隔离层，该锑化物隔离层生长在沟道层上；一掺杂层，该掺杂层生长在锑化物隔离层上；一上势垒层，该上势垒层生长在掺杂层上；一帽层，该帽层生长在上势垒层上。本发明同时公开了一种制造锑化物高电子迁移率晶体管的方法。利用本发明，通过采用复合缓冲层，使得晶体管结构材料的质量获得很大的提高，可获得更好的沟道电子输运特性 ...
张杨, 李彦波, 曾一平
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