Results 81 to 90 of about 1,082,401 (195)
Dianci bileiqi为了研究雷击及工频续流条件下杆塔接地体动热稳定性及影响因素，首先采用ATP-EMTP计算了雷击及工频续流条件下流入接地装置的电流，将计算的入地电流作为杆塔接地体有限元仿真模型的终端条件，接地材料选用低碳钢和缆状、扁带状柔性石墨，分析在雷击及工频续流条件下接地体的温升及影响因素。研究结果表明：当雷电流及工频续流流入接地体时，接地体引下线处温升明显高于接地体其它位置，而且暴露在空气中的引下线温升最高；工频续流对杆塔接地体造成的温升大于雷电流的影响，且在相同幅值电流下，扁带状柔性石墨温升最高，低碳钢最低 ...
田海鹏 +5 more
doaj
Dianci bileiqi, 2017 不同接地材料因其电磁参数的不同使得接地体的工频与冲击散流特性有区别。针对石墨、锰铜和钢三种接地材料进行仿真建模计算,建立了输电线路杆塔接地网常用的方框带射线型接地网模型,分别对比分析了三种接地材料在不同频率电流、不同土壤电阻率条件下的冲击散流特性,阐述了接地体散流特性对接地阻抗的影响。通过对比分析可知:在高频电流、高土壤电阻率条件下,柔性石墨接地体在远端的散流能力要优于钢接地体,接地阻抗更小。
詹清华 +7 more
doaj
, 2013 本发明是一种便携式陆地气体渗漏系统在线检测装置。包括有便携箱（11）及罩住气体喷口的密闭静态室（1），所述便携箱（11）内设有存储控制系统（21）、气体测量室（13）、水箱（18）和在线气相色谱仪（20），其中密闭静态室（1）通过第一导管（6）与便携箱（11）中第一分气阀（25）连接，第一分气阀（25）通过第二导管（26）与气体测量室（13）连接，气体测量室（13）通过第三导管（17）与水箱（18）连接，气体测量室（13）通过第四导管（29）与第二分气阀（31）连接或第一分气阀（25）直接通过第五导管 ...
陈多福, 邸鹏飞, 冯东, 陈琳莹
core
Connecting structure for revolving body module
, 2008 本实用新型涉及水下机器人技术,具体地说是一种适用于回转体线型水下机器人各模块之间连接的回转体模块连接结构,包括用于连接回转体模块的连接环,位于连接环两侧的回转体模块分别与其相抵接;在连接环的外表面开有第一环形槽,位于连接环两侧的回转体模块内壁分别开有与第一环形槽位置相对应的第二环形槽,第一、二环形槽内容置有弹性挡圈,其抵接在第二环形槽的内壁上;连接环的一侧沿与其轴线平行的水平面开有缺口,其内设有与连接环相连接的盖板。本实用新型用于连接回转体模块的连接环是通用部件 ...
康守权
core
Dianci bileiqi, 2014 运用电磁暂态分析软件ATP-EMTP搭建了单根伸长水平接地体的π型等值电路仿真模型,使用电路理论的分析方法对接地体雷电冲击特性进行了研究。仿真模型考虑了火花效应的影响。运用模型对不同条件的伸长水平接地体进行了仿真计算,有别于工程上广泛使用的冲击接地电阻的概念,得出了接地体在雷电冲击条件下实际接地电阻随时间变化的曲线,分析了其变化规律。同时从接地电阻变化曲线的角度研究了接地体长度、雷电流幅值、土壤电阻率对接地电阻的影响。
蒋圣超 +5 more
doaj
, 2011 [[abstract]]本研究使用Nd:YAG雷射對厚度76?m之AM350不?鋼薄片進行微接合，以作為銲接式波紋管接合之參考。Nd:YAG雷射具有1.604?m之近紅外線波長，短於其他雷射光波長，因此有利於微接合中金屬加工物的吸收。為確保接合品質，雷射參數調變與精確對準為本研究之主要關鍵技術，透過特殊夾具的設計製作及精密的製程參數調變，得以精確控制焦點位置及獲得良好的銲道深度與接合品質。實驗結果顯示雷射脈衝頻率的調變，對銲道表面平滑性與銲點連續性有顯著影響；脈衝能量與平均功率適度調變 ...
林章棋;邱垂銘;洪嘉男;林貴生;程金保
core
Dianci bileiqi, 2019 相对于周围土壤而言,接地极附近的金属接地体能够提供导电性更强的导电通道,因此金属接地体中也会有接地极中的电流流过,处于土壤中的杆塔接地体因电流和运行环境的作用将会有电腐蚀,从而影响附近线路杆塔的接地性能。结合直流接地极工作条件和附近输电线路电气结构,在3种不同土壤模型的基础上建立了接地极对杆塔影响的理论分析模型;并考虑接地极在不同阴阳极模型条件时,对附近单回单基杆塔接地体的电腐蚀特性展开研究;在不同土壤模型条件下对线路总腐蚀量进行分析,最后针对接地极附近杆塔接地体提出了4种典型的防腐措施。
秦如意 +4 more
doaj
, 2010 本发明提供了一种连接接口及其在微流控芯片系统中的应用，包括：支架、接口、接头、缩紧螺母、垫圈。支架和缩紧螺母用来调节接口与芯片的距离并固定接口。接口的一端连接接头，可以将流体引入到芯片通道中，另一端连接芯片液槽，利用密封垫圈密封防止流体流出。利用此接口可以将流体引入芯片通道中，进行通道冲洗、流体灌注、通道表面处理和样品引入等操作。与现有连接方法比，该接口可耐高压，可以方便地连接在芯片上任意位置的液槽，并且可以重复使用 ...
丛永正 +6 more
core
一种利用飞秒激光制备金属-半导体接触电极的方法，包括如下步骤：步骤1：在晶片表面涂布抗蚀剂；步骤2：采用飞秒激光直写技术，在抗蚀剂表面形成图形；步骤3：采用电子束蒸发技术，在图形的表面蒸发金属，使金属附着于图形的上面，同时该金属还附着于剩余抗蚀剂的上面；步骤4：剥离晶片表面涂布的抗蚀剂，并同时剥离掉抗蚀剂上面的金属，得到金属 ...
杨富华 +3 more
core
, 2005 文章描述了PD SOI器件的体接触失效过程,介绍了一种PD SOI器件一级近似体接触电阻计算方法;提出了一种实用的体接触电阻及其版图寄生参数的模型化方法.最后,应用体接触模型,设计了一个应用于0.8 μm PD SOI 128k SRAM的灵敏放大器 ...
尹雪松, 刘忠立, 姜凡
core