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Gaoya dianqi, 2010 为了研究换流站交流滤波器母线接入高抗后,操作该高抗产生的过电压,详细分析了切母线高抗引起的截流过电压和合闸过电压,并建立了换流站接入系统的EMTP模型,对母线高抗的操作过电压进行仿真计算。研究结果表明,随断路器截断电流值的增大,由分闸产生的操作过电压（包括截流过电压、断路器断口恢复电压和恢复电压上升率）较高;而合母线高抗未产生谐振过电压,也没有滤波器在合闸过程中过载。得出,在高抗侧并联一组避雷器能够有效地限制此过电压。
李振强 +6 more
doaj
, 2006 本发明涉及用于燃料电池发动机系统的数字式变压操作执行器及应用，执行器包括连接电池出口管、电磁阀进口总管、电磁阀进口支管、电磁阀、限流孔、电磁阀出口支管、电磁阀出口总管，连接电池出口管经电磁阀进口总管、电磁阀进口支管、电磁阀、限流孔至电磁阀出口总管，电磁阀出口总管与大气相通。本发明在空压机的输出端设置数字式变压操作执行器，通过优化带限流孔的阀排列组合开关状态，使空气尾排形成由小到大的局部阻力系数，每种开关状态下空压机有固定的转速，从而实现燃料电池工作压力及排气量由低到高的数字化调节，实现了变压/变功率操作，
李相一 +4 more
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Gaoya dianqi, 2002 利用EMTP对公伯峡330kV输电系统的工频过电压及操作过电压进行了计算。结果表明,该系统的工频过电压符合有关规定。取消线路开关的合闸电阻,而仅用金属氧化物避雷器,即可有效地限制操作过电压。
谢鹏, 施围, 桑志强, 阮全荣
doaj
, 2004 基于作者先前提出的时钟馈通补偿方式的开关电流存储单元及全差分总体结构,本文设计了一种二阶开关电流Σ-Δ调制器.工作中采用TSMC 0.35μm CMOS数字电路工艺平台,在低电压工作下进行电路参数优化.实验表明,调制器在3.3V工作电压、10MHz采样频率、64倍过采样率下实现10-bit精度.与已有类似研究相比,本工作在相当的精度条件下,实现了低电压 ...
李拥平, 石寅
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Gaoya dianqi, 2011 并联电容器广泛应用于电网的无功补偿,但由于频繁操作并联电容器导致的操作过电压会损坏绝缘设备,影响电网运行可靠性。并联电容器的操作过电压主要指分闸重燃过电压,合闸时一般不会产生威胁电容器绝缘的过电压。通过分析重燃过电压产生的原因,提出了通过增加一套常闭断路器来模拟开断并联电容器组时重燃过电压的仿真模型。利用所提出的仿真模型计算重燃过电压,并使用氧化锌避雷器限制并联电容器组分闸重燃过电压,仿真结果表明,所提出的模型是正确的。
张森峰, 商立群
doaj
, 2017 本发明公开了一种低工作电压反相器及其制作方法。本发明的反相器包含形成在绝缘衬底上的第一晶体管和第二晶体管，其中，所述第一晶体管以耗尽型模式工作，所述第二晶体管以增强型模式工作，并且，所述第一晶体管和第二晶体管的栅介质层由具有离子导电特性的固态电解质构成。本发明还提供了制备本发明的低工作电压、高增益性的反相器的方法。本发明的反相器在获得低工作电压、高电压增益性的同时 ...
万昌锦, 竺立强, 肖惠, 刘阳辉
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Gaoya dianqi, 2008 根据国内外现有的资料,利用PSCAD/EMTDC软件,建立了一个较完整的换流站操作过电压计算模型,研究了有关操作和故障情况下±800 kV换流站直流侧可能出现的操作过电压。计算换流站主要设备典型故障工况时,对交流母线、直流线路、中性母线等设备可能产生的最大操作过电压水平进行了分析,还针对避雷器配置方法以及有避雷器和无避雷器时的过电压计算进行了研究。仿真计算结果表明,其有利于进一步分析特高压直流输电系统中因交直流系统故障引起的操作过电压大小以及相应绝缘水平的确定。
司马文霞, 庞锴, 杨庆
doaj
, 2006 本发明属于燃料电池领域，具体为一种提高燃料电池运行安全的操作方法。在燃料电池运行时，保持阳极气体压力高于阴极气体压力进行操作。所述阳极气体压力高于阴极气体压力在0.01～0.03MPa之间。按照本发明可以有效地提高燃料电池运行的安全性，减轻阳极一侧排水压力，有助于提高电池的稳定性和电池的氢气利用率 ...
洪有陆 +4 more
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, 2007 本发明涉及燃料电池的无增湿操作，具体地说是一种在质子交换膜燃料电池无增湿操作条件的遴选方法，在干气进气条件下，采用设定的温度、压力及干气进气流量，测定电池暂态电流电压曲线，确定电池可以干气操作的工作点，实现质子交换膜燃料电池无增湿稳定操作条件的遴选。本发明的遴选方法可以实现无增湿条件下的稳定操作，避免了膜在干气下的脱水问题，同时也避免了水淹现象的发生，不仅适用于常温工作环境，而且特别适于零下温度环境中的电池启动与运行，同时简化了燃料电池系统，从而推动了燃料电池的发展 ...
衣宝廉, 明平文, 俞红梅
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, 2012 本发明揭示了一种纳米线压电器件的制作方法,利用直接干法转移将预制的纳米线在聚酰亚胺薄膜上形成平行排列的纳米线阵列;再采用微米级或纳米级光刻法,在上述纳米线阵列上制备压电器件的源极和漏极;最后在源极和漏极一侧添设连接用的接点及引线,并对压电器件表面采用聚二甲基硅氧烷封装。本发明制作方法具有制作工艺简单、适用范围广泛、节省成本等优点,极大地提高了压电器件的产品率;其应用实施后制得的纳米线压电器件,能实现大量纳米线同时工作产生电能 ...
邵铮铮, 边历峰, 文燎勇, 金朝
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