Results 111 to 120 of about 6,070 (191)
Efficient Measurement of Thermal Coupling Effects for Multi-chip Light-emitting Diodes [PDF]
随着高亮度的白光LED在室内和室外领域的广泛应用,对大功率LED的要求越来越高,由此多芯片LED应运而生,同时多芯片LED也是大功率LED芯片的发展趋势之一。对于多芯片LED来讲,芯片之间的热耦合是一个重要的问题,因为芯片的温升不仅只是自身产生的热量引起的,还有一部分是由于其他芯片对其的热耦合产生的。本文主要研究的是多芯片LEDLED模块的热耦合问题,主要从理论上推导了多芯片LED模块的热耦合矩阵,并通过热仿真和实验对多芯片LED模块的热耦合矩阵的合理性进行了验证。具体做了以下几个方面的工作: 1 ...
卢红丽
core
基于电磁场—流场—温度场耦合分析的电缆支架温升计算及实验验证
随着大长度大截面的电力电缆在隧道的普及,电缆支架因涡流损耗造成的线损、以及发热产生温升形变等问题也日益严重。文中采用有限元数值计算方法,以110 kV单相电缆及其钢支架为研究对象,进行了电磁场—流场—温度场耦合计算。将电磁场计算得到的涡流损耗作为温度场计算的热源载荷,同时考虑空气自然对流的散热方式,从而计算出电缆支架的温度分布。最后进行电缆支架温升实验,将仿真得到数据和实验数据进行对比,验证电缆支架温升计算的准确性和有效性。
张宇娇 +3 more
doaj
[Research progress on the design of bone scaffolds with different single cell structures]. [PDF]
Sun Y +9 more
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随着颅内支架运用于颅内宽颈动脉瘤,使这类动脉瘤能够得到及时有效的治疗,但也存在着与手术相关的并发症,如血管痉挛、术中动脉瘤破裂、支架移位、血栓形成、动脉穿支出血、支架塌陷、颈内动脉夹层动脉瘤、弹簧圈突入邻近动脉等。积极预防和处理相关并发症有助于改善患者的预后[1]。我科于2010年至2013年末应用支架辅助弹簧圈栓塞颅内宽颈动脉瘤182例,其中有17例患者术中出现相关并发症。现报告如下。
袁喜平, 冯巍, 赵旭明
doaj
钢框架中心支撑结构是一种双重抗侧力结构体系,为避免水平荷载作用下中心支撑斜杆发生失稳,提出了矩形钢管腹板开孔耗能支撑,其与钢框架采用高强螺栓连接,进而形成耗能支撑框架结构,耗能支撑发生破坏后易于替换。耗能支撑的耗能板件采用对称开孔与S形开孔两种形式,利用ABAQUS有限元软件,分析了耗能腹板厚度、长度、开孔间距等参数对耗能支撑以及支撑框架滞回性能的影响。研究结果表明:两种开孔形式的耗能支撑框架结构的支撑斜杆均未发生失稳,结构滞回曲线饱满,无捏缩现象 ...
徐星渊, 赵宝成
doaj
目的 评做携带抗增生药物紫杉醇的生物可降解性血管内支架 (BIS)防治血管再狭窄的效果。方法 以乙交酯 丙交酯共聚物 (PLLGA)为原料分别制备携带紫杉醇的BIS和未携带药物的BIS(裸BIS)。球囊扩张法建立犬双侧骼外动脉再狭窄动物模型 ,将 8对紫杉醇BIS和裸BIS分别植入到 8只犬的双侧骼外动脉内 ,6周后处死实验动物完整取出支架段血管行病理学观察及免疫组化评价。结果 裸支架组血管平均管腔面积小于紫杉醇支架组血管平均管腔面积 (775 86 μm2 vs113435 μm2 ,P
王田蔚, 杨海山, 陈宇, 赵永生
doaj
Comparison between the modified Blalock-Taussig shunt and right ventricular outflow tract stent in the palliative treatment for tetralogy of Fallot. [PDF]
Li D +5 more
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Progress in research and development of biodegradable metallic vascular stents. [PDF]
Yang Y +6 more
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Preliminary study on a novel biological scaffold loaded with Apelin-13 sustained-release microcapsules for promoting fallopian tube recanalization in rabbits. [PDF]
Zhao Q +5 more
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[Simulation research on the influence of regular porous lattice scaffolds on bone growth]. [PDF]
Men Y, Wei L, Hu B, Hao P, Zhang C.
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