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, 2009 通过测量1.55 μm量子阱共振腔增强型光电探测器的光电流随反向电压和光功率的变化关系,以及模拟能带结构、电场分布等特性,研究了量子阱共振腔增强型光电探测器的高功率特性.分析了光电流的产生机制,测量了1.064 μm量子阱共振腔增强型光电探测器的光电响应,模拟了具有不同势垒高度的量子阱共振腔增强型光电探测器的光电响应 ...
杨晓红, 朱彬, 韩勤
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, 2005 研究了氮离子注入对SIMOX器件电特性的影响.氮注入SIMOX的埋氧层并退火后,将减小前栅MOS-FET/SIMOX的阈电压,提高其漏源击穿电压但对栅击穿电压影响较小.氮注入方式对SIMOX器件的I ...
陈猛 +8 more
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, 2004 采用张弛法数值求解静电势的泊松方程,得出垂直腔面发射激光器(VCSEL)中N型和P型分布布拉格反射体(DBR)中一个周期单元的精确能带图.并以此为依据,从理论上分别分析和比较了多子漂移扩散、纯漂移和热电子发射电流机制所起的作用.指出由一对反对称同型异质结构成的DBR一个周期单元总是表现出欧姆性,但热电子发射电流机制的存在容易使每个结呈现整流特性,以致在电流输运过程中起主要作用的是其反向特性,导致偏压和电阻过大器件不能正常工作.但是漂移扩散机制具有明显欧姆性 ...
康香宁, 陈良惠
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[Study on electrospun film-covered tracheal stents with adaptive release of anti-inflammatory drugs driven by the piezoelectric effect]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za ZhiWang Z +6 more
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, 1998 研究了GaAs/AlGaAs多量子阱结构的电场光调制特性,测量了光反射谱、光电流谱和光电流电压特性。结果表明,在I-V特性中存在光电流负微分电阻区。由这种多量子阱材料制备的自电效应器件(SEED ...
张以谟 +6 more
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Dianci bileiqi, 1975 阀式避雷器的基本特性为:①避雷器的额定电压和最大允许电压;②工频放电电压和内过电压下的放电电压;③冲击放电电压;④残压;⑤通流能力;⑥避雷器的灭弧能力。除了上述的阀式避雷器特有的基本性能外 ...
doaj
[An integrated electrical stimulation-drug iontophoresis-monitoring system for tendon injury repair]. [PDF]
Zhongguo Xiu Fu Chong Jian Wai Ke Za ZhiRui B, Guo X, Zhou Y, Zhuang C, Liu C.
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, 2005 在已有的分布反馈激光器的电路模型中引入位相回路,从而使这种电路模型能够携带出射光的位相信息,进而反映激光器的啁啾特性.对修正后的模型进行仿真,结果与已报道的结果十分吻合.进一步将这种带位相回路的激光器模型与电吸收调制器的电路模型相结合,构成分布反馈激光器与电吸收调制器集成光源的等效电路模型.该模型同时考虑了激光器与调制器之间的电耦合.这种由于隔离电阻不够大而导致的电耦合将导致激光器激射波长发生漂移,即产生啁啾.通过对电路模型进行仿真,给出不同隔离电阻时的啁啾特性曲线,并对啁啾大小与隔离电阻的关系进行讨论.
冯巍巍, 祝宁华, 王幼林
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[Polydimethylsiloxane microfluidic aptasensor： opening a new era of biomarker point-of-care testing]. [PDF]
Se PuYang Y +5 more
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