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量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法 [PDF]

 一种量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法,包括：在n型InP衬底上外延生长n型InP缓冲层、电吸收调制器下限制层、电吸收调制器多量子阱、电吸收调制器上限制层和本征InP注入缓冲层；生长SiO2保护层；形成放大器区和电吸收调制器区；腐蚀掉电吸收调制器区的SiO2保护层,在本征InP注入缓冲层上生长SiO2层；快速热退火；腐蚀掉SiO2层；在电吸收调制器上限制层上依次生长n型InP光限制因子调整层、放大器下限制层、放大器多量子阱和放大器上限制层；腐蚀掉电吸收调制器区的放大器上限制层 ...
王圩, 邵永波, 赵玲娟, 王宝军, 于红艳, 潘教青   +5 more
core  

直流局部放电干扰源研究

Gaoya dianqi, 2012
局部放电作为影响绝缘老化的主要原因之一,是评估电气设备绝缘性能,研究绝缘老化趋势的重要手段。为掌握直流下局部放电波形的特性,笔者结合直流换流阀试验,对悬浮电位、高压尖端放电、地尖端放电3种典型缺陷的直流局部放电典型干扰源进行模拟研究。在直流电压逐步升高的情况下,从放电脉冲的极性、放电脉冲的位置、放电脉冲的幅值、放电脉冲的根数4个方面对特征进行总结、归纳,为直流下缺陷类型的识别奠定了基础。
杨涛, 王露, 陈楠, 李博, 党原
doaj  

[Effects of cold atmosphere plasma treatment on the biological behavior of human gingival fibroblasts]. [PDF]

Beijing Da Xue Xue Bao Yi Xue Ban
Zheng M, Ma X, Chen H, Zhao H, Zhang Y, Tan J, Li H, Wang X.   +7 more
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采用T型电容网络反馈结构的CMOS生理信号放大器 [PDF]

 一种采用T型电容网络反馈结构的CMOS生理信号放大器,包括了反相输入耦合电容和正相输入耦合电容、反馈网络、运算放大器、平衡网络以及输出电容CL,其中：所述运算放大器的反相输入端连接反相输入耦合电容,该放大器的正相输入端连接正相输入耦合电容；所述反馈网络的输入端与运算放大器的反相输入端连接,该反馈网络的输出端与运算放大器的输出端连接；所述输出电容与运算放大器的输出端连接 ...
裴为华, 黄北举, 张旭, 陈弘达
core  

[Study on electrospun film-covered tracheal stents with adaptive release of anti-inflammatory drugs driven by the piezoelectric effect]. [PDF]

Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za Zhi
Wang Z, Zhao F, Dai B, Wang F, Du T, Qiao A, Zhang Y.   +6 more
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[Electroacupuncture at Baihui and Zusanli improves fear memory extinction in single prolonged stress mice by activating hippocampal astrocytes]. [PDF]

Nan Fang Yi Ke Da Xue Xue Bao
Chen X, Liu C, Yang S, Wang J, Cheng P, Yin H, Wang J, Zhu G.   +7 more
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[Exogenous nitric oxide suppresses K _ATP channel activity through S-nitrosylation]. [PDF]

Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za Zhi
Wang X, Zhang Y, Hu W, Hao X.
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[Mechanism of <i>Tongxie Yaofang</i> for reducing 5-HT-induced oxidative stress injury in BRL 3A cells: the mediating role of the SREBP-1/CD1 pathway]. [PDF]

Nan Fang Yi Ke Da Xue Xue Bao
Song M, Su H, Xia H, Chen S, Shao L, Jiang Z.   +5 more
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恒压下GIS环氧树脂绝缘子沿面放电发展全过程状态特征研究与诊断

Dianci bileiqi
为了研究GIS绝缘子沿面放电发展过程，文中设计了小型放电罐体模型，搭建了一套GIS沿面缺陷放电长期测试平台。在施加交流恒定电压作用下使用UHF检测系统采集放电数据直至试品击穿，分析了放电次数、放电幅值、放电时间间隔3种统计时序参量变化趋势规律，发现放电过程存在两个阶段，前期放电幅值低，放电密集，发展趋势平稳，为平稳发展阶段；后期放电幅值较高，放电稀疏，发展趋势振荡，为高击穿风险阶段。基于统计时序参量变化趋势，构造了10个表征放电阶段的特征参量，依据Fisher得分对特征参量进行优选 ...
李阳, 唐志国
doaj  

[How I treat pediatric febrile infection-related epilepsy syndrome]. [PDF]

Zhongguo Dang Dai Er Ke Za Zhi
Deng XL, Peng J.
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