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本文使用Tang-Toennies势模型通过密耦近似方法计算了惰性气体Xe与H2碰撞的散射截面,并对计算结果进行了讨论,总结了该碰撞体系散射截面的变化规律。
李应发, 令狐荣锋, 吕兵
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用相对论分波法计算了电子对35种元素在10eV~25keV能区的弹性散射截面,并与相应的Mott截面进行了比较.结果表明,在1keV以上能区,Mot截面与分波截面定性地符合,虽然两者之间普遍存在偏差(特别是散射角在30°以下偏差更大).小角处的偏差可以通过考虑对Mot截面的屏蔽修正来减小,而在1keV及其以下能区,Mot截面肯定地不再适用,因为在此能区,束缚电子的屏蔽作用增强 ...
滕礼坚, 侯氢, 罗正明
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本文使用Hariharan计算的短程自洽场排斥势数据,拟合了Tang-Toennies势模型中排斥势参数,用该模型和密耦近似(Close-Coupling)方法计算了惰性气体原子Ne与H2、D2、T2分子在碰撞能量为83.8 meV时的微分散射截面,并与实验值和文献值进行了比较.本文计算的微分散射截面值与实验值和文献值均符合得较好.使用同样的方法,本文还计算了碰撞能量在95 meV、155 meV时Ne-H2、Ne-D2、Ne-T2三个体系的微分截面,得出了三个体系的微分散射截面随碰撞能量的变化规律.
令狐荣锋 +4 more
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用伴随粒子飞行时间谱仪,测量了14.7MeV中子在9Be核上的弹性及2.43MeV能级的非弹性散射微分截面.给出了从15~135°(实验室系)范围内散射截面的数据,以及散射角分布的勒让德系数.对中子通量衰减、电子学死时间和初级束形状等作了修正.实验数据的总误差为4.0%~7.0%,其中统计误差为0.5%~3.5%.
张坤, 曹建华, 万代蓉, 戴运生
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22MeV质子在13C上弹性及非弹性散射微分截面的全微观分析
作者在9°~130°散射角范围,测量了22MeV质子在12C,13C上的弹性散射微分截面以及在13C核1/2+(3.09MeV),3/2-(3.68MeV)和5/2+(3.85MeV)激发态上的非弹性散射微分截面.对12C,13C弹性散射微分截面进行了微观光学势分析,计算结果能较好地描述实验数据.采用全微观扭曲波玻恩近似(DWBA)理论对非弹性散射实验数据进行了分析.通过小角区实验数据与理论计算结果的比较,进一步证实了13C的1/2+(3.09MeV)激发态存在中子晕结构.根据13C核1/2+(3 ...
安竹 +6 more
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从1961年报道了快中子在铀核上小角散射“异常”加强,球形光学模型无法给予解释以来,小角散射引起了人们的注意.本文在文[1—8]的基础上,使用文[7]建造的快中子位置灵敏谱仪和伴随粒子飞行时间谱仪,测量了-38U和Cu的小角散射微分截面.一次测量可获取一组角度的相应截面值.
万代蓉 +4 more
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作者采用等效势方法讨论了电子被原子散射的物理模型.入射电子在原子有效势场中运动的势能可以表示成静电势能Vo(r)、极化势能Vp(r)和交换势能Ve(r)之和.作者考虑到入射电子波的畸变,利用修正的极化势截断函数得到了入射电子与靶原子相互作用的解析势能函数,并进一步编程计算了电子与第Ⅱ周期元素原子散射的总截面和动量转移截面,其结果与已有的实验和计算结果符合得较好,并得到了截面与原子序数的一些变化关系.
令狐荣锋, 王君
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作者采用MCNP4B程序,对中子俘获截面测量中,由于多次散射、自屏蔽效应等引起的数据歧离修正方法进行了研究.针对在北京大学4.5MeV静电加速器上进行的152Sm(n,γ)153Sm在22~1019keV能区中子俘获截面的测量,对其多次散射及自屏蔽效应修正因子进行了计算.
盘世标, 罗小兵, 牟云峰, 王磊
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测量了22MeV质子在28Si上的弹性散射和四个激发态的非弹性散射微分截面。实验数据与自洽单散射折叠模型计算进行了比较,并对有关问题作了讨论。折叠模型计算中直接使用了由电子非弹性散射实验中提取的28Si核的结构信息以及密度和能量依赖的复数有效相互作用CEG。
安竹, 陈泉, 石宗仁
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