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, 2000 本文報告一種叫做自保護MOS柵晶閘管的新器件 .這種器件無寄生閂鎖效應 ,并在較高陽極電壓下展現出電流下降而不是飽和或上升的特性 .因此 ,這種新器件具有令人滿意的正偏安全工作區 .器件的保護點由用戶外接輸入電阻自行調節 ,極大增加了使用的靈活性 .此外 ,器件保護點電流和電壓的溫度系數均為負 ,這種特性使器件在高溫工作時可更好地起自保護作用 A novel device called self-protected MOS-gated thyristor is reported for the ...
高玉民 +2 more
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, 2009 一种集成常闭PDMS微阀，该微阀包括上下两片玻璃片1、3和位于两片玻璃之间的PDMS薄膜2，其中上片玻璃1只含有样品池，下片玻璃3 只含有气路控制孔，流体通道和气路控制通道分别成型于PDMS薄膜2的两面。本发明所设计的常闭阀中，流体通道和气路控制通道不是刻蚀在上下玻璃片上，而是分别成型于中间PDMS薄膜的两面，而两片玻璃上则分别只含有样品池和气路控制孔。其中，PDMS薄膜可以用同一模板重复制备，而玻璃只需要简单的钻孔，从而最大程度地减少了芯片制备过程中复杂、高成本的模板制备步骤 ...
林炳承, 姜 雷, 李博伟, 秦建华
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一种纳流体晶体管的制备方法，包括：在衬底上生长一层电热绝缘材料层和基底材料层；用光刻和干法刻蚀的方法去除基底材料层的四边，形成制备侧墙的基底；在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面的和电热绝缘材料层表面的侧墙材料层，形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙；去除基底材料层；在该侧墙材料层的一条边上搭上一条制作纳流管道的抗腐蚀绝缘材料层；再在抗腐蚀绝缘材料层上搭上一条制作栅电极的抗腐蚀的金属层；去除侧墙材料层，保留抗腐蚀绝缘材料层和抗腐蚀的金属层，形成一纳流管道 ...
杨富华 +3 more
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本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种调制掺杂增强型高电子迁移率晶体管结构，该增强型高电子迁移率晶体管结构由下至上依次包括：衬底、GaAs/AlAs超晶格层、GaAs量子阱层、Al0.3Ga0.7As层、AlxGa1-xAs层(x线性从0.3减至0.1)、Al0.1Ga0.9As层、GaAs层、源漏电极以及栅电极。本发明还公开了一种增强型高电子迁移率晶体管的制作方法。利用本发明，降低了HEMT器件的功耗，简化了制作工艺 ...
谈笑天, 郑厚植
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本发明公开了一种锑化物高电子迁移率晶体管，包括：一衬底；一复合缓冲层，该复合缓冲层生长在衬底上；一锑化物下势垒层，该锑化物下势垒层生长在复合缓冲层上；一沟道层，该沟道层生长在锑化物下势垒层上；一锑化物隔离层，该锑化物隔离层生长在沟道层上；一掺杂层，该掺杂层生长在锑化物隔离层上；一上势垒层，该上势垒层生长在掺杂层上；一帽层，该帽层生长在上势垒层上。本发明同时公开了一种制造锑化物高电子迁移率晶体管的方法。利用本发明，通过采用复合缓冲层，使得晶体管结构材料的质量获得很大的提高，可获得更好的沟道电子输运特性 ...
张杨, 李彦波, 曾一平
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