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, 2001 为了从理论上解迭层太阳电池的工作特性，根据单结太阳电池直流模型提出了迭层电池的直流模型，并在模型上基础上给出了描述迭层电池工作特性的方程组。在迭层电池模型和方程组的基础上，讨论了迭层电池开路状态和短路状态下电池内部电池、电压及功率分配。重点讨论了迭层电池对外做功情况下电流、电压及功率在迭层电池中的分配。论证了迭层电池中，要求获得最大的功率输出 ...
陆大成 +3 more
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Gaoya dianqi, 1975 多年来,我国对110千伏分级绝缘变压器中点的绝缘水平及其保护问题,争论甚多,至今未有结论。62—63年始,东北及华东220千伏系统采用变压器中点加装间隙以保护中点绝缘的方案,十几年来,运行良好,但间隙整定主要原则之一,即系统单相接地时变压器中点暂态电压的计算方法,东北系统和华东系统（国家标准继电保护篇与过电压保护篇所提的方法与华东同）存在着原则分歧。本文内容有三部分。第一部分，介绍在110千伏系统中以低电压法进行的单相接地实测试验，以及根据实测数据和分析计算得到的单相接地时变压器中点暂态电压的变化规律 ...
doaj
, 2017 本发明公开了一种低工作电压反相器及其制作方法。本发明的反相器包含形成在绝缘衬底上的第一晶体管和第二晶体管，其中，所述第一晶体管以耗尽型模式工作，所述第二晶体管以增强型模式工作，并且，所述第一晶体管和第二晶体管的栅介质层由具有离子导电特性的固态电解质构成。本发明还提供了制备本发明的低工作电压、高增益性的反相器的方法。本发明的反相器在获得低工作电压、高电压增益性的同时 ...
万昌锦, 竺立强, 肖惠, 刘阳辉
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Gaoya dianqi, 2007 以高压限流熔断器短路试验系统为研究主体,用MATLAB建立了动态仿真模型对熔断器熔断过程进行仿真。建立了用于电磁暂态过程计算的数值计算模型,运用半隐半显格式的Callahan算法分析计算了熔断器的开断过电压,得到了过电压波形。仿真波形与计算波形均与实际试验波形基本吻合,充分说明两种方法的正确性,它们可以较好地模拟出熔断器短路试验时的开断过电压情况,还可用于其它非线性电路过电压的求解以及电磁暂态过程的计算。
周挺, 毛柳明
doaj
, 1998 采用Ｃｏ、Ｍｎ、Ａｌ等元素液相掺杂，制得了高能和高压ＺｎＯ压敏电阻器，通过与氧化物掺杂制得的电阻进行比较，结果表明，掺同样含量Ｃｏ时，液相掺杂的高能压敏电阻器大电流区的Ｉ－Ｖ曲线上翘，将Ｃｏ的含量减半，得到了性能全面优于氧化物掺杂的高能压敏电阻器。在高压ＺｎＯ压敏电阻器配方中，采用Ａｌ液相掺杂 ...
黄淑兰 +3 more
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Gaoya dianqi, 1975 对于高压交流断路器出线端短路开断试验的暂态恢复电压,过去大多数国家在有关标准中都是简单地以两个参数来表征,即振幅系数和固有频率,或振幅系数和电压上升速率等。在七十年代初期 ...
doaj
Dianci bileiqi, 2017 为了研究大型海上风电场海底电缆-架空线输电系统雷击过电压的问题,在充分研究输电系统结构的基础上,使用PSCAD/EMTDC仿真软件搭建暂态计算模型。考虑工频电压对雷击过电压的影响,重点研究分析了电缆长度、杆塔接地电阻、雷击距离、雷电流幅值等因素对暂态过电压的影响及其原因。仿真结果和分析表明:杆塔接地电阻和雷电流幅值的增大、雷击距离和电缆长度的减小会导致雷击过电压的增大。考虑避雷器的优化配置,能有效抑制海底电缆首末两端的过电压幅值,相关结论为海上风电场电气系统的防雷绝缘设计提供了一定参考。
郑明 +6 more
doaj
Dianci bileiqi, 2007 架空输电线路的雷击感应电压计算是电力线路绝缘设计、采取防雷保护措施的基础计算。对雷击750kV同塔双回输电线路塔顶产生感应电压的暂态过程进行了分析,采用电磁场数值分析方法,建立了回击电流模型和线路耦合模型,精确地计算了感应电压值。计算结果表明,感应电压随时间变化非常快,所以在计算雷击塔顶的耐雷水平时,如果把感应电压以一个恒定值的方式计入,必然会产生一定的误差,应该考虑感应电压的暂态过程。
高媛, 郭洁, 雷娟, 郭志涛
doaj
, 2019 鉴于煤电基地的快速扩张会给区域水资源保障带来极大的压力，运用生命周期评价方法计算了２００６～ ２０１５年我国北方九大煤电基地煤炭生产和火力发电的水足迹，提出了虚拟水流出伴生的水资源压力指数，评 价了煤电虚拟水外送给当地水资源系统造成的压力，分析了未来煤电基地发展的水资源适配性。结果表 明， 九大煤电基地煤炭生产和火力发电的年均水足迹为１３．４×１０８ｍ３，占当地淡水资源可用总量的２２．８％，煤 炭 和电力外送伴生的虚拟水流出总量持续增加，增长率为３０３１．９× ...
高学睿 +4 more
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, 2012 本发明揭示了一种纳米线压电器件的制作方法,利用直接干法转移将预制的纳米线在聚酰亚胺薄膜上形成平行排列的纳米线阵列;再采用微米级或纳米级光刻法,在上述纳米线阵列上制备压电器件的源极和漏极;最后在源极和漏极一侧添设连接用的接点及引线,并对压电器件表面采用聚二甲基硅氧烷封装。本发明制作方法具有制作工艺简单、适用范围广泛、节省成本等优点,极大地提高了压电器件的产品率;其应用实施后制得的纳米线压电器件,能实现大量纳米线同时工作产生电能 ...
邵铮铮, 边历峰, 文燎勇, 金朝
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