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Gaoya dianqi, 2019 为研究无取向硅钢片在电力变压器磁屏蔽中的适用性,文中基于国际TEAM Problem 21基准族下的磁屏蔽基准模型P21c-M1和P21-M1,对在不同激励条件下无取向硅钢片制成的磁屏蔽的损耗特性和磁通分布特征进行研究,并与传统电力变压器普遍采用的取向磁屏蔽的磁性能进行对比分析。研究结果表明,由无取向硅钢片制成的无取向磁屏蔽对模拟电力变压器油箱壁的导磁钢板的屏蔽效果和取向硅钢片制成的取向磁屏蔽的屏蔽效果基本相同,且价格更为低廉。同时,基于结构件中杂散损耗的计算问题,提出了一种测量与仿真相结合的方法 ...
赵志刚 +5 more
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Gaoya dianqi, 2015 准确计算换流变压器的负载损耗,对换流变压器的稳定运行,具有十分重要的意义。文中分析了目前常用的几种换流变压器负载损耗计算方法,并对其进行简单评述。在此基础上对各方法建立的假设前提进行了分析论证。分析表明:结构件杂散损耗与电流的平方成正比的关系成立,但与频率的0.8次方成正比的关系需进行进一步校核,否则会给负载损耗计算带来误差,建议将导磁材料和非导磁材料分开进行研究。
李金忠 +6 more
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Gaoya dianqi, 1989 本文介绍一种测定液体与固体绝缘材料、电缆、电容器、电力变压器,电压互感器等电容与介质损耗的新型全自动测量电桥。在电桥达到平衡后,仪器直接指示出电容、损耗角（tanδ）和测试电压的读数。由于线路上采取了特殊的保护措施,试品击穿不会损坏电桥,杂散磁场不会影响测量精度,所以,这种仪器尤其适合于作精密测量。
蒋青萍
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Gaoya dianqi, 2018 为了研究电流畸变情况下油浸式配电变压器负载损耗和绕组热点温度的变化规律,基于IEEE StdC57.110中的绕组涡流谐波损耗因子和杂散谐波损耗因子,并考虑绕组在谐波电流下的集肤效应会增强,定义了绕组电阻谐波损耗因子,从而建立了变压器在谐波电流下负载损耗计算模型。考虑到绕组涡流损耗密度分布不均对绕组热点温度的影响,利用文中所建立的变压器在谐波电流下负载损耗计算模型修正了IEEE Std C57.110:2008的绕组热点温度计算公式。分析结果表明,谐波电流会引起较大的额外负载损耗,谐波畸变率为40 ...
周卫华 +7 more
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Dianci bileiqi, 2020 由于配网线路耐雷水平低,网络结构复杂,常常遭到直击雷和感应雷过电压的影响,导致线路跳闸和设备损坏,给电网运行安全带来极大的风险。为解决配电线路雷击跳闸的问题,研究了一种压缩灭弧防雷间隙:通过有效的绝缘配合使得雷电闪络能够准确地控制在设定的防雷间隙之中,利用雷电冲击电弧自身的能量进行压缩,产生"磁抽吸"效果使得大量气体被吸入压缩管道,在压缩管道内温度瞬间上升产生自膨胀气流,加速电弧突变拐点的能量耗散,使得电弧能在电力系统继电保护装置最快动作时间之前有效地熄灭。本文建立了灭弧过程中最为关键的压缩、温升 ...
黄嘉曦 +5 more
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Gaoya dianqi, 2013 运用ANSYS有限元软件对某型号电力变压器的电磁场分布及金属结构件的功率损耗进行了仿真模拟,分析讨论了油箱侧壁屏蔽板高度以及绕组端部处屏蔽条的引入对变压器各部件损耗的影响。结果表明,屏蔽条的引入既减少了进入夹件中的漏磁通密度,同时也降低了线圈端部处的横向磁通密度,能极大地降低夹件和油箱中的杂散损耗。合适高度的箱壁屏蔽板能降低部分结构件的涡流损耗。这些结果可以为变压器的合理设计提供参考依据。
张卫纯 +4 more
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Gaoya dianqi, 2005 利用基于边单元的有限元法,对一台200km/h高速电力机车主变压器的油箱损耗进行了三维有限元分析和计算。由于电力机车主变压器是高漏抗,多绕组变压器,经试验（采用放大法）得到该台变压器油箱损耗为31.245kW,使用FEM二维有限元分析法计算结果为45.791kW,而采用三维有限元分析法计算结果为30.478kW。从而表明,采用三维有限元分析能够更加准确地计算主变压器油箱的涡流分布和杂散损耗,为其采取有效的屏蔽措施提供了更加可靠的科学依据。
李季, 罗隆福, 许加柱
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Guangtongxin yanjiu, 1980 <正> 引言梯度光纤维与阶跃式光纤维相比较,其优点是:色散小、基带响应宽、通信容量大、光纤损耗也同样可以做到很低。制造工艺比阶跃光纤维复杂,比单模光纤维容易。它是当前光通信走向实用化的一种最有希望的光纤维。光纤维的结构参数决定着它本身的许多技术指标,对光纤维的传输特性影响很大 ...
黄定国
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Guangtongxin yanjiu, 2019 光通信技术高速发展和光子集成对调制器的尺寸和性能提出了更高的要求,文章提出了一种基于Aubry-André-Harper（AAH）谐振腔的电光调制器,该器件以硅材料为基底,在其上刻蚀圆形空气孔形成三角型光子晶体结构,在光子晶体线缺陷处引入AAH谐振腔,并通过掺杂在线缺陷处形成p-n结,根据硅基载流子色散效应改变调制电压使基底平板折射率发生改变,进而导致谐振波长位移,达到调制目的。应用Lumerical仿真软件对器件进行了仿真分析,结果表明,器件长度为9.03μm,3 dB带宽为1.01 nm ...
周昊天, 陈鹤鸣
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