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, 2006 一种十元环结构复合分子筛，是十元环硅铝结构和十元环磷酸硅铝结构形成的复合分子筛；其制备方法是将ZSM-22、ZSM-23、ZSM-5、EU-1、 NU-87等十元环结构硅铝分子筛加至硅源、铝源、磷源、水和模板剂混合得到的磷酸硅铝胶体中，得到的初始胶体经水热晶化得到复合分子筛。可根据需要调控合成条件改变复合分子筛中的两相比例和硅铝比，一般十元环结构硅铝分子筛的加入量为磷酸硅铝胶体中Al2O3、P2O5、SiO2等固体氧化物总重量的0.01～0.6 ...
田志坚 +5 more
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, 2007 本发明公开了一种纳米复合低熔点玻璃绝缘涂层的制备方法。它包括将玻璃粉体制成浆料后涂覆于基底上，再经干燥、烧结，完成步骤为(1)将SiO2－B2O3系低熔点玻璃粉体和纳米陶瓷粉体和硅酸钠或硅溶胶或甲基纤维素或聚乙二醇或前述中的两种以上和水按照100∶5～60∶1～30∶200～400的比例混合后球磨5～10小时得混合浆料；(2)用混合浆料涂覆基底，再将其于80～120℃下干燥10～30分钟，之后，将其依次于350～450℃下热处理30～60分钟、500～700℃下热处理5～30分钟；(3)重复(2 ...
杨晔 +8 more
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Gaoya dianqi复合绝缘子在长期辐照、盐雾、鸟啄等因素的综合作用下，会产生伞裙护套破损及表面湿污等缺陷，威胁电力系统正常运行。文中搭建了基于EHP-50F电场传感器的绝缘子空间电场测试平台，建立了FXBW4-35/70棒形悬式复合绝缘子的1∶1三维仿真模型，从试验和仿真两个方面研究了复合绝缘子伞裙护套破损及其表面存在湿污时的空间电场分布特征。结果表明：伞裙破损位置处空间电场强度下降，当破损位于低压侧时变化最大，试验和仿真值分别下降了23.29%和22.23%；护套破损位置处空间电场强度上升 ...
律方成 +5 more
doaj
, 2016 本发明公开了一种改性凹凸棒石纳米粒子及其制备方法。所述制备方法包括：以酸溶液对凹凸棒石表面进行酸活化处理，制得酸活化的凹凸棒石；将酸活化的凹凸棒石和表面改性剂于有机溶剂中均匀混合形成均匀分散液，经充分反应后，制得改性凹凸棒石纳米粒子。所述表面改性剂可优选自含有亲油性基团的硅烷偶联剂等。本发明的改性凹凸棒石纳米粒子的制备方法工艺简单，条件可控，能够在保留凹凸棒石原有形貌的条件下大幅提升凹凸棒石的棒晶之间的分散性，且所获的改性凹凸棒石纳米粒子较之常规改性凹凸棒石，不仅在有机溶剂中具有良好分散性 ...
邹挺 +4 more
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Design and Optimization of Robot Mechanism for Suspension Insulator String Replacement Task
, 2019 依据输电线路悬垂绝缘子串环境特点和更换绝缘子串的任务需求,提出了一种新型输电线路悬垂绝缘子串更换机器人代替等电位电工进行作业,介绍了绝缘子串更换机器人机构构型,基于此构型进行了爬行移动机构、双作业手臂和环形抱夹装置的结构设计,阐述了机器人工作原理与流程。该机构具有作业效率高、易维护、安全性好 ...
王岩 +5 more
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, 2007 利用X射线衍射仪、DSC和扫描电子显微镜研究了纳米SiO_2不同含量的PET/SiO_2复合材料在恒温条件下的结晶度、熔化温度和晶体形貌.结果发现,SiO_2纳米粒子含量对复合材料的结晶速度有很大影响 ...
阮长久 +6 more
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, 1999 在返回式卫星上搭载生长砷化镓单晶，Hall分析表明空间生长的砷化镓单晶呈半绝缘特性。空间生长的半绝缘砷化镓单晶的结构特性得到了明显改善，均匀性提高。与地面生长的半绝缘砷化镓单晶相比，空间生长的半绝缘砷化镓单晶的化学配比及其均匀性得到了显著改善。以空间生长半绝缘砷化镓单晶为基底，采用直接离子注入工艺制造的模拟开关集成电路的特性好于地面材料 ...
山田正良 +4 more
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, 2003 给出计算一般平面裂纹问题应力强度因子的半权函数方法。该方法引入两个满足裂纹面零应力条件、平衡方程以及裂尖位移具有r- 1 2 奇异性的虚拟位移与应力函数的解析表达式 ,即半权函数。从功能互等定理出发 ,结合从裂纹下缘到上缘绕裂尖任意路径的位移与应力的近似值 ,得到Ⅰ、Ⅱ复合型应力强度因子KⅠ 和KⅡ 积分形式的表达式。由于在积分中避开了裂尖的奇异性 ,因此即使采用较粗糙的模型或方法得到的近似值 ,也可以得到精度较高的KⅠ 、KⅡ 。相对于权函数法 ,本方法的限制条件较少 ,半权函数易于获得 ,实用性强
马开平, 柳春图
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本发明公开了一种复合结构光子晶体。该复合结构光子晶体包括：叠层设置的三层二维光子晶体板；其中：中间层的二维光子晶体板水平设置,用于实现在X-Y平面上对光波的调控；上层和下层的二维光子晶体板竖直设置,分别位于所述中间层的二维光子晶体板的上下两侧,其法线方向与所述中间层的二维光子晶体板法线方向垂直,用于实现在Z方向上对光波的调制。本发明实现了对光波的三维调控 ...
晏新宇, 郑婉华
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, 2006 比较了掺Fe和非掺退火半绝缘(SI)InP材料中Fe杂质的分布,掺杂激活机理以及Fe原子与点缺陷的相互作用.原生掺Fe SI-InP中Fe的替位激活主要通过填隙-跳跃机制,但Fe原子易在位错周围聚集,与空位形成复合体缺陷,占据填隙位等,从而降低Fe的激活效率.在FeP2气氛下退火非掺InP获得的SI-InP材料中,Fe原子的激活主要通过扩散过程的"踢出-替位"机制.退火前材料中存在的In空位使Fe原子通过扩散充分占据In位,同时抑制了材料中深能级缺陷的形成.因此,这种SI-InP材料的Fe激活效率高 ...
王博 +5 more
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