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三相母线电场分布的计算

open access: yesGaoya dianqi, 1998
用模拟电荷法对三相圆管形母线的电场分布进行了计算,对三相母线的电场分布规律进行准确描述。
赵海翔, 杨海芳
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特高压交流输电线路电晕放电对工频电场的影响

open access: yesGaoya dianqi, 2014
目前,中国投入运行的交流输电线路中电压等级最高的已达到1 000 kV,为了精确计算超/特高压输电线路的工频电场,笔者基于模拟电荷法,建立了考虑电晕放电的计算模型。模型中需要计算导线周围离子流场中正负电荷的运动、复合及最终在宏观上达到稳态的过程。空间中任意一点的工频电场由导线内的束缚电荷和空间中的电离电荷共同决定。其创新点在于每根分裂子导线单位长度的电量仅用一个模拟线电荷等效代替。与现有文献中仿真结果的比对验证了文中计算模型的正确性。对1 000 kV三相8分裂交流输电线路的算例进行仿真计算 ...
黄子璇, 席黎明, 樊梦旭, 邹澎
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一种电池荷电状态估计方法及装置

open access: yes, 2015
本申请公开了一种电池荷电状态估计方法及装置,方法为:针对预先获取的不同倍率下放电实验数据进行拟合,以获得电池放电倍率与电池实际有效容量值的函数关系,利用所述函数关系建立电池系统的状态空间模型,所述状态空间模型包括标识电池荷电状态SOC的状态方程以及观测方程,在所述状态空间模型中,采用遗传重采样粒子滤波的方式确定电池荷电状态SOC。本申请采用粒子滤波的方式进行SOC的估计,充分利用了粒子滤波在求解非线性问题上的优越性,并且通过重采样抑制了粒子滤波算法本身存在的粒子退化的问题,进一步 ...
韩琪, 田爽, 刘兆平, 张一鸣
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XSP-160型瓷三伞绝缘子积污特性的数值模拟研究

open access: yesGaoya dianqi, 2018
为研究瓷三伞绝缘子表面的积污特性及荷电量的影响,以XSP-160型瓷三伞绝缘子为研究对象,利用COMSOL建立了其风洞条件下的积污模型并进行了数值模拟,与其风洞试验结果进行了对比,结果验证了此方法的可行性。藉此,对该绝缘子自然积污特性进行数值模拟研究,分析了电压类型、颗粒荷电量对其自然积污特性的影响。结果表明:绝缘子表面积污量及其增长率在直流电作用下更大、更快,而在交流电作用下的结果略大于不带电的情况;直流电作用下,颗粒荷电量越大,积污量越多,颗粒未荷电、正常荷电、加倍荷电时积污量的直 ...
吕玉坤   +5 more
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压电驱动的载荷比拟方法

open access: yes, 2009
随着压电材料与结构大量进入航空航天结构控制领域,针对大型复杂结构的压电驱动计算与优化对计算方法提出更高的要求.本文提出并验证了压电驱动载荷比拟方法.使用该方法可以大大降低有限元模型规模,避免多压电铺层面内电压定义困难、简化材料参数在材料主向与单元主向之间的复杂转换 ...
陈伟民, 王明春, 李敏, 贾丽杰
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电场的一种数值分析法—表面电荷法

open access: yesGaoya dianqi, 1984
一、基本原理 电磁场的数值分析法,可分为两大类:一类是先把待求电磁场问题提成偏微分方程和边界条件组成的定解问题,然后用差分法或有限元法求解;另一类则先用积分方程表示场源和场量之间的关系,再用矩量法或模拟电荷法等计算待求场量。 根据等效场源的观点,可把同一电场看成由单层形式分布的表面电荷或双层形式分布的表面电荷或点电荷、线电荷、面电荷等不同形式电荷分布的某种组合激发的。由于场源分布的不同,联系场量和场源的积分方程也不同。
陆忠亮, 肖衍明
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Auto-focus technology and its application based on image processing

open access: yes, 2009
Auto-focusing technique is an important method to improve the precision,intelligentization,automatization for the indentation diameter measurement.The paper introduces an auto-focus method of indentation diameter measurement based on image processing ...
Chen, Xiaomei, Yang, Tao, Zuo, Yong
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SOI CMOS模拟集成电路发展概述

open access: yes, 2004
从SOI CMOS模拟集成电路(IC)中存在的关键问题--浮体效应--及其影响出发,介绍了在解决浮体效应以后,已实现的有代表性的模拟集成电路的发展状况 ...
刘忠立
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计算高压电场的模拟电荷法

open access: yesGaoya dianqi, 1996
综合分析了影响模拟电荷法(CSM)计算精度的主要因素,介绍了几种改进CSM。
周黎明, 张乔根, 邱毓昌
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部分耗尽型SOI CMOS模拟电路设计研究

open access: yes, 2005
介绍了部分耗尽型SOI MOS器件浮体状态下的Kink效应及对模拟电路的影响.阐述了4种常用体接触方式及其他消除部分耗尽型SOI MOS器件Kink效应的工艺方法 ...
尹雪松, 刘忠立, 姜凡
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