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, 2008 水合物生成是典型的界面传递输运现象，而气体迁移性质是这种传递过程的决定性因素。在鼓泡透明玻璃反应釜里模拟渗漏系统气体穿越多孔隙砂层形成水合物的过程实验，分析了气体迁移对气体水合物形成时气液界面的传质传热性质影响。表明实验中气体迁移形成水合物的过程是一种相平衡曲线动态移动的过程；在形成水合物的气-液界面存在具有一定厚度的过渡层，只要过渡层内气体达到饱和即可形成水合物；气体在迁移中不断形成水合物并在孔隙中形成过压，导致地层骨架的力学破裂和失稳 ...
关进安 +4 more
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Gaoya dianqi, 2017 电网的发展对高压开关产品的可靠性提出更高的要求。SF6气体泄漏是导致高压开关缺陷和故障最重要的因素之一,以某省110 kV断路器SF6气体泄漏运行数据为基础,研究了高压开关产品的可靠性数据分析方法。对运行数据的统计分析结果表明,SF6气体泄漏数据能够用威布尔分布模型进行分析描述。进一步对威布尔分布的参数进行了参数估计,并将参数估计结果与统计直方图进行对比,证明了参数估计结果的有效性。基于此,最后对高压开关产品SF6气体泄漏的寿命情况进行了分析,并给出了针对高压开关产品密封结构的基本运维策略。
刘宇 +6 more
doaj
, 2001 在体积为0.025m~3的柱形容器中,对4.1%的丙烷-空气预混气底端中心点火,顶端开口泄爆过程进行了实验研究。实验考察了在大小两个泄爆面积,不同泄爆压力下容器内的压力发展历史和火焰演化过程。实验结果表明,小口泄爆时,容器内压力会继续上升,泄爆流动引起火焰演变为近莲花状;大口泄爆时,容器内压力历史出现双峰,火焰演变为近tulip形火焰 ...
万士昕, 胡俊, 浦以康, 贾复
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Gaoya dianqi, 2020 正在建设的淮南—南京—上海1 000 kV交流特高压输变电工程长江大跨越的跨江输电采用了气体绝缘输电线路（gas-insulated transmission line, GIL）,其GIL单个单元最大长度为18 m,外径达到900 mm,因此与一般的气体绝缘封闭开关设备（GIS）相比,GIL相对具有更大的发生内部绝缘气体泄漏的可能性。为了保证GIL运行时的绝缘强度并防止外界环境对于GIL内部的影响,以往要求小于等于0.5%/年的泄漏率已经不能满足,本工程将该要求提高到小于等于0.01%/年 ...
王昊晴 +6 more
doaj
, 2013 近年来，我国突发性污染事件呈现上升趋势。其中重金属是突发污染事件中常见的一类污染物。由于突发性重金属污染不同于一般环境污染，其具有突发性、破坏性强、传播速度快，严重影响着当地居民的正常生活、社会的稳定和经济可持续发展。 本文以浓度为100mg·L-1 的Cu2+、Zn2+、Pb2+、Cd2+为例模拟重金属突发性泄漏事故，并根据我国重金属突发性事故发生特点、流经途径、浓度变化，依照能够快速响应、廉价、处置时间短来选择材料、处置工艺，分别对高、中、低浓度区域进行针对性的研究，提出相应处置方法 ...
毛志成
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, 2009 阀门泄漏的在线监测一直是困扰流程工业的难题,采用传统有线监控方式需要巨大的布线安装成本。本文通过结合无线通信技术和超声检测技术,研究并开发了一种基于无线通信的阀门泄漏检测系统,可极大地降低测控系统的投资和使用成本,通过实时检测阀门的工作状态,及时发现并定位泄漏位置 ...
黄剑龙 +3 more
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, 2010 本发明涉及一种气体传感器，特别是一种用于检测二氧化氮气体的气体传感器及其制备。栅绝缘层上设表面修饰层和功能层；源电极和漏电极分别连接于功能层，功能层以n型有机半导体材料氟取代酞菁金属化合物为原料。本发明利用有机半导体材料取代无机半导体材料作为器件的功能层，在灵敏度和响应速度主要性能均达到目前市场上无机产品的同时，该二氧化氮气体传感器在制作工艺上也大为简化，只需将修饰好的基片采用一次性真空蒸镀的方法制备器件的功能层和源漏电极即完成了整个器件的制作，制备条件温和 ...
李琳娜, 于顺洋, 许玉云
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Gaoya dianqi, 2018 SF6因优异的绝缘和灭弧性能而广泛应用于电气绝缘设备中,但由于制造、安装以及材料老化等因素导致的SF6泄漏会严重降低设备的绝缘性能,检测SF6泄漏对保障电气设备的安全运行意义重大。传统的断电检测方式存在自动化程度低、检测灵敏度低和效率低下等缺陷,而已有的在线检漏仪无法准确定位泄漏区域。因此,文中提出一种基于红外视频图像处理的SF6泄漏区域带电检测方法,以拍摄的某瓷柱式SF6断路器的红外视频图像为例,首先利用直方图均衡和自适应维纳滤波算法改善原始红外图像,然后创造性选用Surendra改进算法 ...
李军卫 +4 more
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Dianci bileiqi, 2021 研究了不同掺杂含量的Gd2O3对氧化锌（ZnO）压敏电阻片的电气性能、微观特性、物相特性和介电特性的影响。研究表明,掺杂Gd2O3对ZnO敏电阻片的电气性能具有重要影响,掺杂过量的Gd2O3对ZnO敏电阻片的晶粒生长具有抑制作用,锌填隙浓度提升,具体表现在电位梯度、泄漏电流提升而非线性系数大大减小。而掺杂少量的Gd2O3提升氧空位浓度,减小锌填隙浓度,进而抑制泄漏电流。此时掺杂量在0.5%（摩尔分数）Gd2O3电气参数分别为526 V/mm、15μA/cm2、非线性系数28 ...
赵霞 +6 more
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