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Gaoya dianqi, 1990 ·世界上电压最高（800千伏）的第一座气体绝缘全封闭组合电器（GIS）是安装在南非800千伏电力系统ALPHA变电所的ELK4设备,1988年运行,瑞士BBC制造。 ·中国输变电设备行业协会筹备组扩大会议于1989年11月21、22日在北京召开。 ·1989年11月15至16日,昆明开关厂的SN10—35Ⅰ型断路器和GBC—35型高压开关柜通过两部鉴定。 ·1989年12月6日至9日,能源部农电司在湖南召开了全国农村变电站建设研讨会。会议指出要在2000年前对目前简陋变电站按户外小型方案全部改造完毕。
本刊编辑部
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Dianci bileiqi高海拔地区水轮发电机定子线棒端部局部放电强度会受气压和湿度等环境参数的影响。因此，文中设计制作了F级10 kV水轮发电机定子线棒端部主绝缘内部气隙缺陷模型、防晕层脱落缺陷模型以及主绝缘磨损与油污缺陷模型，开展了3种缺陷模型的放电特性研究，并基于脉冲电流法和臭氧检测法进行不同气压和湿度条件下局部放电试验，探究气压和湿度对定子线棒端部缺陷部位局部放电的影响规律。结果表明，气压降低会显著加剧不同缺陷类型的放电强度，但气压对内部气隙缺陷的影响较小；湿度增加会明显减缓各缺陷类型的放电发展进程 ...
陈科元 +3 more
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Gaoya dianqi, 2014 SF6气体绝缘变电站（GIS）的状态监测技术在电力系统中得到越来越广泛的应用,并取得了显著成效。笔者研制了内置式UHF局放传感器及宽带信号放大器,利用退出运行的126 k V GIS设备,设计和建立了GIS状态监测实验平台,设置了内置传感器和典型绝缘缺陷;研究了尖端和悬浮间隙两种典型缺陷局部放电信号的时域、频域及PRPS谱图的典型特征。应用该平台能够完成GIS设备状态监测技术的研究开发、技能培训、仪器校验与比对等工作,能够真实模拟变电站运行工况、复杂电磁环境下各种设备典型缺陷 ...
段大鹏 +4 more
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Gaoya dianqi随着国家特高压工程建设规模的不断扩大，严寒地区建设特高压变电站也逐渐常态化。有些地区的环境温度接近-40 ℃。特高压开关设备的SF6绝缘气体在低温环境会发生液化，降低设备可靠性，需采取措施保证设备的绝缘性能。本文通过对SF6气体低温特性分析并结合产品结构，提出采用辅助加热装置防止SF6气体液化的设计方法；对于不能直接使用辅助加热装置的元件采取降低气压的方法防止液化；同时对低温环境下采用辅助加热装置后壳体内部SF6气体的温度变化、各主要元件低温下的密封性能、密度继电器的低温性能等进行了试验研究 ...
杨喜龙 +5 more
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750kV GIS中隔离开关的分合闸电阻对快速暂态过电压的影响
Dianci bileiqi, 2008 随着超高压气体绝缘变电站（GIS）的广泛使用,由隔离开关（DS）操作引起的快速暂态过电压（VFTO）的危害更加明显。以西北地区750kV官亭GIS变电站为计算原型,利用EMTP程序对40种运行方式进行数值仿真计算,建立不含分合闸电阻和含有分合闸电阻DS计算模型。计算结果表明:分合闸电阻对降低VFTO幅值和陡度有明显作用,加入分合闸电阻比不加分合闸电阻时的最大VFTO幅值降低了50%,陡度降低为14%,电压在1kV以上最高频率降为10%。
余芳, 贾磊, 周春雨, 郭洁
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, 2015 本实用新型公开了一种金属空气电池堆及其电池单体，电池单体包括框架，所述框架包括框架本体和开设有排气孔的上盖，所述框架本体或上盖上开设有阳极导线槽，且框架两端的两个端面中的至少一个上开设有气体槽，相邻的两个所述框架的端面贴合后，该两个贴合的端面上的气体槽相对并共同形成气体通道；阴极包括分别密封固定在所述框架两端的两个阴极片，两个阴极片将所述框架的内部封闭形成能够填充电解液的容纳腔，外部气体能够经所述空气通道与阴极接触；设置在框架内部的阳极，且阳极位于两个所述阴极片之间 ...
薛业建 +5 more
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一种绝缘体上硅的波导光栅耦合器，所述耦合器采用绝缘体上硅材料，包括：一衬底；一限制层，该限制层制作在衬底上；一波导层，该波导层制作在限制层上，该波导层上面的一端横向制作有衍射光栅；一光子器件 ...
俞育德, 李智勇, 周亮, 余金中
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一种绝缘体上的硅基光栅耦合器，所述耦合器采用绝缘体上的硅材料，包括：一硅衬底；一限制层，该限制层制作在硅衬底上；一顶硅层，该顶硅层制作在限制层上，在该顶硅层的表面制作有光栅，在该顶硅层一侧靠近光栅处为锥形波导，该锥形波导大于80μm，与锥形波导连接处为亚微米波导；一光纤 ...
俞育德, 朱宇, 李智勇, 余金中
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[Study on electrospun film-covered tracheal stents with adaptive release of anti-inflammatory drugs driven by the piezoelectric effect]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za ZhiWang Z +6 more
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一种垂直相变存储器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长第一金属层作为底部电极；步骤2：在第一金属层上淀积第一绝缘材料层；步骤3：采用微纳加工技术将该第一绝缘材料层制作成纳米尺寸的绝缘柱体；步骤4：在第一金属层上和绝缘柱体的表面淀积第二金属层作为加热电极；步骤5：在第二金属层上淀积第二绝缘材料层；步骤6：用化学机械抛光的方法抛光表面，同时切断绝缘柱体顶部的第二金属层的连接，形成环形的加热电极；步骤7：最后淀积相变材料和顶部电极 ...
马慧莉 +5 more
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