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SiO_2中空微球对高温硫化硅橡胶电气绝缘性能的影响

open access: yes, 2016
采用模板法制备了尺度均一的Si O_2中空微球(HSS),将其均匀分散于高温硫化硅橡胶(HTV)中制成HSS/HTV复合材料,分析了HSS的形貌及壁厚,考察了其对硅橡胶电气绝缘性能的影响及其与硅橡胶基体的相互作用.结果表明,HSS对硅橡胶的体积电阻率、击穿强度、介电常数及介电损耗均有较明显的影响,优于同等含量的气相Si O_2/HTV复合材料.加入HSS后,复合材料的体积电阻率由纯硅橡胶的5.3×1015Ω·cm提升至1017Ω· ...
李文辉   +5 more
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基于小波分析的气体绝缘电力设备中SF6泄漏检测方法

open access: yesGaoya dianqi, 2020
目前的气体绝缘电力设备中SF6气体泄漏检测方法存在检测精度低、无法对泄漏点准确定位等不足,为此提出基于小波分析的绝缘电力设备中SF6气体泄漏检测方法。通过红外气体检漏器进行采样,通过直方图均衡化实现图像预处理,通过小波变换对信号、图像进行分解,再通过小波变换去除背景,留下目标和噪声,再通过设置小波阈值去除噪声,至此完成基于小波分析的绝缘电力设备中SF6气体泄漏检测方法的设计与实现。从检测精度和泄漏点定位准确性两方面,对提出的基于小波分析的绝缘电力设备中SF6气体泄漏检测方法和传统的检测方法进行对比实验 ...
颜涛
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高气压下O2对C4F7N/N2混合气体绝缘性能和分解特性的影响

open access: yesGaoya dianqi, 2021
由于SF6的大量使用对环境产生的影响巨大,因此替代气体的研究受到了广泛关注。C4F7N混合气体具有优良的绝缘性能和环保特性,有望替代SF6作为绝缘介质应用于气体绝缘设备中。为了减少放电过程中产生的有害固体副产物,需要在C4F7N/N2混合气体中加入一定体积分数的O2。文中探究了C4F7N/N2/O2混合气体应用于高气压电气设备的潜力,利用气体绝缘试验平台对0.6 MPa下含不同体积分数氧气的C4F7N/N2/O2混合气体开展击穿试验,同时利用气相色谱质谱联用仪(GC-MS ...
丁然   +5 more
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一种输电线路悬垂绝缘子串更换装置

open access: yes, 2018
本发明提供一种输电线路悬垂绝缘子串更换装置,包括固定安装支架、爬行驱动机构、前作业手臂以及后作业手臂,其中固定安装支架一侧的安装座连接在输电线路塔材上,另一侧通过两根绝缘杆连接在输电线路上;爬行驱动机构通过爬行驱动轮及辅助支撑轮安装在绝缘杆上;前作业手臂具有两个自由度,安装在爬行驱动机构的电气箱体上;后作业手臂具有三个自度,安装在爬行驱动机构的电气箱体上;在对输电线路悬垂绝缘子串进行辅助更换作业时,爬行驱动机构通过驱动行走轮在绝缘杆上移动,前后作业手臂到达预定位置后 ...
王岩   +9 more
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绝缘膜对压缩气体绝缘设备的击穿和粒子运动的影响

open access: yesGaoya dianqi, 1986
在压缩气体绝缘的输变电设备中,通常会受到金属性粒子的污染而大大地损害其绝缘强度。大量的实验表明:用绝缘膜复盖电极不仅能改善设备中气体的绝缘性能,而且也能提高激发导电粒子所需的电压。本文总结了近十年来在压缩气体绝缘设备中,采用绝缘膜来提高其绝缘强度的研究情况。
doaj  

SF6气体绝缘开关柜

open access: yesGaoya dianqi, 1988
SF6气体绝缘具有优良的电气特性和良好的理化性能,因而在高压电气设备中的应用日益广泛。近年来SF6气体绝缘的全封闭组合电器(GIS)、管道输电线路(GIC)和气体绝缘变压器(GIT)的设计、结构日趋完善,GIS与GIC正向特高电压级发展,
邱毓昌
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一种高导热绝缘塑料及其制备方法和应用

open access: yes, 2017
本发明涉及一种高导热绝缘塑料及其制备方法和应用。具体地,本发明公开了一种高导热绝缘塑料,所述高导热绝缘塑料包含热塑性塑料以及均匀分布于所述热塑性塑料中的复合导热填料,其中,所述复合导热填料包含石墨烯和无机绝缘型导热填料。本发明还公开了所述高导热绝缘塑料的制备方法和应用。所述高导热绝缘塑料在保持其力学性能和绝缘性能的情况下,由于特定复合导热填料的加入使得其导热率获得明显改善 ...
王贵民   +7 more
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绝缘体上硅的波导光栅耦合器及其制作方法

open access: yes
一种绝缘体上硅的波导光栅耦合器,所述耦合器采用绝缘体上硅材料,包括:一衬底;一限制层,该限制层制作在衬底上;一波导层,该波导层制作在限制层上,该波导层上面的一端横向制作有衍射光栅;一光子器件 ...
俞育德, 李智勇, 周亮, 余金中
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半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量

open access: yes, 1998
利用X射线双晶衍射Bond方法,精确测量了各种条件下生长的半绝缘GaAs的晶格参数。建立了过量As在晶体中存在的间隙原子对模型,在理论上找到了影响半绝缘GaAs晶格参数的根本原因。并建立了半绝缘GaAs晶格参数与化学配比的关系,实现了化学配比的无损测量 ...
王玉田   +3 more
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一种绝缘体上的硅基光栅耦合器及其制作方法

open access: yes
一种绝缘体上的硅基光栅耦合器,所述耦合器采用绝缘体上的硅材料,包括:一硅衬底;一限制层,该限制层制作在硅衬底上;一顶硅层,该顶硅层制作在限制层上,在该顶硅层的表面制作有光栅,在该顶硅层一侧靠近光栅处为锥形波导,该锥形波导大于80μm,与锥形波导连接处为亚微米波导;一光纤 ...
俞育德, 朱宇, 李智勇, 余金中
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