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GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术

open access: yes, 2003
在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制,建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术。采用该技术生长的SiGe/Si HBT外延材料,可将硼杂质较好地限制在SiGe合金基区内,并能有效地提高磷烷对N型掺杂的浓度和外延硅层的生长速率,获得了理想N,P型杂质分布的SiGe/Si ...
朱世荣   +6 more
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共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备方法

open access: yes
 一种共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备方法,包括如下步骤:步骤1:取一硅片;步骤2:在硅片中注入Al;步骤3:将过渡性金属元素注入到含Al的硅片中;步骤4:将含有Al和过渡性金属元素的硅片进行退火处理 ...
左玉华   +5 more
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掺杂和热处理对纳ZnO薄膜气敏特性影响

open access: yes, 2002
用真空蒸发法在玻璃和单晶硅片上制备纯Zn和掺杂Zn薄膜,然后在高于450 ℃条件下进行氧化、热处理(玻璃衬底)获得良好的纳米ZnO薄膜和掺杂ZnO薄膜。对单晶硅衬底上制备的纯Zn薄膜在高于800 ℃温度条件下进行液态源掺杂,获得掺B和P纳米ZnO薄膜。实验表明,掺杂和热处理使纳米ZnO薄膜的结构、导电性能得到改善,有效地降低了纳米ZnO薄膜的电阻 ...
田野, 李海兰, 宋淑芳, 李健
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磷掺杂硅‑石墨复合材料及含有其的负极材料和锂离子电池

open access: yes, 2017
本申请公开了一种磷掺杂硅‑石墨复合材料,所述磷掺杂硅‑石墨复合材料中含有磷掺杂的N型硅和石墨。所述磷掺杂硅‑石墨复合材料为负极活性材料用于锂离子电池,能够抑制硅巨大的体积膨胀,具有高容量及良好的循环稳定性的优点。本申请还公开了上述磷掺杂硅‑石墨复合材料的制备方法包括步骤:第一步球磨:将硅与磷在球磨罐中球磨;第二步球磨:将第一步球磨产物与石墨粉末在球磨罐中进一步球磨。本申请还公开了含有上述磷掺杂硅‑石墨复合材料和 ...
黄世强, 沈彩
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[Application and research progress of metal-organic framework materials in skin repair]. [PDF]

open access: yesSheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za Zhi
Ma S, Wu W, Liu H, Liu M, Xing F.
europepmc   +1 more source

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