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一种负载银的氮掺杂石墨烯的制备方法及其在金属空气电池催化剂中的应用
本申请提供了一种银负载的氮掺杂石墨烯的制备方法,其将功能化石墨烯、硝酸银与氨水混合后反应,得到了银负载的氮掺杂石墨烯。本发明制备过程简单易实施,节能环保 ...
薛业建, 李世华, 刘兆平, 苗鹤
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微生物燃料电池(MFC)的阳极是决定其性能的关键因素之一,为了提高传统碳布材料(CC)的生物相容性及生物电催化活性,以氮掺杂茄子基多孔生物炭(NEPC)对CC进行表面修饰,制备了不同氮掺杂比例的茄子基生物炭阳极(NxEPC/CC)。当尿素和茄子粉末的质量比为2∶1时制备的电极N2EPC/CC具有最佳的性能,电极形貌结构表征及元素形态分析结果表明其表面形成了致密的互联多孔网状结构,氮原子数分数高达12.21%;附着电活性生物膜后,N2EPC/CC电极的电荷转移内阻为9.32 Ω,较未挂膜阳极下降了44.3%
田宇, 王海曼, 王贵强
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本发明公开了一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法,该方法包括;选用Si(001)单晶作为衬底;用B靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶,在该B靶上覆盖有一位置可调的Si靶作为Si掺杂立方氮化硼薄膜生长的掺杂源;采用两个考夫曼宽束离子源沉积Si掺杂立方氮化硼薄膜,主离子源采用Ar+离子轰击B靶和Si靶,同时以Ar+及N2+的混合离子束作为辅助离子源轰击薄膜;对制备的Si掺杂立方氮化硼薄膜在N2保护下进行高温快速热退火。本发明提供的这种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法,过程简单、成本低 ...
范亚明, 应杰, 张兴旺
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研究了热处理对非掺杂n型氮化镓外延层光致发光谱的影响和光谱中各发光带强度与温度之间的关系。热处理后,光谱中的带边峰和黄光峰的强度较热处理前都有明显降低。黄光峰强度随温度升高的衰减速度要比带边峰慢得多 ...
彭长涛, 林兰英, 柯俊, 陈诺夫
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本发明公开了一种硫杂炭材料或硫-氮杂炭材料,是将硫元素掺杂到炭材料而形成的硫杂炭材料,或者是将硫元素和氮元素两种掺杂到炭材料而形成的硫-氮杂炭材料;所述的炭材料为碳黑。该材料可用作或用于制备电池的电极材料,具有优良的电化学性能。本发明还公开了该硫杂炭材料或硫-氮杂炭材料的制备方法,包括:将硫元素掺杂原料或者硫元素和氮元素两种掺杂原料与炭材料混合均匀后倒入水中,制成均匀分散的悬浊液;将悬浊液干燥所得物质研磨后在惰性气体氛围中煅烧,得到硫杂炭材料或硫-氮杂炭材料;该方法操作简单 ...
刘现军, 王德宇
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本发明公开了一种提高镁在III-V族氮化物中掺杂效率的方法,该方法是在镁掺杂的p型III-V族氮化物的表面蒸镀一层2nm至10nm的碲,然后在N2气氛下退火,并用酸性液体洗掉蒸镀在p型III-V族氮化物上的碲。利用本发明,使镁在III-V族氮化物中的掺杂效率大大的提高,增加了p型III ...
纪攀峰, 朱峰, 李京波
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研究了用金属有机物气相外延(MOVPE)方法在蓝宝石衬底上生长掺硅氮化镓的生长方法。发现了在硅烷掺杂剂流量较高的情况下,氮化镓的电子浓度趋于饱和现象。研究了掺硅氮化镓的电学、光学 ...
陆大成 +5 more
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本发明公开了一种对III-V氮化物进行n型和p型掺杂的方法,在蓝宝石、SiC、GaN等衬底上外延生长的n型和p型III-V族氮化物,使用SiH4和/或Cp2Mg作为掺杂剂,使用交替供源气体的方式来实现n型和p型的有效掺杂。利用本发明,实现了利用Si和Mg对III-V氮化物进行n型和p型的有效掺杂,不但能够改善材料的晶体质量,降低材料的位错,而且能够提高III-V氮化物的n型和p型的掺杂效率和浓度。在提高了n型和p型III-V氮化物的掺杂效率和浓度之后 ...
李晋闽 +6 more
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一种调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法,其包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上依次制作一氮化镓成核层和一氮化镓缓冲层;步骤3:在氮化镓缓冲层上制作一n型氮化镓接触层,以硅烷作为n型掺杂剂;步骤4:在n型接触层上未刻蚀的上表面依次制作一n型电流扩展层、一活性发光层、一p型电子阻挡层和一p型接触层;步骤5:采用刻蚀的方法,在该p型接触层上面的一侧向下刻蚀,刻蚀深度到达n型氮化镓接触层中,使该n型氮化镓接触层的一侧形成一台面;步骤6:在n型接触层的台面上制作负电极 ...
李晋闽 +4 more
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一种氮化镓基高电子迁移率晶体管结构,包括:一衬底;一低温氮化镓成核层,该低温氮化镓成核层制作在衬底上面;一非有意掺杂氮化镓高阻层,该非有意掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓成核层上面;一非有意掺杂高迁移率氮化镓层,该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂氮化镓高阻层上面;一氮化铝插入层,该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层上面;一非有意掺杂铟铝氮势垒层,该非有意掺杂铟铝氮势垒层制作在氮化铝插入层上面;一非有意掺杂铝镓氮势垒层 ...
王翠梅 +6 more
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