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[Advances in clinical diagnosis and treatment of chronic osteomyelitis in adults]. [PDF]

open access: yesZhongguo Xiu Fu Chong Jian Wai Ke Za Zhi, 2020
Ma J, Yang F.
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应用硅橡胶材料附件提高瓷支柱绝缘子外绝缘强度的实验研究

open access: yesDianci bileiqi, 2018
为了提高支柱绝缘子的外绝缘强度,根据电场分布理论、气体放电理论和沿面放电理论,提出了应用硅橡胶材料附件系统来控制绝缘子外部放电的发生和发展,从而达到提高支柱绝缘子外绝缘强度的目的。以110 kV瓷支柱绝缘子为例,进行了工频干闪电压、湿闪电压和污秽闪络电压的试验。试验结果表明,在没有改变支柱绝缘子的电气距离和结构参数的情况下,应用附件系统将工频干闪电压提高5. 9%,工频湿闪电压提高12. 37%,污秽闪络电压提高22. 06%。研究结果对提高支柱绝缘子的外绝缘有一定的指导意义。
孙伟   +7 more
doaj  

低气压下染污绝缘子的直流放电特性研究

open access: yesGaoya dianqi, 1989
根据在人工气侯室内对悬式绝缘子XP—7,XWP2—7,DC—Ⅱ—16和支柱绝缘子ZS1—35—400,ZWS1—35—400的直流污闪试验结果,得到了直流闪络电压与气压和盐密的关系,并对不同结构绝缘子的污闪特性进行了分析,提出了表征直流污闪电压随气压降低而下降的特性指数n值的选取原则,并与交流下的结果进行了比较和分析。
谢军   +5 more
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雷电冲击下金属污染物对GIS中盆式绝缘子闪络特性的影响

open access: yesGaoya dianqi, 2016
金属污染物是引起GIS内盆式绝缘子沿面闪络的重要因素。为了获得金属污染物对盆式绝缘子沿面绝缘特性的影响规律,对雷电冲击作用下金属污染的盆式绝缘子闪络特性进行了较为系统的实验研究。文中基于GIS内金属异物形貌特征的统计分析,通过人工模拟金属异物的方法,分别研究了正、负极性雷电冲击作用下,异物尺度、附着位置以及气室压强对盆式绝缘子闪络特性的影响。实验结果表明,正极性雷电冲击作用下,金属污染的盆式绝缘子闪络电压低于负极性,且金属异物越接近高压电极侧,盆式绝缘子闪络电压越低 ...
黄荣辉   +7 more
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局部破损RTV涂层盘型悬式绝缘子的污闪特性研究

open access: yesGaoya dianqi, 2018
RTV涂层长期运行在高温、高湿和强紫外线照射的环境中局部区域涂层会出现粉化甚至脱落现象,文中针对此现象,对不同类型局部破损RTV涂层盘型悬式绝缘子的污闪特性进行了研究。制作不同类型局部破损RTV涂层的玻璃试片,利用人工污闪试验研究局部破损情况对污闪特性的影响,并通过盘式悬式绝缘子的人工污闪试验对以上结果进行了验证;利用有限元软件研究RTV涂层局部破损情况对绝缘子表面电场分布的影响。研究结果表明:绝缘子表面RTV涂层局部破损对盘型悬式绝缘子污闪特性有着重要影响,破损区域沿爬电距离方向距离越长 ...
伏祥运   +5 more
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绝缘子清洗过程中变污层参数的动态闪络模型

open access: yesDianci bileiqi, 2020
提出了一种计算固定水洗高压绝缘子直流闪络电压的动态模型。模型结合了静态闪络和动态电弧模型,考虑了洗涤过程中污染层电阻随时间的变化。本文在不同的等效盐沉积密度(ESDD)值下试验测量该变化并提出了一种计算洗涤过程中污染电阻随时间变化的数学模型。本文在不同的污染水平下,利用所提出的闪络模型计算直流闪络电压,考虑所采用的ESDD值对所提出的闪络模型进行了试验验证。结果表明所提出的模型与试验结果之间有很好的一致性。最后本文改进了绝缘子洗涤系统,减少洗涤中的闪络。
彭凯, 马鑫, 吴继岩, 王晓燕
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污秽绝缘子的操作冲击闪络电压特性

open access: yesDianci bileiqi, 1988
1.引言因为污秽绝缘子的交、直流闪络电压特性,在外绝缘设计中极为重要,因此在世界上包括我们在内的各个实验室对此都进行了广泛的研究。但是,对污秽绝缘子的操作冲击闪络电压特性却很少研究。原因看来是污秽条件下的操作冲击闪络电压特性,对于电力输送线路和电站的外绝缘设计一般不是决定因素。另一个原因看来是试验设备的问题。
倪淑文
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电气化铁道半导体釉绝缘子运行情况初步调查 附视频

open access: yesDianci bileiqi, 1976
对电气化铁道半导体釉绝缘子的运行情况调查结果表明,X-4.5及TX-25A两种半导体釉悬式绝缘子已分别在线路上运行了15个月和10个月,均未清扫过,但没有发生过污闪事故。并拆下5串自然污秽绝缘子进行了污秽及污耐压测量。从试品的污秽程度来看均属三级污秽地区,所有试品均通过36千伏污耐压试验,半导体釉绝缘子的污闪电压均在60千伏以上,普通釉的污闪电压只有40.7千伏。泄漏电流的现场实测表明,脏污绝缘子泄漏电流很小。模拟蒸气机车喷气时绝缘子工况实测结果为,喷气2分钟后,其泄漏电流达13毫安,但下降很快 ...
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带附件系统瓷支柱绝缘子的电位和电场计算

open access: yesDianci bileiqi, 2019
为了研究安装附件系统对绝缘子电位和电场分布的影响,以110kV瓷支柱绝缘子为研究对象。利用有限元分析软件,分别考虑了在干燥和存在湿污层的情况下,计算并比较了有无附件系统时支柱绝缘子的电位和电场分布。最后通过干闪和污闪试验比较了有无附件系统时绝缘子的闪络电压。结果表明:在干燥情况下,安装在高压侧的附件内部电势衰减变慢,附件内部的电场降低,安装附件使得电场最大值降低了26.
万欣, 冯俊杰, 张德赛
doaj  

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