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[Application of scalp electroencephalogram in treatment of refractory epilepsy with vagus nerve stimulation]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za Zhi, 2020 Qin X +6 more
europepmc +1 more source
Gaoya dianqi, 2018 针对空气污染导致雾水电导率增大,复合绝缘子污闪概率也随之增加这一情况,提出了用盐雾法研究复合绝缘子污秽闪络特性。在人工雾霾模拟实验箱内,通过控制雾水电导率和雾水含量,用均匀升压法对蒸汽雾生成到消散两个阶段对绝缘子进行大量试验,记录闪络电压,并用高速摄像仪观察闪络路径。结果表明:空气中雾水含量低时,雾水电导率对绝缘子闪络电压作用不明显;随着雾水含量增加,增大雾水电导率对绝缘子闪络电压作用明显。且干净复合绝缘子在其注塑痕迹处发生起弧和闪络的概率较高,而对于染污绝缘子该痕迹对闪络影响不大。
高磊 +5 more
doaj
Dianci bileiqi针对一起含高比例金属成分重工业区500 kV输电线路跳闸事件，根据故障现场巡视情况，结合线路运行环境、绝缘子闪络通道等，结合故障波形从鸟害、污闪两方面分析了跳闸的可能性，重点针对污闪开展了绝缘子污秽水分析、灰密分析、盐密检测、耐压试验等。分析认为跳闸的主要原因是工厂排放的废气中含有大量强电解质与雾雨潮湿天气共同作用形成的B类污秽，叠加绝缘子表面A类污秽，导致绝缘子表面绝缘子性能下降，在特殊条件下爬距不足引发绝缘子串发生闪络造成线路跳闸。针对此次污闪跳闸事件，建议开展含高比例金属成分重工业区专项排查整改 ...
叶寿洪 +7 more
doaj
Gaoya dianqi, 2018 RTV涂层长期运行在高温、高湿和强紫外线照射的环境中局部区域涂层会出现粉化甚至脱落现象,文中针对此现象,对不同类型局部破损RTV涂层盘型悬式绝缘子的污闪特性进行了研究。制作不同类型局部破损RTV涂层的玻璃试片,利用人工污闪试验研究局部破损情况对污闪特性的影响,并通过盘式悬式绝缘子的人工污闪试验对以上结果进行了验证;利用有限元软件研究RTV涂层局部破损情况对绝缘子表面电场分布的影响。研究结果表明:绝缘子表面RTV涂层局部破损对盘型悬式绝缘子污闪特性有着重要影响,破损区域沿爬电距离方向距离越长 ...
伏祥运 +5 more
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Dianci bileiqi, 2014 为探讨污闪电压的有效预测方法,采用支持向量机回归方法,建立盐密、灰密与污闪电压的关系模型,对污闪电压进行预测。实例分析表明,其预测结果与实测结果的误差很小,表明支持向量机是一种非常有前景的预测工具。
丁龙 +4 more
doaj
Dianci bileiqi, 1992 1 前言近年来的污闪事故中有相当一部分发生在没有工业污秽的农田地区。污闪的原因固然与农田区广泛地使用农药、化肥造成大气环境中的污秽成分增加有关,但绝缘子的自身污染,即绝缘子本身的锈迹污染造成的影响不容忽视。信阳电网110kV罗潢线四次污闪跳闸事故后对发生闪络的绝缘子进行检查,发现大都伴有锈水痕迹通道。进一步对河北、湖北、河南和北京等地多处线路进行调查,发现绝缘子锈迹污染是一个普遍性的问题。例如对某供电局拆换下来的污秽绝缘子进行检查,发现其中的30％的绝缘子伴有明显的锈迹污染 ...
李景录, 胡毅
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Gaoya dianqi, 2008 根据直流人工污秽试验,笔者分析和比较了6种型式瓷和玻璃绝缘子污闪特性。试验结果表明:不同型式绝缘子的污秽闪络性能不同,盐密影响特征指数α与绝缘子的结构和材质有关.其值在0.32～0.55间。同样污秽下,玻璃绝缘子的污闪电压梯度高于相同结构的瓷绝缘子,外伞型绝缘子的污闪电压梯度低于钟罩型绝缘子。绝缘子的有效爬电系数与其型式和污秽程度有关,可表示为K=M×（SDD）m。在试验的五种非标准绝缘子中,玻璃钟罩型绝缘子较好的利用了其爬电距离,而双伞型瓷绝缘子的有效爬电系数最低。
黄欢 +4 more
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Dianci bileiqi, 2019 非合成绝缘子,如瓷质和玻璃绝缘子在输电线路中占有很大比重,提高其污闪电压对电网安全运行具有重要的意义。本文通过在绝缘子铁帽处增加一块金属环片以提高绝缘子串的闪络电压。金属环片能够减小绝缘子铁帽处的高场强,提高起晕电压及减小绝缘子表面场强的切向分量,抑制带电粒子发展,从而提高污闪电压。不同参数的金属环片对绝缘子串污闪电压的影响程度不同,本文利用有限元法（FEM）建立了110kV瓷质绝缘子串场强计算的三维模型,对金属环片的最优参数进行了设计,并通过污闪试验进行验证。试验结果表明 ...
蔡礼 +4 more
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Dianci bileiqi, 2016 输配电外绝缘污秽闪络仍然是威胁电网安全运行的重要隐患,目前国内外对于污闪机理的研究仍在开展。通过人工污秽试验研究了瓷绝缘子交流闪络特性,根据拍摄到的闪络过程,研究了绝缘子表面电弧发展规律。继而开展了瓷材料平板模型沿面闪络试验,获取了电弧延伸过程,测得了伏安特性并且计算电弧常数。研究结果表明,交流电压下瓷绝缘子表面电弧发展具有随机性,除了明显延伸的局部电弧之外,其表面还有多处火花放电;导电物种类对瓷表面电弧发展过程有影响,氯化钠下污秽瓷表面的局部电弧伏安特性可用U=112.8 I-0.54表示 ...
刘洋
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