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, 2001 室温下在单晶Si中注入(0.6-1.5)at%的C原子，部分样品在C离子注入之前在其中注入~(29)Si~+离子产生损伤，然后在相同条件下利用高温退火固相外延了Si_(1-x)C_x合金，研究了预注入对Si_(1-x)C_x合金形成的影响。如果注入C离子的剂量小于引起Si非晶化的剂量，在950℃退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇，难于形成Si_(1-x)C_x合金，预注入形成的损伤有利于合金的形成。随着C离子剂量的增大，注入产生的损伤增强，预注入反而不利于Si_(1-x ...
李晋闽 +5 more
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Huli yanjiu, 1998 在长期的临床护理实践中，发现用注射器抽吸或溶解密封瓶内药液时，穿刺针头与瓶塞之间的角度和瓶塞微粒被刺入溶液中的多少有一定关系。１资料选取合格的９号针头５００个，密封瓶５００个，其中大密封瓶（容量为５００ｍｌ）２５０个，小密封瓶（容量为５ｍｌ）２５０个...
韩希芬, 张桂莲, 谷俊梅
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, 1999 一种清洗毛细管用注射器，其特征在于：该注射器由压帽、帽芯、壳套和普通注射器组成；压帽为一端开孔一端开放的筒状物，开口端有内螺纹；帽芯为圆柱形，注射器的针头部位插入帽芯并用胶封住，针头根部的管内有一硅橡胶垫；壳套为与注射器相配的筒体，前端有与压帽相配合的螺纹，筒体前半段至后端开有纵向主槽，主槽后半部开有挡槽，使注射器针筒尾部恰好被卡住；针筒下在壳套中，带帽芯的针头套在针筒前端并用压帽压紧。本实用新型结构小巧新颖，易于拆装和加工，操作方便自如，成本低，性能好 ...
任吉伦, 张宇
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Gaoya dianqi, 2016 为有效分析变电站接地网的冲击特性,提高变电站电气设备的运行可靠性和确保人身安全,文中以35 kV变电站用典型接地网为依托,基于量纲相似原理设计和定制了规则形状和不规则形状的两种接地网模型,通过模拟接地网导体变细、断裂和脱焊等典型故障,对接地网模型的冲击特性进行了试验研究。试验结果表明:接地网的冲击特性随冲击电流波形、注入点不同有较大差异,且规则接地网的暂态散流特性优于不规则接地网;对同一冲击电流注入点,冲击电流波形的波头时间越短,接地网的冲击接地电阻越大;冲击电流从接地网中心注入时 ...
苏磊 +4 more
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Huli yanjiu, 1999 配药是临床基础护理操作中最常见的操作之一。但若在配药时进针方法不当,不仅会引起针头堵塞,使配药困难,还可使橡胶微粒注入药液中,造成药液浪费。现经过临床实践,总结了一种新的配药穿刺法。1 方法配药时,右手持注射器（针头斜面向上或向下均可）,使针头与瓶塞呈30度角进...
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Shiyou jixie, 2014 针对部分海上油田油井存在的结垢结蜡严重的问题，研制了药剂分层注入工艺管柱，利用井下分层加药对接工具及加药管线等配套工具，将药剂从井口注入到油层部位的完井管柱段，实现了油层流体进入井筒后与各类药剂的混合，有效缓解了油层部位分采及完井管柱结垢、结蜡问题。介绍了加药密封筒、插入密封及密封头等3种主要配套工具的结构及工作原理，指出了加药工艺管柱的技术特点。室内和现场试验结果表明，该工艺管柱各项性能符合现场施工技术要求。
高斌 +5 more
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Gaoya dianqi, 2023 为深入研究气制变压器油在雷电冲击电压下的流注放电发展机理，文中通过搭建冲击电压放电实验平台，在流注起始电压阶段至加速电压阶段，对气制油中流注尖端电离过程和热效应引起的流注传播相关特征参量变化进行观测，以明确流注尖端电离过程和热效应在流注各个发展阶段的具体作用。研究结果表明，在流注起始阶段，流注的物理本质为局部气液相变化形成的低密度气体通道。在流注传播和击穿阶段，流注的物理本质为流注头部高场强导致的光电离过程，并在液体直接电离过程中导致气液相界面的持续产生 ...
陆怡冰 +4 more
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, 2002 讨论了外延及注入制作的薄层GaAs Hall器件如何获得高的磁线性度。GaAs Hall器件的磁线性度在高磁场下会有偏离，但可以通过外延及注入的过渡层对有源区进行补偿，在合适的有源区和过渡区的浓度和厚度分布中，可以得到在2.5T的强磁场下，±0.04 ...
郑一阳
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Dianci bileiqi, 2016 雷击是造成输电线路故障的主要原因之一,为研究非竖直落雷对超高压输电线路雷电屏蔽性能的影响,采用1:40的500 k V典型ZB6T杆塔缩比模型进行雷击模拟试验,试验结果表明:绕击概率随高压电极入射角增加而增大;静电场仿真结果表明:电极入射角的增加改变了避雷线和导线处的电场强度以及高压电极头部周围的空间电场分布:随着电极入射角的增加,避雷线处电场强度比导线处的电场强度衰减更快,这使避雷线相对于输电导线上容易产生迎面流注的优势减弱,且电极入射角增加时,高压电极头部电场较强的区域也逐渐偏离避雷线 ...
鄂盛龙 +7 more
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, 1994 在GaAs集成电路研制中需要高电激活率、高迁率的n型薄层。该文研究了Si~+注入GaAs形成的n型层光电特性与材料参量、注入和退火条件的关系。结果表明材料生长中的杂质污染和缺陷对注入层电特性有直接影响。材料或退火过程中As和Ga的原子比[As]/[Ga]稍大时,注入层中电激活率和迁移率都高。实验还证明,~(29)Si~+注入时BF~+束流的影响会使注入层电激活率和迁移率下降。指出注入时剂量不宜过大,白光快速退火时温度不宜过高,一般在960 ...
李国辉 +6 more
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