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Gaoya dianqi, 2018 开断容性电流是高压断路器一项重要而且严格考核的试验项目。由于容性开断电流非常小,灭弧室内气流状态对开断过程影响较小,开断过程可近似为空载开断。此时断路器性能主要决定于灭弧室的动态电场分布,因此计算断路器在开断容性小电流时的动态电场分布有很大的工程意义。文中结合断路器灭弧室结构特点,提出了基于APDL参数化编程为主、GUI为辅进行断路器开断容性小电流过程中动态电场的计算方法。通过研究动态电场计算数学模型、动态数据模型及电场最大值的动态提取及曲线绘制等关键技术 ...
冯亮亮, 南振乐, 张延超, 王玺
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Gaoya dianqi绝缘子沿面绝缘是直流GIS/GIL绝缘系统的薄弱环节，由于常规交流绝缘子设计准则不再适用于直流工况，研制新型直流GIS/GIL盆式绝缘子对提升直流管道装备可靠性具有重要意义。该研究将直流GIS/GIL中金属微粒的危险运动行为影响纳入管道电极表面场强控制范畴，明确绝缘子初始状态与直流叠加雷电冲击复合电压下沿面场强控制标准，并建立表面电荷积聚与复合电压耦合作用下绝缘子沿面场强考核模型。进一步提出基于表面轮廓曲线优化的直流盆式绝缘子设计方法，依托Bernstein方程开展绝缘子表面轮廓曲线重构 ...
王靖瑞 +5 more
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Gaoya dianqi, 2017 对于高压断路器灭弧室动态流场的数值计算,往往采用动网格技术进行模拟,目前众多涉及动网格的流场模拟计算都采用Ansys Fluent来完成的。相比之下,Ansys CFX具有较广泛的应用范围和诸多优点,能够解决前者的诸多不足,但其缺点是不能直接解决涉及较大变形的动网格计算。文中针对此不足,基于UX和Ansys CFX两款商业软件,通过对它们进行二次开发,得到了一种适用于动态流场计算程序;通过对某高压断路器灭弧室实际流场进行动态计算,验证了该方法的可行性和准确性。该方法在一定程度上解决了Ansys ...
王瑞丽, 惠伟, 张建, 张猛
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四川大学学报. 自然科学版, 2014 为了研究底部加热多孔介质方腔内的自然对流传热,采用整体求解法对方腔内的温度场和流场进行了数值模拟计算,着重分析了瑞利数Ra对多孔介质方腔内自然对流换热特性的影响.计算结果表明:随着Ra数的逐渐增加,对流换热开始占主要作用,等温线变得扭曲;流线由逆时针单胞对流逐渐变化为正反两个双胞对流,流动出现分叉现象,温度场和流线相互对应.平均Nusselt也随之增大,换热效果得到增强.
杨伟, 吕亚飞, 张树光
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Gaoya dianqi, 2000 对杯状纵磁真空灭弧室的三维静磁场、三维交变磁场及触头片中的涡流分布进行了有限元计算和分析。计算结果表明，交变磁场的分布与静磁场的分布有所不同，这主要是由涡流引起的。涡流的影响在触头中心处最大，在槽口之间次之，在槽口上方影响最小。
刘志远, 王季梅, 王政, 韩勇
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[A sparse-view cone-beam CT reconstruction algorithm based on bidirectional flow field- guided projection completion]. [PDF]
Nan Fang Yi Ke Da Xue Xue BaoLi W, Mao Z, Wang Y, Bian Z, Huang J.
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[Research progress of microfluidic technology in competitive sports]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za ZhiHu C, Zhang C, Fan Z, Deng X, Liu M.
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[Noninvasive nanosecond transcranial pulsed electric fields: deep-penetrating, high-field stimulation for suppressing hippocampal amyloid-β and improving cognitive function in an Alzheimer's disease model]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za ZhiChen Y, Yao C, Yan F, Xiao P, Lu X.
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[Finite-element simulation and experimental investigation of nanosecond transcranial pulsed electric field propagation and distribution in a three-dimensional brain model]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za ZhiChen Y, Yao C, Yan F, Xiao P, Lu X.
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