Results 41 to 50 of about 1,093,709 (149)
, 1998 气体水合物相变蓄冷是一项适用于空调系统储能的新技术，具有广泛的应用前景。该技术中的关键问题是对气体水合物相变材料及水合反应过程特性的研究。本文对适合空调蓄冷的气体水合物的水合反应过程特性进行了研究，着重探讨了 HCFC141b/HFC152a 的水合反应结晶生成动力学特性，对影响气体水合物结晶的各种因素进行了分析。本文在理论分析的基础上，设计出一套实际气体水合物相变及生成反应过程测定的实验装置。通过实验得到扰动、过冷度、制冷剂比份、表面剂加入与否等因素对气体水合物结晶生成速度的定量影响 ...
赵永利
core
, 2013 在容积为5．3L的定容式反应釜中，在温度2．0℃、初始压力4．5MPaT，研究TCH4-CO2混合气体水合物的生成过程。考察了混合气体的初始含量对水合物的生成时间和气体分子在水合物晶穴中分布情况的影响，混合气体中初始n（CO2）：n（CH4）分别为4：1，1：1，1：4。实验结果表明，混合气体中CO2含量的增大有效地缩短了诱导成核时间并促进了水合物的生长。当混合气体中初始n（CO2）：n（CH4）〈3时，水合物中气体组分含量与混合气体初始组分含量基本相同；当混合气体中初始n（CO2）：n（CH4）〉3时，
周雪冰 +4 more
core +1 more source
一种绝缘体上硅的波导光栅耦合器，所述耦合器采用绝缘体上硅材料，包括：一衬底；一限制层，该限制层制作在衬底上；一波导层，该波导层制作在限制层上，该波导层上面的一端横向制作有衍射光栅；一光子器件 ...
俞育德, 李智勇, 周亮, 余金中
core
一种绝缘体上的硅基光栅耦合器，所述耦合器采用绝缘体上的硅材料，包括：一硅衬底；一限制层，该限制层制作在硅衬底上；一顶硅层，该顶硅层制作在限制层上，在该顶硅层的表面制作有光栅，在该顶硅层一侧靠近光栅处为锥形波导，该锥形波导大于80μm，与锥形波导连接处为亚微米波导；一光纤 ...
俞育德, 朱宇, 李智勇, 余金中
core
, 2000 本文在测定HFC152a/HCFC141b和HFC134a/HCFC141b二元气体水合物相平衡数据的基础上∧［3］，建立二元混合气体水合物计算模型和方法，利用Wilson活度系数理论和Langmuir等温吸附理论建立了水合物相各组成的逸主计算模型，并论据水合物中客体分子的逸度平衡条件进行了混合水合物的相平衡计算，计算结果正确地表征混合气体水合物相平衡特性 ...
郭开华, 曾丽
core
一种绝缘体上硅的波导光栅耦合器，所述耦合器采用绝缘体上硅材料，包括：一衬底；一限制层，该限制层制作在衬底上；一波导层，该波导层制作在限制层上，该波导层上面的一端横向制作有衍射光栅；一光子器件 ...
俞育德, 李智勇, 周亮, 余金中
core
, 2002 利用气体水合物储运天然气是目前世界上正在研究和开发的一项新技术,可以降低天然气储运的费用，提高天然气储运的经济性和安全性。气体水合物是一种包络状晶体化合物，在标准状况下1m^3的水合物可包含150－180m^3的天然气，其巨大的储气能力和相对温和的储气条件备受重视。水合物储运天然气除了储气量大外，在安全性方面还有其无比的优越性：水合物不易燃烧，可防止燃烧和爆炸事故发生；储存压力相对较低（4MPa左右）；发生储罐破裂等方面事故时天然气泄露速度慢。研究了气体水合物形成过程中的影响因素 ...
孙志高, 樊栓狮
core
, 2002 对高温退火非掺磷化铟（InP）制备的半绝缘晶片的电学性质和均匀性进行了研究，非掺低阻N型磷化铟晶片分别在纯磷气氛和磷化铁气氛下进行930 ℃、80h退火均可获得半绝缘材料。但在这两种条件下制备的两种50mm半绝缘晶片却呈现出不同的电学性质和均匀性。纯磷气氛下制备的磷化铟片的电阻率和迁移率分别达到10~6Ω·cm和1800cm~2/(V·s)；而在磷化铁气氛下退火获得的半绝缘片的电阻率和迁移率分别高达10~7Ω·cm和3000cm~2/(V·s)以上。对这两种半绝缘片和原生掺铁磷化铟半绝缘片的PL ...
焦景华 +4 more
core