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Gaoya dianqi, 2017 换流站交流滤波器断路器因切断频繁等因素发生了多起爆炸事故,威胁了电网运行安全。分析表明交流滤波器断路器合闸涌流对弧触头烧蚀产生的金属微粒,可能会引起灭弧室电场畸变进而降低设备绝缘强度,为此文中开展了金属微粒对交流滤波器断路器灭弧室电场分布的仿真研究。首先基于电磁场数值分析理论,采用Solidworks和Ansys软件建立了550 kV ACF断路器和不同形状金属微粒的三维数值仿真模型,并仿真分析了无金属微粒情况下ACF断路器开断过程中的电场分布;然后,研究了金属微粒形状和半径对灭弧室电场分布的影响 ...
王程嘉 +6 more
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Gaoya dianqi, 1984 各种型号油断路器的灭弧室都具有特定的“引弧距”,是通过计算和试验得出的,它是油断路器的重要技术数据,即使几个毫米的误差,也会对灭弧性能影响很大,在断路器安装调试和检修时,必须严格地保证。 对于类似SN（?）—10型少油断路器的横吹灭弧室,一般是将静触头端部（引弧环或引弧触指端部）至灭弧室上第一横吹喷口的距离称为“引弧距”,它是直接决定灭弧过程中封闭泡阶段时间的。
魏本纪
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Gaoya dianqi, 2006 通过对真空灭弧室的结构优化、波纹管的设计和制造工艺、屏蔽筒的固定方式以及灭弧室装配工艺等影响灭弧室机械寿命的因素进行分析、研究,在此基础上重点对波纹管的结构、材质、加工工艺、表面处理、焊接方式以及灭弧室设计中存在的失效隐患加以改进,并将改进后的研究成果应用在TD14A-12/1600-31.5C真空灭弧室上,配合ZN28-12K/T1250-31.5断路器在开距11mm下顺利完成10万次机械寿命试验,达到了预期的目的。
张玉珍, 王文静, 曹小军
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Gaoya dianqi, 2012 为分析72.5 kV真空灭弧室的电位分布和电场分布及其影响因素,建立了其轴对称有限元分析模型,计算了其电位分布和电场分布,研究了真空击穿的面积效应,并分析了主屏蔽罩的结构尺寸及多个屏蔽罩对真空灭弧室内部电场分布的影响。结果表明:真空灭弧室动静触头之间、触头和屏蔽罩之间的电位变化比较显著,灭弧室内部电场分布不均匀;随着触头间隙距离、触头半径及倒角部分曲率半径的增大,触头表面有效面积将增大,而灭弧室内部最大场强将有所减小;增大主屏蔽罩的半径和长度,可以使屏蔽罩两端的场强有所减小,在真空灭弧室内安装多个屏蔽罩,
邱志斌, 黄道春, 阮江军
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[Two cases of Vibrio vulnificus primary sepsis]. [PDF]
Zhonghua Shao Shang Yu Chuang Mian Xiu Fu Za Zhi, 2022 Cheng DS +5 more
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Gaoya dianqi, 1993 对中间封装式和瓷柱支撑式两种主屏蔽罩安装方式的真空灭弧室中主屏蔽罩电位进行了静态工频测试,找出了为什么中封式真空灭弧室装入整机后并不比瓷柱式真空灭弧室耐压特性优越的原因,指出在真空断路器设计中,尤其在高电压等级下,真空灭弧室的均压问题应与整机总体设计同时考虑。
王承玉, 王季梅
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Gaoya dianqi, 2020 局部放电是引发GIS设备绝缘故障的主要原因之一。文中结合某厂家252 kV GIS灭弧室模块的一起绝缘故障,针对该厂家制造的两种不同型号产品（原型产品和小型化产品,结构相似,尺寸和布置有所不同）的GIS灭弧室模块,建立了三维有限元电场仿真计算模型,计算了雷电冲击电压下GIS灭弧室处于分、合闸不同位置时的电场分布,量化比较了两型产品灭弧室在电场分布规律方面的差异性和相似性,并分析了灭弧室内容易发生放电击穿和沿面爬电的关键区域。通过研究,评估了小型化对GIS灭弧室绝缘性能的影响 ...
王帅兵 +5 more
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Gaoya dianqi, 1988 本文在研究灭弧室驱弧磁场、I—B相差、起弧相角、分闸速度等切断能力影响因素的基础上,提出了灭弧室合理的磁场设计,试验证明,对本文所述的灭弧室结构,新设计能显著提高切断能力。
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Gaoya dianqi, 2017 为了降低真空灭弧室在投切背对背电容器组时的重燃率,文中采用试验的方法,研究了电压老炼、电流老炼和纳秒脉冲老炼对40.5 kV真空灭弧室投切背对背电容器组的影响,得出了老炼方式对40.5 kV真空灭弧室投切背对背电容器组的影响。纳秒脉冲老炼可以比较均匀的覆盖整个触头表面,而电压老炼和电流老炼只能覆盖触头表面的局部。纳秒脉冲老炼的真空灭弧室一次性通过投切背对背电容器组试验,电流老炼的真空灭弧室完成16次投切背对背电容器组试验后发生重燃,电压老炼的真空灭弧室完成一次投切背对背电容器组后300 ms发生重燃。
李敏, 王南南
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