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Gaoya dianqi, 1984 真空断路器的灭弧室外形结构,几乎已典型化,而灭弧室中触头的几何形状及触头材料,则相差很大。近几年来,由于触头几何形状设计改变,开断电流有了较大的突破,在实验室中开断能力已达到200kA以上。为了研究触头结构对真空灭弧室的开断能力的影响,我们对几种不同触头结构的真空灭弧室的开断能力 ...
喻立贵
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Gaoya dianqi, 1995 提出选用热电偶测量SF6自能灭弧室内气体温度的方法及其适用的准则。对于直接测量灭弧室内气体温度并由此研究电弧能量转换及灭弧机理有实用价值。
余建军, 郭文元
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[Progress in antibacterial/osteogenesis dual-functional surface modification strategy of titanium-based implants]. [PDF]
Zhongguo Xiu Fu Chong Jian Wai Ke Za Zhi, 2023 Liu P, Fan B, Zou L, Lü L, Gao Q.
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Gaoya dianqi, 1999 介绍了陶瓷真空灭弧室“一次封排”工艺采用的阶梯焊料、排气间隙,提出了封接模具设计原则和灭弧室设计要点,研究了灭弧室用材料的放气特性,提出了制定“一次封排”工艺的升温、保温、降温曲线原则.
姚士彬
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Hand-sewn expanded polytetrafluoroethylene valved conduit for right ventricular outflow tract reconstruction. [PDF]
Zhong Nan Da Xue Xue Bao Yi Xue Ban, 2022 Qian T +6 more
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Gaoya dianqi, 1999 结合一SF6断路器灭弧室的设计讨论了电场计算在灭弧室绝缘设计中的应用.得到了影响灭弧室电场分布的主要因素并提出了改善电场分布的有效方法.计算和试验结果基本相符.
蔡韬远, 杨成汉, 徐国政
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Gaoya dianqi, 1999 使用改进的Π形励磁线圈磁控放电法测试灭弧室的真空度,不必拆卸灭弧室.同时采用80CI96单片机进行同步控制与数据采集处理,提高了灭弧定真空度的现场测试灵敏度.
赵子玉 +3 more
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Effect of micro/nanoscaled Ti phosphate/Ti oxide hybrid coating on the osseointegration of Ti implants. [PDF]
Hua Xi Kou Qiang Yi Xue Za Zhi, 2021 Zhang J, Zhu SS, Jiang N.
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Gaoya dianqi文中介绍了一起252 kV SF6断路器触头超程异常的分析与处理。在机构更换过程中，通过慢分慢合试验测量灭弧室触头行程时，发现了超程偏大的故障。对机构、连杆装配及灭弧室等可能故障的环节展开分析，确认了灭弧室存在故障。通过对故障灭弧室解体分析，发现灭弧室动弧触指断裂是造成超程增大的直接原因，并通过电镜扫描和化学成分分析了动弧触指断裂的原因。该次故障的分析与处理，对SF6断路器行程异常相关的故障排查和处理具有借鉴意义。
杨政 +6 more
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Gaoya dianqi, 2011 针对灭弧室和操动机构的结构特点,以考虑电弧效应的热力学模型为基础,提出了压气式SF6断路器灭弧室与操动机构行程特性仿真方法。通过建立断路器灭弧室数学模型和操动机构仿真模型,实现断路器机械特性和开断特性的仿真分析,并进一步确定断路器灭弧室及操动元件的结构参数,为SF6断路器的设计从经验和试验验证方法向仿真设计方法转变提供了基础。
赵鸿飞 +3 more
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