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高压真空灭弧室绝缘设计的关键是其内部电场分布的设计。为优化高压真空灭弧室内部的电场分布,使其内部电场强度分布均匀,建立了真空灭弧室的参数化模型。针对真空灭弧室设计工艺参数是变量的问题,利用ANSYS的有限元分析及其参数化语言对真空灭弧室轴向尺寸进行优化设计,通过一阶迭代方法,得到了真空灭弧室相关尺寸的优化序列及变化曲线。优化后与初始参数值相比,电场强度分布更加均匀。
王丽娜, 赵智忠, 郭雪, 毕海岩
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试验测定了高铁酸钾(K2FeO4)溶液对8种常见鱼类病原菌的MIC(最小抑菌浓度,minimal inhibitory concen-tration,MIC)和MBC(最低杀菌浓度,minimal bactericidal concentration,MBC),并研究了不同浓度的K2FeO4溶液对几种病原菌的杀灭效果。结果显示,K2FeO4对温和气单胞菌(Aeromonas sobria)、河弧菌(Vibrio flurialis)、弧菌I组淡水亚组弧菌(Vibriogroup I ...
凌飞 +4 more
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为提高输电线路的防雷水平,降低跳闸率,介绍了一种利用高速冲击气流截断电弧的防雷灭弧装置。装置与绝缘子串并联,可将雷电通道引向并联间隙,利用雷电信号触发产气装置,高速的冲击气流将后续工频电弧熄灭。灭弧实验表明:气流可在35 ms内将电弧熄灭,时间远低于继电保护的响应时间,避免了雷击跳闸。速度实验表明:冲击气流速度越大,灭弧效果越好,当气流速度达到500 m/s以上时,灭弧率达87%以上,是比较理想的灭弧效果。该装置在现场运行良好,验证了其有效性和实用性。
王学彬, 王巨丰, 丰德
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固态发酵是一种清洁环保生产方式。固态发酵培养基是以固相为骨架支撑结构,液相与固相紧密结合,而气相作为连续相的三相体系。由于空气热导率低,基质体系不均一等本征特性,致使固态发酵存在灭菌困难,营养物质破坏严重,发酵热累积,过程监测困难,自动化水平低等系列问题。导致固态发酵虽环境友好,但工业化进展缓慢的局面。针对以上问题,论文研究汽爆作为固态培养基新型灭菌方法的可行性,并系统考察汽爆灭菌对固态培养基理化特性及发酵水平的影响。研发新型变频压力脉动强化固态发酵方法,促进基质热量传递。建立数字图像处理监测体系 ...
赵志敏
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Indication and Purification of Marine Water by Bdellovibrio
[中文文摘]厦门近岸海水海洋噬菌蛭弧菌的数量与海水中弧菌类的数量成正相关.灭菌海水中只加蛭弧菌,其数量出现负增长.若同时加入蛭弧菌和宿主菌鳗弧菌8927菌株,则蛭弧菌数增加、增加速率随宿主菌浓度增加而增加,并导致宿主菌数减少,此时宿主菌随培养时间延长而减少,但减少速度缓慢,15d仅减少26%.[英文文摘]There was a positive correlation between the quantity of marine Bdellovibrio and that of Vibrio in ...
黄庆辉, 杨淑专
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在我国的刑法理论中,对于前科消灭制度研究的比较少,著作和文章也并不多见。本文主要是就我目前所收集到的资料和国内学者的各种观点进行归纳总结,来介绍一下"前科消灭制度"的正确含义,前科消灭制度存在的理论基础、我国不存在前科消灭制度的原因 ...
刘玲
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于1985—1986年,以山西省虹鳟鱼实验场的虹鳟病鱼(7—12cm)为材料,进行鱼病研究。从病鱼肝、脾、肾中分离出致病细菌,经分类鉴定为鳗弧菌生物变种Ⅲ(新生物变种),隶属于弧菌Ⅰ组中的淡水亚组弧菌。对该菌进行的药物筛选的抑菌试验表明:62.5μg/L的强力霉素和100μg/L的鱼安(主要成分为氯代脲酸)有效,同时结合采用井水温度低于自流泉水的措施 ...
葛蕊芳, 徐伯亥, 朱秉仁, 李伟
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论述了基于真空灭弧室和SF6灭弧室串联的混合断路器开断过程,探讨了真空灭弧室与SF6灭弧室对开断能力提升的协同作用,结合混合断路器开断能力提高的机理分析了混合断路器对其操动控制机构的要求。最后设计了一种基于真空断路器与SF6断路器串联的光控模块式混合型断路器实验模型,实验模型采用永磁操动机构解决真空灭弧室和SF6灭弧室的协调问题,可使混合断路器的开断性能得到较好的发挥。
程显 +4 more
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在第一讲中我们已经提到:熄灭电弧是断路器最艰巨的任务之一,和其它开关电器相比,断路器的特殊性突出地表现在它的灭弧装置上,甚至断路器本身的分类最主要也是按灭弧装置的类型来划分的。前面几讲介绍过的导电、绝缘、操动,在一定意义上来说,是为灭弧服务的。断路器的灭弧装置不同,它的导电、绝缘、操动系统的结构及断路器的性能都可能因之而异。所以 ...
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研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭.实验发现,非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN;撤去淬灭光后前者的持续光电导几乎没有变化,后者却明显减小;稍后再次加淬灭光,前者的持续光电导仍无变化,而后者却明显增加.作者认为两者持续光电导的形成都与空穴陷阱有关,用空穴陷阱模型解释了非故意掺杂GaN持续光电导的形成以及淬灭过程;掺Si的n型GaN的持续光电导是电子陷阱(杂质能级)和空穴陷阱共同作用的结果 ...
李娜 +5 more
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