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高压直流(HVDC)输电系统接地极引起的地电位和电场分布,受土壤分层结构的影响,而接地极选址面临复杂土壤结构的背景。因此研究土壤结构中各种因素对地电位和电场分布规律的影响,将有助于改善其分布情况。文中以研究格林函数的微分方程和电位行波的反折射传播方式为方法入口,得到分层土壤结构下存在的振荡衰减函数,提取出电荷积累效应矩阵用于表示积累电荷再分布的振荡衰减过程,获得电位分布在水平、垂直和复合土壤结构下对土壤层厚度S,反折射率k和电流源位置h的表现差异。得出反折射率是影响振荡衰减过程的主要和持续因素 ...
张俊 +5 more
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随着电压等级的不断升高,无间隙MOA各电阻片对地的杂散电容对其运行电压下的电位分布的影响也不断增大。对MOA的电位分析尤其是试验分析在生产实践中就显得尤其重要。笔者采用试验的方法对750 kV交流系统用MOA的电位分布进行分析。首先,介绍了自主研发的光纤测量系统,该系统由电流传感器、光纤、信号处理单元和计算机4部分组成。经过实验室校正取得了良好的结果,完全能满足工程需要。接下来,采用该测量系统对750 kV交流系统用MOA在运行电压下进行试验,取得了电流分布图,经过简单的处理,转换为电位分布图。最后 ...
岳亚丽, 武莹莹
doaj
用Silvaco的ATLAS软件模拟了栅场板参数对AlGaN/GaN HEMT中电场分布的影响. 模拟结果表明,场板的加入改变了器件中电势的分布情况,降低了栅边缘处的电场峰值,改善了器件的击穿特性;场板长度(L_(FP), length of field plate)、场板与势垒层间的介质层厚度t等对电场的分布影响很大. 随着L_(FP)的增大、t的减小,栅边缘处的电场峰值E_(peak1)明显下降,对提高器件的耐压非常有利.
张明兰 +3 more
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本文在作者提出的电探针测定稳态等离子体电子能量分布方法(二阶微分网络法)基础上,结合连续脉冲扫描,实现了对脉冲等离子体探针电流对电压二阶导数曲线的连续测量。每条曲线测定时间20~30μs,测量间隔211μs。此方法可用来测定脉冲放电过程中的电子能量分布及其随时间的变化。本文还提出可用惰性气体亚稳态的Penning 电离来标定EED ...
王朝华, 王竹威, 杨明江
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针对目前微电网组成及控制复杂,快速实现及扩容难的现状,提出了一种.Y-程实用的模块化分布式光伏发电独立微电网结构,以实现快速组网、安全及高效运行。对该独立光伏微电网的运行原理、关键电力电子装置以及模块间调度控制策略等进行了分析设计。基于该拓扑结构,在海岛进行了光/柴/蓄独立光伏微电网实证研究,实现了海岛负荷不间断供电运行。进行了海岛光伏微电网运行状态的测试分析,试验结果验证了该微电网架构的有效性 ...
张先勇 +4 more
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建筑物接地系统雷电冲击特性主要是指雷电流通过接地装置向周围大地散流的特征,通常表现为冲击电流对接地装置作用后局部暂态地电位升高导致地电位反击。利用土壤测试数据及接地系统图模拟实际建筑物接地模型下雷击冲击试验反击地电位特性,通过搭建CDEGS地电位仿真模型实现地电位分布计算并验证了反击试验结果的可靠性,得出地电位分布与注入点位置、接地系统支路分布之间影响关系,对雷击分流接地系统预防地电位反击提出了合理优化措施。
朱泽伟 +4 more
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在文献[1]的基础上,本文较深入地讨论了二次谐振法,推导出实用计算公式。简化后,可分别得出变电容法和变频率法,扩大了文献[1]的适用范围和灵活性。对几种脉冲电容器,给出了分布电感变化曲线及短路使用时的Lxo和fo,讨论了谐振法的误差和精度 ...
张骞, 胡昌信, 甄艳芬, 詹秀云
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500kV输电线路中低零值绝缘子对长串绝缘子电位和电场分布的影响
应用有限元软件Ansys分析了500 kV输电线路中零值和低值绝缘子及其位置、片数不同对整串绝缘子电位和电场分布的影响。结果表明:零值绝缘子比低值绝缘子对绝缘子串的影响要大,离劣化绝缘子越近电压和电场的影响越大;劣化绝缘子位于导线端和横担端对绝缘子串电压和场强的影响,比位于中部的影响大;多片劣化绝缘子连续分布比不连续分布对绝缘子串电压和场强的影响大;按在线测量分布电压法来检测劣化绝缘子,此方法的误判率和漏检率都很高。
陈瑶 +4 more
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为了研究雷击输电线路时输电杆塔接地装置时的暂态特性以及地电位分布情况,通过在陕西省境内选取高压输电杆塔实地测量的方式,分析了雷电流波前时间和半波时间对地电位峰值的影响、3种不同结构接地体地电位的分布规律以及同一种接地体在不同电阻率土壤环境下的电位分布情况,试验结果表明雷电流波前时间越短、土壤电阻率越高的条件下地电位峰值更大,不同结构类型接地体周围的地电位都是从地网中心注流点到地网边缘逐渐下降,地网中心附件电位梯度大于地网边缘,但3种接地体周围的局部散流规律呈现出不同的特点 ...
李伟 +6 more
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对部分耗尽SOI CMOS静态存储器的位线电路进行了模拟和研究,详细分析了BJT效应对SRAM写操作过程的影响,给出了BJT效应在SRAM写操作过程的最坏条件和最好条件下存储单元门管的瞬态泄漏电流的模拟结果;在详细分析BJT效应影响的基础上,对"First Cycle"效应进行了全面的研究.结果表明,"First Cycle"效应对写操作影响较大;研究了位线电容负载对存储单元门管体电位的依赖.最后 ...
刘忠立, 姜凡
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