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扫描复合微pH电极原位测量局部腐蚀体系pH分布图象 [PDF]
, 1996 金属点腐蚀是一种典型的局部腐蚀，点腐蚀过程不仅与金属相组分、夹杂及表面状态等有关，而且与许多环境因素密切相关，其中在金属／溶液界面Ｃｌ－浓度和ｐＨ的分布是影响金属点腐蚀发生、发展过程最为重要的微化学环境因素．研究点腐蚀过程中金属／溶液界面微化学环境对于了解点腐蚀机理及过程动力学具有重要的意义．本文首次研制成功复合型ＩｒＯ２／ＰｔｐＨ电极，复合微电极是ＩｒＯ２／ＰｔｐＨ微探针和ＡｇＣｌ／Ａｇ（ＫＣｌ）微参比电极组成．实验表明，复合型ＩｒＯ２／Ｐｔ微ｐＨ电极对ｐＨ值有良好的线性关系，测量灵敏度高 ...
骆静利 +3 more
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Dianci bileiqi, 2019 下行先导发展过程中,建筑群不同位置场强的分布是决定雷击位置的重要因素,建筑物尖端周围由于自身静电场影响更易形成较为明显的电场变化趋势,相对等较低建筑物更易触发上行先导,仿真通过分析建筑物周围电荷聚集特性、电场空间分布以及建筑物大地附近积累电荷分布特性,得出高层建筑出现电场畸变对下行先导发展的"顶部优势"以及雷暴云位置在影响建筑物顶部电场分布的关键效果。
朱泽伟 +3 more
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Gaoya dianqi, 2010 为了揭示复合绝缘子在污秽潮湿环境中运行时的电场分布特性,笔者基于复合绝缘子的污闪理论,研究了绝缘污秽电场模型和计算方法,采用污层表面电导率和模拟导电污层的电阻层边界条件,应用有限元电场计算软件ElecNet对复合绝缘子污秽电场进行了交流时谐电场计算分析,比较了污层沿绝缘子轴向均匀分布和不均匀分布两种情况下的绝缘子电场分布,分析了污层表面电导率大小（即不同的污秽度）以及污层分布状态对绝缘子表面电场分布的影响。得出,当伞裙上表面电导率高于下表面时,沿泄漏路径的电位分布线性度降低 ...
王仲奕, 王琪, 陈青
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, 2001 GaP:N绿色LED发光效率的提高有赖于对其结构参数的优化。根据载流子分布的连续性,由泊松方程自洽求解,得出了半导体n~--n结势垒分布的计算方法。在此基础上,计入n~-区内的电位降,计算了商用发光二极管p~+-n~-n结构的势垒分布 ...
赵普琴 +3 more
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, 1982 本文阐明了用等效电路——二次谐振法测量分布参数的原理和方法,导出了用于实际测量的计算公式,在无交流电桥和Q表的地方,还可以同时测量集中参数,此法原则上可以消除由测量设备和连接导线所带来的误差 ...
胡昌信
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Dianci bileiqi, 2015 杂散电容的存在使得在持续运行电压下避雷器沿电阻片轴向的电压承担率分布极不均匀,靠近高压端的电阻片一般比远离高压端的电阻片承担了更高的电压负荷。若不采取均压措施改善其电位分布,靠近高压端的电阻片将会因持续运行电压下承担电压负荷过高而加速劣化,最终导致避雷器的损坏,缩短其预期运行寿命。所以必须采取有效的均压措施改善电位分布。以目前仅加装均压环的避雷器为例,通过对计算和实测的方法及数据进行分析,给出了最优均压方案并总结了电位分布测试的意义和方法。
吴亮
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电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布
, 2002 采用电化学C-V方法和Tiron电解液研究了GaMnSb/GaSb单晶载流子浓度的纵向分布，所得结果与Hall测量结果和X射线衍射分析结果一致。研究结果表明GaMnSb单晶中的Mn原子替代了GaSb中部分Ga原子的位置 ...
张秀兰 +6 more
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Dianci bileiqi, 2009 对复合绝缘子的电场和电位分布进行了研究,提出了优化复合绝缘子电场和电位分布的内电极和均压环配置法。该方法是在复合绝缘子的玻璃纤维芯棒两端内嵌细金属内电极;导线侧配置内电极和均压环,而杆塔侧仅配置内电极。在复合绝缘子的导线侧,内电极、金具和均压环之间形成低电场区,降低了该部分绝缘承担的电位分布。在杆塔侧,内电极与杆塔侧金具等电位,内电极所伸入、涵盖的绝缘处于内电极与杆塔侧金具形成的轴向低电场区,降低了该部分绝缘承担的电位;而内电极尖端及以下形成较高电场,抬升了内电极尖端以下的部分绝缘所承担的电压 ...
罗勇芬 +4 more
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, 1999 采用模拟电荷法计算了500kV瓷柱式双断口SF_6断路器“Y”形和“T”形布置型式的空间三维电场,绘出了两种布置型式中轴向剖面场域分布图及断路器触头表面环向场强分布图 ...
周侗, 林莘
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Gaoya dianqi, 2020 针对40.5 kV触头盒绝缘问题较为突出的问题,文中以封堵式触头盒为研究对象。建立了40.5 kV空气绝缘开关柜的整体模型,充分考虑了开关柜内母排、穿柜套管、断路器等部件对触头盒电场分布的影响。计算了封堵式触头盒在工作位工况和试验位工况下的电位、电场分布,分析了双屏蔽结构对触头盒内部电场分布的影响规律,优化了触头盒内部屏蔽极板,有效改善了封堵式触头盒内部的电场分布。文中研究成果可为40.5 kV封堵型触头盒的设计、制造提供计算分析依据,提高40.5 kV开关柜运行的安全可靠性。
柯艳国 +6 more
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